一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物及其在高频电路板中的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物，所述树脂组合物包括：由线性乙烯基有机硅树脂、环形乙烯基有机硅树脂、三维无规网状结构MQ乙烯基有机硅树脂中的任意一种或至少两种组合而成的乙烯基有机硅树脂；乙烯基改性聚苯醚树脂；以及自由基引发剂；本发明专利技术还提供了采用如上所述树脂组合物制备的高频电路基板及其应用。本发明专利技术所述高频电路基板具有低介质常数、低介质损耗、低吸水率，且层间粘合力能够满足覆铜板层间粘合力的要求，同时能够实现无卤无磷V‑0级阻燃。

【技术实现步骤摘要】
一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物及其在高频电路板中的应用
本专利技术涉及一种乙烯基有机硅树脂的组合物，具体地，本专利技术涉及一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物及其在高频电路基板中的应用。
技术介绍
近年来，随着无线通讯技术、电子产品的迅速发展，电子电路步入信息处理高速化、信号传输高频化阶段，然而当频率大于300MHz，甚至达到GHz以上时，基板的电性能将严重影响电子电路的特征，因而对基板性能提出更高的要求。就介质常数性能而言，在高频电路中，信号的传输速率与绝缘材料介质常数Dk的关系为：绝缘材料介质常数Dk越低，信号传输速率越快。因此要实现信号传输速率的高速化，必须开发低介质常数的基板。随着信号频率的高速化，基板中信号的损耗不能再忽略不计。信号损耗与频率、介质常数Dk、介质损耗Df的关系为：基板介质常数Dk越小、介质损耗Df越小，信号损失就越小。因此开发具有低的介质常数Dk及低的介质损耗Df的高频电路基板，成为CCL厂家共同关注的研发方向。目前，高频电子电路基材采用的烯烃树脂主要为聚丁二烯树脂、丁苯共聚物等。采用该树脂体系，所制备的基材虽然介质常数和介质损耗低，但这类树脂在热氧环境中热分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物，其特征在于，包括：(1)乙烯基有机硅树脂；该乙烯基有机硅树脂为线性乙烯基有机硅树脂、环形乙烯基有机硅树脂、三维无规网状结构MQ乙烯基有机硅树脂中的任意一种或至少两种的混合物；(2)乙烯基改性聚苯醚树脂；(3)自由基引发剂；以乙烯基有机硅树脂的重量为100份计，乙烯基改性聚苯醚树脂的重量为10～30份。

【技术特征摘要】
1.一种热固性乙烯基有机硅树脂组合物，其特征在于，包括：(1)乙烯基有机硅树脂；该乙烯基有机硅树脂为线性乙烯基有机硅树脂、环形乙烯基有机硅树脂、三维无规网状结构MQ乙烯基有机硅树脂中的任意一种或至少两种的混合物；(2)乙烯基改性聚苯醚树脂；(3)自由基引发剂；以乙烯基有机硅树脂的重量为100份计，乙烯基改性聚苯醚树脂的重量为10～30份。2.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，所述线性乙烯基有机硅树脂的结构为：其中，R1、R2、R3三者至少有一个为取代或未取代的C2～C10含C＝C的基团；其余两者均独立地选自取代或未取代的C1～C8直链烷基、取代或未取代的C1～C8支链烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的C2～C10含C＝C的基团中的任意一种，且5≤m≤100，m为自然数；优选地，所述环形乙烯基有机硅树脂的结构为：其中，R4选自取代或未取代的C1～C12直链烷基或取代或未取代的C1～C12支链烷基；2≤n≤10，n为自然数；优选地，所述三维无规网状结构MQ乙烯基有机硅树脂的结构为：(R5R6R7SiO1/2)x(SiO4/2)y其中，3≤x≤100，6≤y≤100，9≤x+y≤200，且0.1≤x/y≤4；R5、R6、R7三者至少有一个为含不饱和双键的基团，其余两者均独立地选自取代或未取代的C1～C8直链烷基、取代或未取代的C1～C8支链烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的含C＝C的基团中的任意一种。3.如权利要求1或2所述的树脂组合物，其特征在于，所述乙烯基改性聚苯醚树脂具有如下结构：其中，1≤e≤100，1≤f≤100，2≤e+f≤100；并且M选自：其中，N选自-O-、-CO-、-SO-、-SC-、-SO2-、-C(CH3)2-中的任意一种或至少两种的组合；R8、R10、R12、R14、R17、R19、R21和R23均独立地选自取代或未取代的C1～C8直链烷基、取代或未取代的C1～C8支链烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种或至少两种的组合；R9、R11、R13、R15、R18、R20、R22和R24均独立地选自氢原子、取代或未取代的C1～C8直链烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈广兵，曾宪平，
申请(专利权)人：广东生益科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44