静电防护电路、静电防护模块以及液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:19339663 阅读:61 留言:0更新日期:2018-11-07 13:01
本发明专利技术公开了一种静电防护电路,包括正向放电单元和反向放电单元;所述正向放电单元和所述反向放电单元分别连接在第一电极线和第二电极线之间;第一电极线上的静电电荷通过所述正向放电单元释放到第二电极线上;第二电极线上的静电电荷通过所述反向放电单元释放到第一电极线上。本发明专利技术在设计上增加多个放电回路的方式来分别控制正向静电释放和反向静电释放,以降低累积的静电对静电防护电路的负担。

Electrostatic protection circuit, electrostatic protection module and liquid crystal display device.

The invention discloses an electrostatic protection circuit, comprising a forward discharge unit and a reverse discharge unit, which are respectively connected between the first electrode line and the second electrode line, and the electrostatic charge on the first electrode line is released to the second electrode line through the forward discharge unit. The electrostatic charge on the two electrode line is released to the first electrode line through the reverse discharge unit. The invention adds a plurality of discharge circuits in the design to control forward and reverse electrostatic releases respectively, so as to reduce the burden of accumulated electrostatic on the electrostatic protection circuit.

【技术实现步骤摘要】
静电防护电路、静电防护模块以及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域,尤其涉及一种静电防护电路、静电防护模块及液晶显示装置。
技术介绍
显示器面板在生产制造、运输使用等过程中,会因为各种各样的原因产生静电累积现象,当静电累积到一定程度会在面板上释放,如果没有任何防护措施的话静电释放会击伤显示面板,导致面板显示不良;而静电防护就是采用一些特殊的设计来规避静电释放带来的损伤,常用的面板静电防护方法有:1.通过回路设计分担电荷,避免电荷积累;2.设计静电释放点,使静电在非重要部位释放;3.外部回路设计,主要是防止外部静电引入和进行内部静电疏导。目前面板设计中常用3种用于显示面板的静电防护设计,如图1所示现有技术静电分享电路示意图,将晶体管M1A和晶体管M1B进行栅极G和源极S连接形成二极管,利用两颗晶体管元件进行静电释放,该设计抗静电击穿电压低且回路漏电流高。图2为现有技术浮栅型静电防护电路示意图,是将晶体管M1A的栅极G进行悬空,利用寄生电容耦合感应栅极电压进行电荷分享,称之为浮栅型,但该设计在栅极容易产生电荷残留且电荷释放稳定性差。图3为现有技术尖端型静电释放电路示意图,是利用尖端放电的原理释放静电,但是该设计在静电释放后一般会击伤金属和绝缘层,只能进行一次静电防护。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种静电防护电路、静电防护模块以及液晶显示装置,针对浮栅型静电防护电路进行改进,有效解决单一元件的浮栅静电防护设计在栅极容易产生电荷残留且电荷释放稳定性差的问题。本专利技术提供的技术方案如下:本专利技术公开了一种静电防护电路,位于第一电极线和第二电极线之间,包括正向放电单元和反向放电单元;所述正向放电单元和所述反向放电单元分别连接在第一电极线和第二电极线之间;第一电极线上的静电电荷通过所述正向放电单元释放到第二电极线上;第二电极线上的静电电荷通过所述反向放电单元释放到第一电极线上。