【技术实现步骤摘要】
一种抗SEU加固的存储结构
本专利技术涉及一种抗SEU加固的存储结构，属于锁存器抗单粒子翻转(SEU)加固设计
技术介绍
航天器运行所处的外太空，存在着极为恶劣的辐射环境。芯片受到太空中辐射环境的影响，极易产生单粒子效应造成芯片存储器（如锁存器等）的数据发生翻转，这种错误被称为单粒子翻转（SEU）。随着现代生产工艺的持续向前的发展，辐射环境对于深亚微米，纳米工艺尺寸的存储单元电路的影响越来越大，导致电路对单粒子效应越来越敏感。传统存储单元的基本结构为一对背靠背的反相器，通过正向反馈相互连接，具有两个互补的存储节点A和A’。假设节点A逻辑电平为0，则A’逻辑电平为1。如果节点A’受到打击翻转成0，则节点A有可能因此翻转成1，从而A和A’两个节点的逻辑电平值发生错误。随着我国航空航天的快速发展，对高稳定性、能够抗辐照的芯片提出了迫切的技术需求。不仅如此，商用产品在地面关键应用中对抗单粒子效应的性能也提出了更高的指标要求。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提出一种抗SEU加固的存储结构，基于Quatro结构，将两个关断的晶体管（即电阻）放置在Qua...
【技术保护点】
1.一种抗SEU加固的存储结构，其特征在于，包括第一支路、第二支路、第三支路、第四支路、存储节点D、存储节点A、存储节点B、存储节点C、翻转参考节点AU、翻转参考节点BU，所述第一支路包括PMOS管P1和NMOS管N1，所述PMOS管P1的源极与电源相连， 所述PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的漏极于存储节点D， 所述NMOS管N1的源极接地，所述PMOS管P1的栅极与存储节点C相连， 所述NMOS管N1的栅极与存储节点A相连接；所述第二支路包括PMOS管P2、NMOS管N5、NMOS管N2，所述PMOS管P2的源极与电源相连接，PMOS管P2的漏极连接NMOS管N5...
【技术特征摘要】
1.一种抗SEU加固的存储结构，其特征在于，包括第一支路、第二支路、第三支路、第四支路、存储节点D、存储节点A、存储节点B、存储节点C、翻转参考节点AU、翻转参考节点BU，所述第一支路包括PMOS管P1和NMOS管N1，所述PMOS管P1的源极与电源相连，所述PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的漏极于存储节点D，所述NMOS管N1的源极接地，所述PMOS管P1的栅极与存储节点C相连，所述NMOS管N1的栅极与存储节点A相连接；所述第二支路包括PMOS管P2、NMOS管N5、NMOS管N2，所述PMOS管P2的源极与电源相连接，PMOS管P2的漏极连接NMOS管N5的源极于翻转参考节点AU，NMOS管N5的漏极与NMOS管N2的漏极相连于存储节点A，NMOS管N2的源极接地，所述PMOS管P2的栅极与存...
【专利技术属性】
技术研发人员：王海滨，王杨圣，戴茜茜，孙洪文，华迪，李磊，戴卫力，
申请(专利权)人：河海大学常州校区，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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