The invention provides a semiconductor structure and a forming method thereof. The forming method includes: providing a substrate on which an interlayer dielectric layer is formed; forming a groove in the interlayer dielectric layer; forming a first metal seed layer on the side wall and bottom of the groove; and refluxing the first metal seed layer. The first metal seed layer after reflux treatment is electroplated to form a metal layer filled with the groove. The electrical properties of the semiconductor structure formed by the invention are improved.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与衬底的导通是通过互连结构实现的。随着技术节点的推进，互连结构的尺寸也变得越来越小；相应的，形成互连结构的工艺难度也越来越大，而互连结构的形成质量对后段(BackEndOfLine，BEOL)电路的性能影响很大，严重时会影响半导体结构的正常工作。现有互连结构的形成工艺技术已经不能满足半导体制造的要求，现有技术形成的半导体结构的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部上...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部上形成第一金属籽晶层；对所述第一金属籽晶层进行回流处理；对经过回流处理后的第一金属籽晶层进行电化学镀处理，形成填充满所述沟槽的金属层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部上形成第一金属籽晶层；对所述第一金属籽晶层进行回流处理；对经过回流处理后的第一金属籽晶层进行电化学镀处理，形成填充满所述沟槽的金属层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属籽晶层的工艺为选择性的物理气相沉积工艺。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性的物理气相沉积工艺的步骤包括：在所述基底的底部加负偏压，同时通入金属离子进行沉积，并通入惰性气体离子进行轰击。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性的物理气相沉积的工艺参数包括：通入Ar离子，所述Ar离子的气体流量为20sccm至100sccm，交流电功率为1kw至3kw，负偏压功率为0.4kw至1kw。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属籽晶层的厚度在100埃至1000埃范围内。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属籽晶层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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