进一步地,所述正向放电单元包括第二晶体管、第六晶体管、第四晶体管;第二晶体管的源极连接第一电极线,第二晶体管的栅极和漏极短接并连接第六晶体管的源极,第六晶体管的栅极连接所述反向放电单元,第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极,第四晶体管的栅极和漏极短接并连接至第二电极线;当第二电极线上累积静电电荷时,静电电荷通过第四晶体管、第六晶体管、第二晶体管释放至第一电极线。进一步地,所述反向放电单元包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管;第一晶体管的栅极和源极短接并连接至第一电极线,第一晶体管的漏极连接第三晶体管的源极,第三晶体管的栅极连接所述正向放电单元的第六晶体管的栅极,第三晶体管的漏极连接第五晶体管的栅极和源极,第五晶体管的漏极连接至第二电极线;当第一电极线上累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管释放至第二电极线。本专利技术公开了一种静电防护电路,位于第一电极线和第二电极线之间,包括依序连接的第一放电单元、第二放电单元以及第三放电单元;第一放电单元连接第一电极线,第三放电单元连接第二电极线;第一电极线的静电电荷依序通过第一放电单元、第二放电单元以及第三放电单元释放到第二电极线,第二电极线的静电电荷依序通过第三放电单元、第二放电单元以及第一放电单元释放到第一电极线。进一步地,第一放电单元包括第一晶体管和第二晶体管;第二放电单元包括第三晶体管和第六晶体管;第三放电单元包括第四晶体管和第五晶体管;第一晶体管的源极和栅极短接并连接至第一电极线,第二晶体管的源极连接第一晶体管的栅极,第二晶体管的栅极连接第一晶体管的漏极;第六晶体管的源极连接第二晶体管的漏极,第六晶体管的栅极连接第三晶体管的栅极,第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极;第三晶体管的漏极与第四晶体管的栅极短接并连接至第五晶体管的源极;第四晶体管的漏极连接第五晶体管的栅极;第五晶体管的栅极和漏极短接并连接至第二电极线;当第一电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管释放至第二电极线,同时,静电电荷通过第二晶体管、第六晶体管、第四晶体管释放至第二电极线;当第二电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第五晶体管、第三晶体管、第一晶体管释放至第一电极线,同时,静电电荷通过第四晶体管、第六晶体管、第二晶体管释放至第一电极线。进一步地,第一放电单元包括第一晶体管和第二晶体管;第二放电单元包括第三晶体管和第六晶体管;第三放电单元包括第四晶体管和第五晶体管;第一晶体管的源极和栅极短接并连接至第一电极线,第二晶体管的源极连接第一晶体管的栅极,第二晶体管的栅极与第一晶体管的漏极短接并连接至第三晶体管的源极;第六晶体管的源极连接第二晶体管的漏极,第六晶体管的栅极连接第三晶体管的栅极,第六晶体管和第三晶体管的栅极悬空,且相互之间形成一个电容,分别作为电容的两极;第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极;第三晶体管的漏极与第四晶体管的栅极短接并连接至第五晶体管的源极;第四晶体管的漏极连接第五晶体管的栅极;第五晶体管的栅极和漏极短接并连接至第二电极线;当第一电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管释放至第二电极线,同时,静电电荷通过第二晶体管、第六晶体管、第四晶体管释放至第二电极线;当第二电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第五晶体管、第三晶体管、第一晶体管释放至第一电极线,同时,静电电荷通过第四晶体管、第六晶体管、第二晶体管释放至第一电极线。进一步地,第一放电单元包括第一晶体管和第二晶体管;第二放电单元包括第六晶体管;第三放电单元包括第四晶体管和第五晶体管;第一晶体管的源极和栅极短接并连接至第一电极线,第二晶体管的源极连接第一晶体管的栅极,第二晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接;第六晶体管的源极连接第二晶体管的漏极,第六晶体管的栅极悬空,第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极;第四晶体管的栅极连接第五晶体管的源极,第四晶体管的漏极与第五晶体管的栅极短接并连接至第二电极线;第五晶体管的漏极连接第二电极线;当第一电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第二晶体管、第六晶体管、第四晶体管释放至第二电极线;当第二电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第五晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第二晶体管释放至第一电极线。