蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法技术

蒸镀遮罩(100A)具有：基底膜(10A)，其具有多个第一开口部(13A)且包含高分子；复合磁体层(20A)，其形成于基底膜(10A)上，且具有实心部(22A)及非实心部(23A)；及框架(40A)，其接合于基底膜(10A)的周缘部；多个第一开口部(13A)形成于对应非实心部(23A)的区域，复合磁体层(20A)包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法
本专利技术关于一种蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法，尤其关于一种具有积层有树脂层及金属层的结构的蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法、及使用了蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。
技术介绍
近年来，作为下一代显示器，有机电致发光(EL，ElectroLuminescence)显示设备受到关注。目前量产的有机EL显示设备中，主要使用真空蒸镀法形成有机EL层。作为蒸镀遮罩，一般而言为金属制的遮罩(金属遮罩)。然而，随着有机EL显示设备的高清晰化发展，更加难以使用金属遮罩精度良好地形成蒸镀图案。其原因在于：在目前的金属加工技术中，在成为金属遮罩的金属板(例如厚度100μm左右)上，难以以较高精度形成对应于短像素间距(例如10～20μm左右)的较小开口部。因此，作为用以形成清晰度较高的蒸镀图案的蒸镀遮罩，提出有具有积层有树脂层及金属层的结构的蒸镀遮罩(以下，也称为“积层型遮罩”)。例如，专利文献1揭示了具有积层有树脂膜和作为金属磁体的保持构件(厚度：30μm～50μm)的结构的蒸镀遮罩。在树脂膜，形成有对应于所需蒸镀图案的多个开口部。在保持构件，以使树脂膜的开口部露出的方式形成有多个尺寸大于树脂膜开口部的开口部。因此，在使用专利文献1的蒸镀遮罩的情况下，蒸镀图案为对应于树脂膜的多个开口部形成。在比一般金属遮罩用的金属制的保持构件薄的树脂膜中，即便为较小的开口部也能够以高精度形成。根据专利文献1，蒸镀遮罩的保持构件是以热膨胀系数小于6ppm/℃的金属磁体，例如以镍钢形成。使用以镍钢等金属磁体形成的保持构件的遮罩难以大型化。例如，难以制造一边超过1m的遮罩。其原因在于用以制作金属磁体片材的辊轧加工的成本增多。因此，专利文献2揭示了具备包含磁性粉末的磁性层代替金属磁体片材的蒸镀遮罩。磁性层是通过将包含软磁体的粉末、黏合剂、溶剂及分散剂等添加剂的磁性分散涂布材涂布于基底膜，并进行干燥而形成。作为软磁体粉末，可列举：Fe、Ni、Fe-Ni合金、Fe-Co合金或Fe-Ni-Co合金。记载有软磁体粉末的粒径为3μm以下，优选为1μm以下。作为黏合剂，可例示硅氧烷聚合物及聚酰亚胺。未记载软磁体粉末与黏合剂的调配比率。此外，蒸镀遮罩的开口部是在基底膜上形成磁性层之后形成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2013-124372号公报专利文献2：日本专利特开2014-201819号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，根据专利文献2所记载的技术，难以稳定地制造用于制造例如250ppi以上的高清晰度的有机EL显示设备的高清晰度的蒸镀遮罩。本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种可较佳地用于形成高清晰度的蒸镀图案的大型积层型蒸镀遮罩、及其制造方法。此外，本专利技术的另一目的在于提供一种使用此种蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。解决问题的方法本专利技术的实施形态的蒸镀遮罩具有：基底膜，其具有多个第一开口部且包含高分子；复合磁体层，其形成于上述基底膜上，且具有实心部及非实心部；及框架，其接合于上述基底膜的周缘部；上述多个第一开口部形成于对应上述非实心部的区域，上述复合磁体层包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。在某实施形态中，上述实心部包含离散地配置的多个岛状部。在某实施形态中，上述多个岛状部包含岛状部对，该岛状部对配置于以上述多个第一开口部中任意一个第一开口部为中心点而对称的位置。在某实施形态中，上述软肥粒铁的保磁力为100A/m以下。在某实施形态中，上述软肥粒铁的居里温度小于250℃。在某实施形态中，上述复合磁体层中的上述软肥粒铁的粉末的体积分数为15体积％以上且80体积％以下。在某实施形态中，上述树脂包含热硬化性树脂。在某实施形态中，上述基底膜包含聚酰亚胺，上述树脂包含与上述基底膜所含聚酰亚胺相同种类的聚酰亚胺。在某实施形态中，上述框架由非磁性材料形成。例如，上述框架由高分子材料形成。本专利技术实施形态的蒸镀遮罩的制造方法为上任意的蒸镀遮罩的制造方法，其包括：步骤A，其准备包含高分子的基底膜及框架；步骤B，其将上述基底膜固定于上述框架；步骤C，其在上述基底膜形成多个第一开口部；及步骤D，在上述步骤C之后，在上述基底膜上形成包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂的复合磁体层。上述步骤B例如包括使用粘着剂将上述基底膜粘着于上述框架的步骤。在某实施形态中，上述步骤B包含拉紧上述基底膜的步骤。在某实施形态中，在上述步骤C与上述步骤D之间，还包含将上述基底膜洗净的步骤。在某实施形态中，上述步骤D通过喷墨法进行。本专利技术的有机半导体元件的制造方法包括使用上述任意的蒸镀遮罩，在工件上蒸镀有机半导体材料的步骤。