一种AlGaN基深紫外LED外延结构制造技术

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区包括若干AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层；所述AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层相互交替，其中x,y均为固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区发光波长为280nm～350nm。所述P型AlGaN层包括若干Al组分逐渐增加的组分渐增层和Al组分逐渐减少的组分渐减层；所述组分渐增层的能带结构为线性递增，所述组分渐减层的能带结构为线性递减；所述组分渐增层和组分渐减层每层的厚度为10～30nm；所述组分渐增层和组分渐减层相互交替，以一层组分渐增层和一层组分渐减层为一个叠加周期，叠加周期为8～12；且组分渐增层和组分渐减层的Al组分变化范围为0.40～0.65。

【技术实现步骤摘要】
一种AlGaN基深紫外LED外延结构
本技术涉及LED
，尤其涉及一种AlGaN基深紫外LED外延结构。
技术介绍
紫外LED可以用在生化探测、杀菌消毒、固化和照明等诸多领域，广泛的用途使其具有巨大的市场前景。另外，紫外LED相比传统的紫外光源具有节能，寿命长，不含有毒物质等优势，能使LED的应用领域得到进一步的拓展。近年来，AlGaN基深紫外LED得到了快速的发展,但是由于高Al组分的AlGaN材料外延生长P型掺杂困难及其很强的极化效应，导致P区掺杂困难，LED内量子效率不高。另外，由于传统的AlGaN基深紫外LED的P型接触层对深紫外光有强烈的吸收作用，导致深紫外LED的发光效率降低。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出了一种AlGaN基深紫外LED外延结构，具体方案如下：所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区包括若干AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层；所述AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层相互交替，其中x,y均为固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区发光波长为280nm～350nm。所述P型AlGaN层包括若干Al组分逐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlGaN基深紫外LED外延结构，其特征在于，由下往上依次包括：衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN接触层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区和P型AlGaN层；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区包括若干AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层；所述AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层相互交替，其中x,y均为固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区发光波长为280nm～350nm所述P型AlGaN层包括若干Al组分逐渐增加的组分渐增层和Al组分逐渐减少的组分渐减层；所述组分渐增层的能带结构为线性递增，所述组分渐减层的能带结构为线性递减；...

【技术特征摘要】
1.一种AlGaN基深紫外LED外延结构，其特征在于，由下往上依次包括：衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN接触层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区和P型AlGaN层；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区包括若干AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层；所述AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层相互交替，其中x,y均为固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区发光波长为280nm～350nm所述P型AlGaN层包括若干Al组分逐渐增加的组分渐增层和Al组分逐渐减少的组分渐减层；所述组分渐增层的能带结构为线性递增，所述组分渐减层的能带结构为线性递减；所述组分渐增层和组分渐减层每层的厚度为10～30nm；所述组分渐增层和组分渐减层相互交替，以一层组分渐增层和一层组分渐减层为一个叠加周期，叠加周期为8～12；且组分渐增层和组分渐减层的Al组分变化范围为0.40～0.65。2.根据权利要求1所述的一种AlGaN基深紫外LED外延结构，其特征在于：所述组分渐增层和组分渐减层每层的厚度为20nm，组分渐...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹以安，王山林，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：新型
国别省市：广东,44