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一种发光芯片C设置有基板80，该发光芯片C包括：第一半导体层叠体，其包括多个发光元件LD；隧道接合层84或具有金属导电性的III‑V族化合物层，其设置在第一半导体层叠体上的具有金属导电性；和第二半导体层，其设置在隧道接合层84或III‑V族...
该专利属于富士施乐株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士施乐株式会社授权不得商用。

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