【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆切割过程控制
本专利技术一般涉及电子和集成电路设备的制造。
技术介绍
电子设备和特别是集成电路设备的制造以大量的方式进行，其中多个这样的设备在单个基底上同时形成。各种尺寸、形状以及成分的基底是常见的。形成基底的材料的例子可以包括但不限于硅、蓝宝石、砷化镓、玻璃、塑料、环氧树脂，以及由任何前述任一物质或类似物形成的各种组合物、复合结构或化合物半导体。一旦完成基底上设备的制造，这些设备必须从基底分离。将电子或IC设备相互分离称为切割。这通常是通过将基底粘附到支撑体或支持件实现的，使得当设备相互分离时，其位置仍然是已知的。支撑体可以包括膜或带框架以及与将要分离成多个单个设备的基底相同或不同类型的辅助基底。通过本领域技术人员已知的许多方法，包括但不限于锯切和划线，来完成分离。在锯切操作中，薄金刚石锯在设备之间穿过基底以将其相互分离。该锯子用于切割基底，而不是安装基底的支撑体。类似地，划线操作可以使用机械或激光划线工具在待分离的设备之间的基底上产生划线。然而，在划线操作中，划线的基底沿着划线断开以分离各个设备。在这两种操作中，现在分离的设备保持粘附在支撑体上，使得其可以...
【技术保护点】
1.一种改进的切割过程，其包括：将至少一部分连续基底分离成至少第一IC设备和第二IC设备，第一IC设备和第二IC设备具有相邻的边缘；捕获第一IC设备和第二IC设备的每个相邻边缘的至少一个图像；建立第一IC设备和第二IC设备的每个相邻边缘的轮廓；覆盖相邻边缘的轮廓；如果有的话，从相邻边缘的重叠轮廓中识别相邻边缘的差异部分；以及，修改分离步骤和/或进行分离步骤的装置，以降低分离步骤将导致至少另一第一IC设备和第二IC设备的随后形成的相邻边缘的差异部分的可能性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.30 US 62/272,8761.一种改进的切割过程，其包括：将至少一部分连续基底分离成至少第一IC设备和第二IC设备，第一IC设备和第二IC设备具有相邻的边缘；捕获第一IC设备和第二IC设备的每个相邻边缘的至少一个图像；建立第一IC设备和第二IC设备的每个相邻边缘的轮廓；覆盖相邻边缘的轮廓；如果有的话，从相邻边缘的重叠轮廓中识别相邻边缘的差异部分；以及，修改分离步骤和/或进行分离步骤的装置，以降低分离步骤将导致至少另一第一IC设备和第二IC设备的随后形成的相邻边缘的差异部分的可能性。2.根据权利要求1所述的改进的切割过程，其中在识别步骤中还包括确定相邻边缘的轮廓之间的间隙是否是芯片和分层之一。3.根据权利要求2所述的改进的切割过程，其中通过识别相邻边缘的轮廓之间的间隙来确定芯片。4.根据权利要求2所述的改进的切割过程，其中通过识别相邻边缘的轮廓之间的重叠来确定分层。5.一种表征切割过程的方法，其包括：识别已经与基底分离的第一IC设备的外围边缘的预定部分的轮廓；识别已经与基底分离的第二IC设备的外围边缘的预定部分的轮廓，第二IC设备的外围边缘的预定部分与第一IC设备...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。