The invention belongs to the field of solar energy technology, and discloses a low radiation coated glass and a preparation method thereof. The low-radiation coated glass provided by the invention includes a glass base and a film stack located on at least one surface of the glass base, which comprises a N-group laminated film system and a Si3N4 film located on the outermost layer of the N-group film system; each group of film systems moves from near the glass base to far from the glass base. The sequence includes: SiO2 layer, SiONx layer, Si3N4 layer, SiONx layer, SiO2 layer, SiONx layer. The low-radiation coated glass provided by the invention has high visible light transmittance and better film stability while producing low-radiation effect on the light wave of a specific band. It is not only suitable for building doors, windows and curtain walls, but also for photovoltaic modules.
【技术实现步骤摘要】
低辐射镀膜玻璃及其制备方法
本专利技术属于太阳能
,特别涉及一种低辐射镀膜玻璃及其制备方法。
技术介绍
低辐射玻璃也称Low-E玻璃,其采用镀膜技术,在玻璃表面镀上由多层金属或其他化合物组成的膜系,从而解决玻璃隔热性能与采光性能的矛盾。Low-E玻璃可同时具有良好的隔热性能和采光性能,并解决“光污染”的问题。目前生产Low-E玻璃的技术主要是镀银法和镀制干涉膜法。其中,镀银法是在玻璃表面依次镀制第一金属/非金属氧化物保护层、纳米级别的银层和第二金属/非金属氧化物保护层,利用银对中远红外光线高反射的作用降低玻璃的辐射率。但银的价格昂贵,导致Low-E的生产成本极高;且银层本身不透光,所制得的Low-E玻璃对可见光的透过率仅在70%左右,影响采光效果。镀制干涉膜法是在玻璃基板上交替镀制高折射率-和低折射率交替的多层膜结构,基于膜层与膜层之间发生的干涉现象,通过合理设置膜层的结构,使其对中远红外光线进行反射,从而获得隔热保温的作用。现有技术中常用的膜层包括MgF2、SiO2、CEF3、CeO2、ZnS等。然而,在多层干涉膜的设计和生产中常会出现堆垛层错的质量问题; ...
【技术保护点】
1.一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于,包括玻璃基底以及位于所述玻璃基底至少一个表面的膜堆,所述膜堆包括n组层叠的膜系、和位于所述n组膜系的最外层膜上的Si3N4膜;所述每组膜系从靠近所述玻璃基底向远离所述玻璃基底的方向依次包括:SiO2层,SiONx层,Si3N4层,SiONx层,SiO2层,和SiONx层。
【技术特征摘要】
1.一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于,包括玻璃基底以及位于所述玻璃基底至少一个表面的膜堆,所述膜堆包括n组层叠的膜系、和位于所述n组膜系的最外层膜上的Si3N4膜;所述每组膜系从靠近所述玻璃基底向远离所述玻璃基底的方向依次包括:SiO2层,SiONx层,Si3N4层,SiONx层,SiO2层,和SiONx层。2.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,n为11~43。3.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述n组膜系中,每层SiO2的厚度为每层SiONx的厚度为每层Si3N4的厚度为位于所述n组膜系的最外层膜上的Si3N4膜的厚度为4.根据权利要求3所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述膜堆的总厚度为15~21μm。5.一种低辐射镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,包括:(1)在玻璃基底的至少一个表面,依次叠层镀制SiO2膜、SiONx膜、Si3N4膜、SiONx膜、SiO2膜和SiONx膜;(2)重复步骤(1)n次,在所述玻璃基底的至少一个表面镀制得到n组层叠的膜系,每组所述膜系从靠近所述玻璃基底向远离所述玻璃基底的方向依次包括:SiO2层,SiONx层,Si3N4层,SiONx层,SiO2层,SiONx层;(3...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄亮,万军鹏,谭军毅,林彬,
申请(专利权)人:北京汉能光伏投资有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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