The invention discloses a regeneration method for stainless steel parts in the Endura IMP process of semiconductor 8-inch crystal, which comprises the following steps: (1) under normal pressure, pure water or ultra-pure water flows into a high-pressure water pump, the high-pressure water pump connects a nozzle, and the water sprays everywhere on the surface of stainless steel parts through the nozzle; (2) the stainless steel parts are under normal pressure. After natural drying, it is placed and fixed on the turntable, and the turntable drives the stainless steel parts to rotate; (3) The liquid nitrogen spraying device is used, which has spray nozzle and valve, and the spraying nozzle is aimed at the side of the stainless steel parts. 0.3m
【技术实现步骤摘要】
半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法
本专利技术属于光电清洗
,尤其是半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法。
技术介绍
半导体
使用的零部件,往往对清洁度的要求较高,微小的杂质都会影响半导体的性能。作为可以耐久使用的非消耗核心零部件,不可能在其还能使用的时候就更换,成本太高,而是用清洗、清洁技术来实现半导体零部件的再生,再生的零部件可以重复投入使用,性能上基本没有影响。传统的清洗是有机化学溶剂或试剂,对有机残留进行溶解后处理;或者采用辅助的的高压水喷砂清洗等。但前者会对环境造成污染,后者会损坏零部件本身表面涂层。因此,开发一种无污染、且清洗效果好的光电零部件再生方法势在必行。HJTCEnduraIMP工艺是和舰科技开发的一种半导体薄膜制程工艺,其适用的零部件有不锈钢材质的底座、卡箍、罩体等。不锈钢广泛用于光电核心零部件的承载、套接和保护结构件。针对不锈钢材质零部件,本专利技术基于热胀冷缩原理,使零部件表面的杂质脱落后去除,全程采用清洁的介质,无污染和化学残留,再生效果极佳。
技术实现思路
专利技术目的:为了使不锈钢材料的光电零部件实现清洁后再生使用,本专利技术开发了一种半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法,利用热胀冷缩使零部件表面的杂质脱落,以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
:半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法,包括以下步骤:(1)、常压下,纯水或超纯水通入高压水泵,高压水泵连接喷嘴,水通过喷嘴往不锈钢零部件表面各处喷射,形成的喷射水流与 ...
【技术保护点】
1. 半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、常压下,纯水或超纯水通入高压水泵,高压水泵连接喷嘴,水通过喷嘴往不锈钢零部件表面各处喷射,形成的喷射水流与不锈钢零部件表面形成斜角,水压范围185~215bar;(2)、不锈钢零部件在常压下自然干燥后,放置并固定于于转盘上,旋转转盘带动不锈钢零部件旋转;(3)、使用液氮喷射装置,其具有喷射口、阀门,喷射口对准不锈钢零部件一侧,待转动稳定后,开始喷射液氮,调节阀门,使喷射液氮的流量在0.08‑0.3m3/s;(4)、喷射后维持转盘旋转5‑10min停止,再自然回温至室温,待用。
【技术特征摘要】
1.半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、常压下,纯水或超纯水通入高压水泵,高压水泵连接喷嘴,水通过喷嘴往不锈钢零部件表面各处喷射,形成的喷射水流与不锈钢零部件表面形成斜角,水压范围185~215bar;(2)、不锈钢零部件在常压下自然干燥后,放置并固定于于转盘上,旋转转盘带动不锈钢零部件旋转;(3)、使用液氮喷射装置,其具有喷射口、阀门,喷射口对准不锈钢零部件一侧,待转动稳定后,开始喷射液氮,调节阀门,使喷射液氮的流量在0.08-0.3m3/s;(4)、喷射后维持转盘旋转5-10min停止,再自然回温至室温,待用。2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法,其特征在于,步骤(1)中,喷射水流的处理时间为12-26min。3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元制造EnduraIMP工艺的不锈钢零部件再生方法,其特征在于,步骤(3)中,液氮喷射的处...
【专利技术属性】
技术研发人员:范银波,
申请(专利权)人:苏州珮凯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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