本专利技术还公开一种静电防护模块,包括多个所述静电防护电路串联而成。本专利技术还公开一种液晶显示装置,包括上述静电防护模块。与现有技术相比,本专利技术通过浮栅型晶体管与二极管型晶体管组合的方式增强静电防护电路的防护能力,同时降低静电防护回路漏电流对正常显示的影响,以及增加多个放电回路来分别控制正向静电释放和反向静电释放,以降低累积的静电对静电防护电路的负担。附图说明下面将以明确易懂的方式,结合附图说明优选实施方式,对本专利技术予以进一步说明。图1为现有技术静电分享电路示意图;图2为现有技术浮栅型静电防护电路示意图;图3为现有技术尖端型静电释放电路示意图;图4为本专利技术一种静电防护电路的实施例一的电路示意图;图5为本专利技术一种静电防护电路实施例二的电路示意图;图6为本专利技术一种静电防护电路实施例三的电路示意图;图7本专利技术一种静电防护电路实施例四的电路示意图;图8为本专利技术液晶显示装置中静电防护电路设计示意图。附图标号说明:M1、第一晶体管,M2、第二晶体管,M3、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电防护电路,位于第一电极线和第二电极线之间,其特征在于,包括正向放电单元和反向放电单元;所述正向放电单元和所述反向放电单元分别连接在第一电极线和第二电极线之间;第一电极线上的静电电荷通过所述正向放电单元释放到第二电极线上;第二电极线上的静电电荷通过所述反向放电单元释放到第一电极线上。

【技术特征摘要】
1.一种静电防护电路,位于第一电极线和第二电极线之间,其特征在于,包括正向放电单元和反向放电单元;所述正向放电单元和所述反向放电单元分别连接在第一电极线和第二电极线之间;第一电极线上的静电电荷通过所述正向放电单元释放到第二电极线上;第二电极线上的静电电荷通过所述反向放电单元释放到第一电极线上。2.如权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述正向放电单元包括第二晶体管、第六晶体管和第四晶体管;第二晶体管的源极连接第一电极线,第二晶体管的栅极和第二晶体管的漏极短接并连接第六晶体管的源极,第六晶体管的栅极连接所述反向放电单元,第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极,第四晶体管的栅极和第四晶体管的漏极短接并连接至第二电极线;当第二电极线上累积静电电荷时,静电电荷通过第四晶体管、第六晶体管和第二晶体管释放至第一电极线。3.如权利要求2所述的静电防护电路,其特征在于,所述反向放电单元包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管;第一晶体管的栅极和第一晶体管的源极短接并连接至第一电极线,第一晶体管的漏极连接第三晶体管的源极,第三晶体管的栅极连接所述正向放电单元的第六晶体管的栅极,第三晶体管的漏极连接第五晶体管的栅极和第五晶体管的源极,第五晶体管的漏极连接至第二电极线;当第一电极线上累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管释放至第二电极线。4.一种静电防护电路,位于第一电极线和第二电极线之间,其特征在于,包括依序连接的第一放电单元、第二放电单元以及第三放电单元;第一放电单元连接第一电极线,第三放电单元连接第二电极线;第一电极线的静电电荷依序通过第一放电单元、第二放电单元以及第三放电单元释放到第二电极线,第二电极线的静电电荷依序通过第三放电单元、第二放电单元以及第一放电单元释放到第一电极线。5.如权利要求4所述的静电防护电路,其特征在于,第一放电单元包括第一晶体管和第二晶体管;第二放电单元包括第三晶体管和第六晶体管;第三放电单元包括第四晶体管和第五晶体管;第一晶体管的源极和栅极短接并连接至第一电极线,第二晶体管的源极连接第一晶体管的栅极,第二晶体管的栅极连接第一晶体管的漏极;第六晶体管的源极连接第二晶体管的漏极,第六晶体管的栅极连接第三晶体管的栅极,第六晶体管的漏极连接第四晶体管的源极;第三晶体管的漏极与第四晶体管的栅极短接并连接至第五晶体管的源极;第四晶体管的漏极连接第五晶体管的栅极;第五晶体管的栅极和第五晶体管的漏极短接并连接至第二电极线;当第一电极线累积静电电荷时,静电电荷通过第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管释放至第...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴超陈旭赵文达王志军
申请(专利权)人:南京中电熊猫平板显示科技有限公司南京中电熊猫液晶显示科技有限公司南京华东电子信息科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1