有机半导体元件例如为有机EL元件。专利技术的效果根据本专利技术的实施形态，可提供一种能够较佳地用于形成高清晰度的蒸镀图案的大型积层型蒸镀遮罩、及其制造方法。此外，根据本专利技术的实施形态，可提供一种使用此种蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。附图说明图1(a)为示意性地表示本专利技术实施形态的蒸镀遮罩100A的俯视图，(b)为沿着(a)中的1B-1B'线的剖面图。图2为本专利技术实施形态的蒸镀遮罩的制造方法的流程图。图3(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100A的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图，(b)为沿着(a)中3B-3B'线的剖面图。图4(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100A的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图，(b)为沿着(a)中的4B-4B'线的剖面图。图5(a)为示意性地表示本专利技术实施形态的另一蒸镀遮罩100B的俯视图，(b)为沿着(a)中的5B-5B'线的剖面图。图6(a)为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩100C的俯视图，(b)为沿(a)中的6B-6B'线的剖面图。图7(a)为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩100D的俯视图，(b)为沿着(a)中的7B-7B'线的剖面图。图8(a)为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩100E的俯视图，(b)为沿(a)中的8B-8B'线的剖面图。图9(a)及(b)分别为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩100F及100G的俯视图。图10(a)及(b)分别为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩300A及300B的俯视图。图11(a)及(b)分别为示意性地表示本专利技术实施形态的又一蒸镀遮罩300C及300D的俯视图。具体实施方式本专利技术实施形态的蒸镀遮罩具有：基底膜，其具有界定蒸镀区域的多个第一开口部，且包含高分子；复合磁体层，其形成于基底膜上；及框架，其接合于基底膜的周缘部。复合磁体层具有实心部及非实心部。所谓实心部为实际上存在复合磁体的部分，所谓非实心部为不存在复合磁体的部分，即除了实心部以外的部分。基底膜所具有的多个第一开口部形成于对应复合磁体层的非实心部的区域。非实心部例如具有多个第二开口部，基底膜所具有的多个第一开口部的每一个形成于对应多个第二开口部的任一个的区域。多个第一开口部也可与多个第二开口部一对一地对应。实心部例如包含离散地配置的多个岛状部。此时，优选为，多个岛状部包含配置于以多个第一开口部内的任意一个第一开口部为中心点对称的位置的岛状部对。优选为，作用于复合磁体层的岛状部的磁铁的吸引力相对于各第一开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀遮罩，其特征在于，具有：基底膜，其具有多个第一开口部且包含高分子；复合磁体层，其形成于所述基底膜上，且具有实心部及非实心部；及框架，其接合于所述基底膜的周缘部；所述多个第一开口部形成于对应所述非实心部的区域，所述复合磁体层包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.18 JP 2016-0550031.一种蒸镀遮罩，其特征在于，具有：基底膜，其具有多个第一开口部且包含高分子；复合磁体层，其形成于所述基底膜上，且具有实心部及非实心部；及框架，其接合于所述基底膜的周缘部；所述多个第一开口部形成于对应所述非实心部的区域，所述复合磁体层包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。2.如权利要求1所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述非实心部包含多个第二开口部。3.如权利要求1或2所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述实心部包含离散地配置的多个岛状部。4.如权利要求3所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述多个岛状部包含岛状部对，所述岛状部对为配置于以所述多个第一开口部中任意一个第一开口部为中心点而对称的位置。5.如权利要求1至4中任一项所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述软肥粒铁的保磁力为100A/m以下。6.如权利要求1至5中任一项所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述软肥粒铁的居里温度小于250℃。7.如权利要求1至6中任一项所述的蒸镀遮罩，其特征在于，所述复合磁体层中的所述软肥粒铁的粉末的体积分数为15体积％以上且80体积％以下。8.如权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：西田光志，岸本克彥，矢野耕三，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71