本发明专利技术涉及一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，在通常的PECVD镀膜后，将硅烷、氨气关闭，进一步利用氢气进行等离子体沉积。本发明专利技术提供的PECVD工艺形成的减反射膜层中具有高浓度的氢含量，为后续的电注入及光注入钝化工艺提供充分的氢，以达到更好的钝化效果提高太阳能电池的光电转换效率。此工艺在现有工业生产条件下进行改造，简单有效，具有较高的实用价值。
【技术实现步骤摘要】
一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺方法
本专利技术属于太阳能电池的制造领域，特别涉及沉积减反射膜工序中的一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺。
技术介绍
光伏发电作为一种清洁、安全、便利的清洁能源，在可再生能源技术中具有重要地位。我国正大力支持光伏行业的发展，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。目前市场主流的光伏电池为硅基单、多晶太阳能电池，其生产过程中硅体内的部分杂质无法完全去除，如氧、碳、氮等轻元素杂质，铁、钴、镍、铜等过度金属杂质，另外还有各类大量的晶体缺陷，如位错、层错。杂质和缺陷的存在严重降低了少数载流子的寿命，制约了晶硅太阳电池的光电转换效率。目前针对各类杂质及晶体缺陷，在电池端可以通过电注入及光注入向硅体内注入H原子来钝化杂质、缺陷成为主要手段。但由于H的来源主要依靠PECVD镀膜过程中的NH3、SiH4，其含量远不足以钝化大量的杂质和缺陷，因此开发一种能够显著增加太阳电池表面氢原子含量的PECVD工艺，对于提高太阳能电池的转换效率具有重要意义。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术要解决的技术问题是提供一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，使形成的SiN:H减反射薄膜内含有高浓度的氢原子，为电注入、光注入的氢钝化环节提供充分的氢原子，用来对硅片进行杂质和缺陷的钝化。本专利技术通过提供一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺来实现上述目的，其特征在于：通过正常NH3预处理、第一、二层镀膜结束后，再进行H2等离子体沉积。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的NH3预处理是利用通入氨气，经高频电离后对硅片表面进行预处理；其中NH3预清洗参数设置为：沉积温度400-430℃，功率4500-5500W，氨气流量6-7slm，压力1650-1750mTor，占空比4:40ms，清洗时间10-20s。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的第一层镀膜利用设定压力与温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，形成底层氮化硅薄膜；其中，镀膜薄膜参数为：沉积温度430-460℃，功率6500-7100W，氨气流量3.8-4.2slm，硅烷流量1000-1100sccm，压力1500-1700mTor，占空比5:50ms，沉积时间100-140s；要求第一层膜折射率控制在2.25-2.30，膜厚控制在15-20nm。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的第二层镀膜是在第一层膜的基础上，恒定压力和温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，沉积一层非均匀性氮化硅薄膜；其中沉积参数为：沉积温度430-460℃，沉积功率7400-7800W，占空比5:50ms，压力1500-1600mTor，同时在设定的沉积时间内向工艺腔体通入氨气和硅烷。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述第二层镀膜的沉积时间为430-470s，在此沉积时间内氨气流量实现正速率匀速递增，硅烷流量实现负速率匀速递减；其中，氨气初始流量3.5-4.0slm，沉积结束流量6.0-6.5slm；硅烷初始流量900-1000sccm，沉积结束流量700-750sccm。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述第二层镀膜在设定沉积时间内，折射率控制在2.10-2.15，膜层厚度为60-65nm。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的H2等离子体沉积分为四个阶段，具体操作如下：第一阶段：沉积温度为440-500℃，保温时间为50-80s，流量为8-10slm，炉体压力为1650-1750mTor；第二阶段：沉积温度降为240-300℃，保温时间为20-30s，流量为4-6slm，炉体压力为1550-1600mTor；第三阶段：再将沉积温度升至为440-500℃，保温时间为100-150s，流量为6-8slm，炉体压力为1750-1900mTor；第四阶段：结束时沉积温度以5-10℃/s降温，并以流量为1slm的H2持续吹扫直至结束，炉体压力设置为1650-1750mTor。