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一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法技术

技术编号:19353762 阅读:38 留言:0更新日期:2018-11-07 18:05
本发明专利技术公开了一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法,多孔赤铁矿纳米棒阵列相对于赤铁矿纳米棒阵列具有更大的比表面积,能够提高对太阳光的吸收效率,进而改善赤铁矿的光电性能。

Synthesis of porous hematite nanorod arrays

The invention discloses a synthesis method of porous hematite nanorod array. Compared with hematite nanorod array, porous hematite nanorod array has larger specific surface area, can improve the solar absorption efficiency, and thereby improve the photoelectric performance of hematite.

【技术实现步骤摘要】
一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法
本专利技术涉及材料合成领域,更具体的说是一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法。
技术介绍
氧化铁,俗称“赤铁矿”,是一种广泛分布于地表的常见铁氧化物。一种具有可见光响应的半导体材料,赤铁矿禁带宽度为1.9~2.2eV,可吸收超过20%的太阳光,同时,纳米级别的赤铁矿具有化学性质更稳定、催化活性高,还具有耐光、对紫外线屏蔽等性能。因此纳米级赤铁矿被广泛用于化学催化,光催化环境处理,锂离子电池、超级电容器材料以及临床医疗等方面。另外,赤铁矿纳米材料的形貌和尺寸对其性能有很大的影响,因此,关于不同形貌的赤铁矿纳米结构的合成以及性能研究引起了广泛关注。
技术实现思路
本专利技术提供了一种利用水热法在导电基体上制备多孔赤铁矿纳米棒阵列的方法,多孔纳米棒阵列具有更大的光吸收面积,较快的电子传输速率,极大地提高光电性能。该多孔赤铁矿纳米棒阵列的制备方法为:(1)配置赤铁矿生长液;(2)利用导电玻璃作为基底(长1cm,宽5cm),利用水热法在导电玻璃表面制备多孔赤铁矿纳米棒阵列。本专利技术所述的导电玻璃为氟掺杂氧化锡(FTO)导电玻璃。本专利技术所述的赤铁矿生长液配置过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法,其特征是包括以下步骤:(1)赤铁矿生长液的配置;(2)水热法在导电基底表面合成多孔赤铁矿纳米棒阵列。

【技术特征摘要】
1.一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法,其特征是包括以下步骤:(1)赤铁矿生长液的配置;(2)水热法在导电基底表面合成多孔赤铁矿纳米棒阵列。2.根据权利要求1所述一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法,赤铁矿生长液的配置方法为:首先将0.8g六水合氯化铁与1.7g硝酸钠混合溶于100mL水溶液中,超声30min,随后用浓盐酸调节pH至1.5,随后向混合溶液通氧气30min,得到赤铁矿生长液。3.根据权利要求1所述一种多孔赤铁矿纳米棒阵列的合成方法,所用的导电基底为氟掺杂氧化锡(...

【专利技术属性】
技术研发人员:王衍虎史慧慧于京华颜梅葛慎光
申请(专利权)人:济南大学
类型:发明
国别省市:山东,37

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