一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示面板，该薄膜晶体管包括：衬底；依次形成在衬底上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂层和源漏极，半导体层吸收波长大于760nm的光线。本发明专利技术实施例中，半导体层吸收波长大于760nm的光线即半导体层不吸收可见光，则光线照射薄膜晶体管时，即使光线照射到薄膜晶体管的半导体层上，基于半导体层不吸收可见光的特性，薄膜晶体管的半导体层也不会吸收光线，也不会与可见光发生反应导致产生光漏电流，从而也不会增大薄膜晶体管的漏电流。与现有技术相比，降低了薄膜晶体管的漏电流，提高了薄膜晶体管的电性能稳定性，当该薄膜晶体管应用在显示面板中时，还能够降低显示面板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示面板
本专利技术实施例涉及晶体管技术，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管是显示面板的关键器件，对显示面板的工作性能具有十分重要的作用，而随着电子设备的快速发展，人们要求电子设备的功耗越低越好，续航能力越高越好，因此也要求电子设备中的显示面板的低功耗。显示面板中设置有薄膜晶体管阵列基板，然而现有薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的漏电流相对较大，而当光线照射到薄膜晶体管上时还会产生光生载流子，进一步增大薄膜晶体管的漏电流，导致显示面板的功耗较大，还导致薄膜晶体管的稳定性能差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示面板，以降低薄膜晶体管的漏电流以及提高薄膜晶体管的稳定性。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底；依次形成在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂层和源漏极，所述半导体层吸收波长大于760nm的光线。进一步地，所述薄膜晶体管采用4道掩膜工艺制造，所述4道掩膜工艺依次包括：采用一次湿法刻蚀工艺形成源漏极金属层、采用一次干法刻蚀工艺形成掺杂膜层和半导体膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；依次形成在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂层和源漏极，所述半导体层吸收波长大于760nm的光线。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；依次形成在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂层和源漏极，所述半导体层吸收波长大于760nm的光线。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用4道掩膜工艺制造，所述4道掩膜工艺依次包括：采用一次湿法刻蚀工艺形成源漏极金属层、采用一次干法刻蚀工艺形成掺杂膜层和半导体膜层以及对光刻胶进行灰化、采用一次湿法刻蚀工艺形成所述源漏极、以及采用一次干法刻蚀工艺形成所述掺杂层和所述半导体层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的组成材料包括微晶硅、微晶硅锗或微晶锗。4.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂层和源漏极，其中，所述半导体层吸收波长大于760nm的光线。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层的组成材料包括微晶硅、微晶硅锗或微晶锗。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法形成所述半导体层。7.根据权利要求6所述的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44