薄膜晶体管基板和显示面板制造技术

阵列基板(11b)具备：栅极配线(19)；TFT(17)，其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c)，栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分，沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24)，源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧，漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧，且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24)；像素电极(18)，其连接到漏极部(17c)；像素PX，其具有TFT(17)和像素电极(18)；以及第2层间绝缘膜(27)，其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管基板和显示面板
本专利技术涉及薄膜晶体管基板和显示面板。
技术介绍
以往，作为液晶显示装置的一例，已知下述专利文献1记载的液晶显示装置。在专利文献1记载的液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板中，源极部由设置于栅极绝缘膜和氧化物半导体膜的上层的源极金属形成，漏极部包括氧化物半导体膜中的低电阻化区域，该低电阻化区域是将包含与栅极区域侧相反的一侧的表面的氧化物半导体膜的一部分低电阻化而成的。现有技术文献专利文献专利文献1：特许第5330603号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述专利文献1记载的液晶显示装置中，栅极电极包括将栅极配线扩宽的部分，并且该栅极电极配置为与用于将像素电极连接到漏极部的接触孔重叠。因此，即使由氧化物半导体膜的低电阻化区域构成了漏极部，由于存在栅极电极所致的遮光区域，所以开口率也不会提高，成为了在实现高清化上的制约。本专利技术是鉴于上述这种情况而完成的，其目的在于提高开口率。用于解决问题的方案本专利技术的薄膜晶体管基板具备：栅极配线；薄膜晶体管，其至少具有栅极电极、沟道部、源极部及漏极部，上述栅极电极包括上述栅极配线的一部分，上述沟道部包括氧化物半导体膜，且以至少一部分与上述栅极电极重叠的形式配置，上述源极部连接到上述沟道部的一端侧，上述漏极部连接到上述沟道部的另一端侧，且包括与上述沟道部相比电阻较低的上述氧化物半导体膜；像素电极，其至少一部分与上述漏极部重叠，连接到上述漏极部；像素，其至少具有上述薄膜晶体管和上述像素电极；以及绝缘膜，其以介于上述像素电极与上述漏极部之间的形式配置，并且在与上述像素电极和上述漏极部重叠且不与上述栅极电极重叠的位置形成有开口部。这样，在薄膜晶体管中，当对栅极配线及包括其一部分的栅极电极供应扫描信号时，电荷会经由沟道部从源极部向漏极部移动。由于漏极部通过形成于绝缘膜的开口部连接到像素电极，因此移动到漏极部的电荷会向像素电极移动，从而像素电极被充电。薄膜晶体管的漏极部包括与沟道部相比电阻较低的氧化物半导体膜，因此若与漏极部包括具有遮光性的导电材料的情况相比，像素中的光的透射光量增加，像素的开口率高。并且，绝缘膜为在不与栅极电极重叠的位置形成有开口部的构成，因此若与如以往那样采用开口部与栅极电极重叠的配置的情况相比，栅极配线和开口部的配置的自由度变高，因而在实现像素的开口率的提高上是更优选的。作为本专利技术的薄膜晶体管基板的实施方式，优选下面的构成。(1)排列配置有多个上述像素，具备介于相邻的上述像素之间的遮光区域，上述栅极配线以与上述遮光区域重叠的形式配置。这样，多个像素由于遮光区域介于相邻的像素之间，所以各自能进行独立的显示。至少一部分成为薄膜晶体管的栅极电极的栅极配线为与遮光区域重叠的配置，因此若与栅极配线为不与遮光区域重叠的配置的情况相比，像素的开口率提高，在实现高清化上是优选的。(2)具备下层侧绝缘膜，上述下层侧绝缘膜配置于上述绝缘膜的下层侧，具有至少与上述漏极部的整个区域重叠的范围的下层侧开口部。这样，配置于绝缘膜的下层侧的下层侧绝缘膜具有至少与漏极部的整个区域重叠的范围的下层侧开口部，所以制造时氧化物半导体膜通过下层侧绝缘膜的下层侧开口部而局部被低电阻化，从而构成漏极部。(3)上述绝缘膜包括含有氢的材料。这样，绝缘膜的材料中含有的氢会向氧化物半导体膜中的面对下层侧绝缘膜的下层侧开口部的部分扩散，该部分被低电阻化而成为漏极部。(4)以至少沿着上述栅极配线的延伸方向排列的形式具备多个上述像素，上述绝缘膜和上述下层侧绝缘膜以上述开口部和上述下层侧开口部均在上述延伸方向上比上述像素的排列间距小且相互局部地重叠的方式形成。若采用下层侧开口部的整个区域与在栅极配线的延伸方向上比像素的排列间距小的开口部重叠的配置构成，则会由于要在开口部的开口边缘与下层侧开口部的开口边缘之间确保间隔，而致使像素的配置空间有可能变大。关于这一点，根据如上所述在栅极配线的延伸方向上均比像素的排列间距小的开口部与下层侧开口部局部地重叠的构成，无需严格地设计开口部的开口边缘与下层侧开口部的开口边缘的位置关系，因此能缩窄像素的排列间距，因而在实现高清化上是优选的。(5)以至少沿着上述栅极配线的延伸方向排列的形式具备多个上述像素，上述下层侧绝缘膜的上述下层侧开口部以在横跨上述延伸方向上相邻的上述像素之间的范围内延伸的方式形成。