薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，由于栅电极具有底部以及由底部的边缘向面向有源层方向延伸的侧壁，栅电极的底部在衬底基板的正投影覆盖有源层在衬底基板的正投影，且栅电极的侧壁作为有源层的侧面的遮光层。即利用栅电极的底部帮有源层阻挡来自下方的光，利用栅电极的侧壁帮有源层阻挡横向方向射来的光，避免有源层的侧面受光照射，从而可以整体降低光对有源层的照射，保证薄膜晶体管的器件特性的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及半导体
，尤指一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着平板显示行业的发展，对显示装置的要求越来越高，其中对面板中薄膜晶体管的迁移率也提出了更高的要求。目前，现有的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)一般为非晶硅薄膜晶体管，非晶硅薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为非晶硅材料，非晶硅薄膜晶体管的载流子的迁移率较低，其电子迁移率为0.1-1cm2V-1s-1，不能适应目前显示行业的发展。因此开发了低温多晶硅(LTPS，LowTemperaturePolySilicon)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管。LTPS薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅材料，低温多晶硅是指在较低温度下将非晶硅转变为多晶硅，LTPS薄膜晶体管其载流子迁移率很高约为100-500cm2V-1s-1，但是其均匀性问题很难解决，因而在面向大尺寸面板的应用时，出现了很难克服的障碍。氧化物薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体材料，氧化物薄膜晶体管在保证较好的大尺寸均匀性的前提下，可以做到其载流子迁移率为10cm2V-1s-1。因此，氧化物薄膜晶体管由于迁移率高、均一性好、透明以及制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸显示面板的需求，而备受人们的关注。但是氧化物薄膜晶体管其器件特性容易受光照影响，一般光包括外界的自然光和显示器自身发出的光。通常氧化物薄膜晶体管在光照之后阈值电压会向负向偏移，特别是在OLED显示器中阈值电压的偏移会造成显示品质的下降以及显示的亮度的不稳定。专利
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中存在的光照对薄膜晶体管的影响。本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上栅电极，栅极绝缘层，有源层和源漏电极；所述栅电极具有底部以及由所述底部的边缘向面向所述有源层方向延伸的侧壁，所述栅电极的底部在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述栅电极的侧壁作为所述有源层的侧面的遮光层。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极的侧壁相对所述栅电极的底部的高度大于或等于所述有源层的上表面相对所述栅电极的底部的高度。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极的侧壁包围对应的所述有源层。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极面向所述有源层一侧设置有凹槽，所述凹槽的底部构成所述栅电极的底部，所述凹槽的侧壁构成所述栅电极的侧壁。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，，所述衬底基板面向所述栅电极一侧设置有凹槽，所述栅电极的底部覆盖所述凹槽的底部，所述栅电极的侧壁贴覆于所述凹槽的侧壁上。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，还包括位于所述源漏电极上方的钝化层；和/或位于所述有源层与所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层；所述源漏电极通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。较佳地，为了阻挡来自有源层上方的光，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，还包括位于所述钝化层上方的滤光层；所述滤光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，所述滤光层为红色滤光层。较佳地，在本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，所述有源层的材料为氧化物半导体材料。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种薄膜晶体管。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在所述衬底基板上形成栅电极的图形；其中，所述栅电极具有底部以及由所述底部的边缘向面向所述有源层方向延伸的侧壁；形成覆盖所述栅电极的图形的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层的图形；其中，所述栅电极的底部在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述栅电极的侧壁作为所述有源层的侧面的遮光层；在所述有源层上方形成源漏电极的图形。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在所述衬底基板上形成栅电极的图形具体包括：在衬底基板上形成栅电极薄膜；对所述栅电极薄膜进行构图形成栅电极的图形；其中所述栅电极中设置有凹槽，且所述凹槽的底部构成所述栅电极的底部，所述凹槽的侧壁构成所述栅电极的侧壁。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述栅电极薄膜进行构图，通过一次构图工艺形成所述栅电极的图形。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在所述衬底基板上形成栅电极的图形具体包括：在所述衬底基板中形成凹槽；在形成有所述凹槽的衬底基板上形成栅电极薄膜，且所述栅电极薄膜的厚度小于所述凹槽的厚度；对所述栅电极薄膜进行构图，至少保留覆盖所述凹槽底部和贴覆于所述凹槽侧壁的栅电极薄膜，形成所述栅电极的图形，其中所述栅电极的底部覆盖所述凹槽的底部，所述栅电极的侧壁贴覆于所述凹槽的侧壁上。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，由于栅电极具有底部以及由底部的边缘向面向有源层方向延伸的侧壁，栅电极的底部在衬底基板的正投影覆盖有源层在衬底基板的正投影，且栅电极的侧壁作为有源层的侧面的遮光层。即利用栅电极的的底部帮有源层阻挡来自下方的光，利用栅电极的侧壁帮有源层阻挡横向方向射来的光，避免有源层的侧面受光照射，从而可以整体降低光对有源层的照射，保证薄膜晶体管的器件特性的稳定性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图；图6a至图6d为本专利技术实施例提供的一种制备方法中形成栅电极的图形的过程中执行各步骤后的结构示意；图7a至图7c为本专利技术实施例提供的另一种制备方法中形成栅电极的图形的过程中执行各步骤后的结构示意。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各膜层厚度和形状不反映薄膜晶体管的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管，如图1和图2所示，包括：衬底基板01，依次位于衬底基板01上栅电极02，栅极绝缘层03，有源层04和源漏电极05；栅电极02具有底部以及由底部的边缘向面向有源层04方向延伸的侧壁，栅电极02的底部在衬底基板01的正投影覆盖有源层04在衬底基板01的正投影，且栅电极02的侧壁作为有源层04的侧面的遮光层。本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管，栅电极具有底部以及由底部的边缘向面向有源层方向延伸的侧壁，栅电极的底部在衬底基板的正投影覆盖有源层在衬底基板的正投影，且栅电极的侧壁作为有源层的侧面的遮光层。即利用栅电极的的底部帮有源层阻挡来自下方的光，利用栅电极的侧壁帮有源层阻挡横向方向射来的光，避免有源层的侧面受光照射，从而可以整体降低光对有源层的照射，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上的栅电极，栅极绝缘层，有源层和源漏电极；其特征在于：所述栅电极具有底部以及由所述底部的边缘向面向所述有源层方向延伸的侧壁，所述栅电极的底部在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述栅电极的侧壁作为所述有源层的侧面的遮光层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上的栅电极，栅极绝缘层，有源层和源漏电极；其特征在于：所述栅电极具有底部以及由所述底部的边缘向面向所述有源层方向延伸的侧壁，所述栅电极的底部在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影，且所述栅电极的侧壁作为所述有源层的侧面的遮光层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的侧壁相对所述栅电极的底部的高度大于或等于所述有源层的上表面相对所述栅电极的底部的高度。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的侧壁包围对应的所述有源层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极面向所述有源层一侧设置有凹槽，所述凹槽的底部构成所述栅电极的底部，所述凹槽的侧壁构成所述栅电极的侧壁。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底基板面向所述栅电极一侧设置有凹槽，所述栅电极的底部覆盖所述凹槽的底部，所述栅电极的侧壁贴覆于所述凹槽的侧壁上。6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述源漏电极上方的钝化层；和/或位于所述有源层与所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层，且所述源漏电极通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述钝化层上方的滤光层；所述滤光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述滤光层为红色滤光层。9.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐攀，李永谦，袁志东，蔡振飞，袁粲，李蒙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11