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的H2等离子体沉积时的射频功率为6800-7200W。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的H2等离子体沉积时的脉冲开关比为5:(35-50)。由上述工艺所得的太阳能电池减反射薄膜的厚度为：75-85nm，折射率为：2.10-2.20。本专利技术有益效果在于：1、本专利技术核心在于利用现有管式PECVD机台，在普通镀膜工艺后新增加一步氢气的等离子体沉积步骤，使形成的SiN:H减反射薄膜内含有高浓度的氢原子，为电注入、光注入的氢钝化环节提供充分的氢原子用来对硅片进行杂质和缺陷的钝化；2、本专利技术中所述工艺主要通过分阶段增加氢含量，利用每个阶段的参数来调节电池的体钝化，从而优化和加强其体钝化，该电池制成的电池组件，在后续工作中会具有更高、更稳定的发电量；3、本专利技术在现有工业生产条件下进行改造，易于实现和控制，简单有效，具有较高的实用价值。具体实施方式：实施例1：本专利技术通过提供一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺来实现上述目的，其特征在于：通过正常NH3预处理、第一、二层镀膜结束后，进行H2等离子体沉积。一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的NH3预处理是利用通入氨气，经高频电离后对硅片表面进行预处理；其中NH3预清洗参数设置为：沉积温度400℃，功率4500W，氨气流量7slm，压力1700mTor，占空比4:40ms，清洗时间10s。其所述的第一层镀膜利用设定压力与温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，形成底层氮化硅薄膜；其中，镀膜薄膜参数为：沉积温度445℃，功率7100W，氨气流量3.8slm，硅烷流量1050sccm，压力1700mTor，占空比5:50ms，沉积时间120s；要求第一层膜折射率控制在2.30，膜厚控制在18nm。其所述的第二层镀膜是在步骤一的基础上，恒定压力和温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，沉积一层非均匀性氮化硅薄膜；其中沉积参数为：沉积温度460℃，沉积功率7600W，占空比5:50ms，压力1500mTor，同时在设定的沉积时间内向工艺腔体通入氨气和硅烷。其所述第二层镀膜的沉积时间为430s，在此沉积时间内氨气流量实现正速率匀速递增，硅烷流量实现负速率匀速递减；其中，氨气初始流量4.0slm，沉积结束流量6.0slm；硅烷初始流量950sccm，沉积结束流量750sccm。其所述第二层镀膜在设定沉积时间内，折射率控制在2.12，膜层厚度为60nm。其所述的H2等离子体沉积分为四个阶段，具体操作如下：第一阶段：沉积温度为445℃，保温时间为60s，流量为8slm，炉体压力为1700mTor；第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：通过正常NH3预处理、第一、二层镀膜结束后，进行H2等离子体沉积。
【技术特征摘要】
1.一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：通过正常NH3预处理、第一、二层镀膜结束后，进行H2等离子体沉积。2.根据权利要求1所述的一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的NH3预处理是利用通入氨气，经高频电离后对硅片表面进行预处理；其中NH3预清洗参数设置为：沉积温度400-430℃，功率4500-5500W，氨气流量6-7slm，压力1650-1750mTor，占空比4:40ms，清洗时间10-20s。3.根据权利要求1所述的一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的第一层镀膜利用设定压力与温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，形成底层氮化硅薄膜；其中，镀膜薄膜参数为：沉积温度430-460℃，功率6500-7100W，氨气流量3.8-4.2slm，硅烷流量1000-1100sccm，压力1500-1700mTor，占空比5:50ms，沉积时间100-140s；要求第一层膜折射率控制在2.25-2.30，膜厚控制在15-20nm。4.根据权利要求1所述的一种增强太阳能电池氢钝化能力的富氢PECVD工艺，其特征在于：所述的第二层镀膜是在第一层膜的基础上，恒定压力和温度，通入硅烷（SiH4）和氨气（NH3），经高频电离后在电场的作用下沉积在硅片表面，沉积一层非均匀性氮化硅薄膜；其中沉积参数为：沉积温度430-460℃，沉积功率7400-7800W，占空比5:50ms，压力1500-1600mTor，同时在设定的沉积时间内向工...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆平，邵辉良，邹臻峰，邱江南，陈圆，付少剑，
申请(专利权)人：江西展宇新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36
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