这样，不管开口部在栅极配线的延伸方向上的位置如何，下层侧开口部均会成为与开口部重叠的位置关系。即，无需严格地设计下层侧开口部与开口部在栅极配线的延伸方向上的位置关系，因此能缩窄像素的排列间距，因而在实现高清化上是优选的。另外，在制造时，氧化物半导体膜会通过下层侧绝缘膜的下层侧开口部在更大的范围内被低电阻化而构成漏极部，因此漏极部的电阻值小。(6)以至少沿着上述栅极配线的延伸方向排列的形式具备多个上述像素，上述绝缘膜的上述开口部以在横跨上述延伸方向上相邻的上述像素之间的范围内延伸的方式形成。这样，不管下层侧开口部在栅极配线的延伸方向上的位置如何，开口部均会成为与下层侧开口部重叠的位置关系。即，无需严格地设计下层侧开口部与开口部在栅极配线的延伸方向上的位置关系，因此能缩窄像素的排列间距，因而在实现高清化上是优选的。而且，若与使下层侧开口部在横跨栅极配线的延伸方向上相邻的像素之间的范围内延伸的情况相比，在与栅极配线的延伸方向正交的方向上开口部的形成范围变窄，因此针对制造时可能在开口部的形成范围内产生的膜残留的管理变得容易，在制造上是有利的。(7)上述薄膜晶体管为上述源极部、上述沟道部及上述漏极部的排列方向与上述沟道部及上述漏极部的各延伸方向并行的构成。这样，在缩窄栅极配线的延伸方向上的薄膜晶体管的配置空间方面是优选的。由此，能缩窄像素的排列间距，在实现高清化上是更优选的。其次，为了解决上述问题，本专利技术的显示面板具备：上述记载的薄膜晶体管基板；以及被贴合于上述薄膜晶体管基板的相对基板。根据这种构成的显示面板，实现了薄膜晶体管基板的像素的开口率的提高，因此在实现高清化等上是优选的。作为本专利技术的显示面板的实施方式，优选下面的构成。(1)具备液晶层，上述液晶层被夹持在上述薄膜晶体管基板与上述相对基板之间，包括相对于上述薄膜晶体管基板和上述相对基板的表面垂直取向的液晶材料。在薄膜晶体管基板所具备的绝缘膜中开口形成的开口部为不与栅极电极重叠的配置，因此，例如若将开口部配置于像素的中央附近，则能利用该开口部使构成液晶层的液晶材料按辐射状取向。因而，若与除开口部以外另外设置用于控制液晶材料的取向状态的凸部或凹部的情况相比，由于不需要配置凸部或凹部的空间而能相应地缩窄像素的排列间距，由此能实现进一步的高清化。专利技术效果根据本专利技术，能提高开口率。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1的安装了驱动器的液晶面板和柔性基板以及控制电路基板的连接构成的概略俯视图。图2是表示液晶显示装置的沿着长边方向的截面构成的概略截面图。图3是表示液晶面板的显示区域的截面构成的概略截面图。图4是概略性地表示构成液晶面板的阵列基板的显示区域的平面构成的俯视图。图5是表示构成液晶面板的CF基板的显示区域的平面构成的放大俯视图。图6是图4的A-A线截面图。图7是图4的B-B线截面图。图8是表示在阵列基板的制造过程中形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：栅极配线；薄膜晶体管，其至少具有栅极电极、沟道部、源极部及漏极部，上述栅极电极包括上述栅极配线的一部分，上述沟道部包括氧化物半导体膜，且以至少一部分与上述栅极电极重叠的形式配置，上述源极部连接到上述沟道部的一端侧，上述漏极部连接到上述沟道部的另一端侧，且包括与上述沟道部相比电阻较低的上述氧化物半导体膜；像素电极，其至少一部分与上述漏极部重叠，连接到上述漏极部；像素，其至少具有上述薄膜晶体管和上述像素电极；以及绝缘膜，其以介于上述像素电极与上述漏极部之间的形式配置，并且在与上述像素电极和上述漏极部重叠且不与上述栅极电极重叠的位置形成有开口部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.24 JP 2016-0328861.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：栅极配线；薄膜晶体管，其至少具有栅极电极、沟道部、源极部及漏极部，上述栅极电极包括上述栅极配线的一部分，上述沟道部包括氧化物半导体膜，且以至少一部分与上述栅极电极重叠的形式配置，上述源极部连接到上述沟道部的一端侧，上述漏极部连接到上述沟道部的另一端侧，且包括与上述沟道部相比电阻较低的上述氧化物半导体膜；像素电极，其至少一部分与上述漏极部重叠，连接到上述漏极部；像素，其至少具有上述薄膜晶体管和上述像素电极；以及绝缘膜，其以介于上述像素电极与上述漏极部之间的形式配置，并且在与上述像素电极和上述漏极部重叠且不与上述栅极电极重叠的位置形成有开口部。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，排列配置有多个上述像素，具备介于相邻的上述像素之间的遮光区域，上述栅极配线以与上述遮光区域重叠的形式配置。3.根据权利要求1或权利要求2所述的薄膜晶体管基板，具备下层侧绝缘膜，上述下层侧绝缘膜配置于上述绝缘膜的下层侧，具有至少与上述漏极部的整个区域重叠的范围的下层侧开口部。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，上述绝缘膜包括含有氢的材料。5.根据权利要求3或权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田诚一，冈田训明，上田直树，佐佐木贵启，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP