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所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区包括若干AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层；所述AlxGa1‑xN量子阱层和AlyGa1‑yN量子垒层相互交替，其中x,y均为固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源区发光波...
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