【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对基板的探测，尤其涉及使用红外辐射对半导体基板的探测。
技术介绍
为提高半导体器件的功率，有必要增加在这类器件中的结构密度。这在历史上曾通过缩小器件自身的尺寸而实现，从而可在给定空间内提供更大的功率。另一用于增加密度的方法包括将多个这类器件相互连接，如同在计算机中将多个处理器连接在一起来进行并行的处理操作那样。在其他情况下，这通过形成多个单独的被封装成单一器件的半导体器件而实现。这类结构的一个例子是由Intel或Advanced Micro Devices公司生产的多核处理器型号。一种用于进一步提高半导体器件密度的提议方法包括将这类器件相互堆叠。由于难以确保堆叠的正确性和精确性，所以堆叠式半导体器件对制造提出独特的 挑战。用于将堆叠式半导体器件相互电连接以及与内部置有堆叠式器件的封装电连接的诸如焊盘、焊剂或金隆起焊盘、vias的电连接器相当小，且任何偏离都会导致问题出现。此外，由于大部分半导体器件覆盖有不透明的或在不透明的基板上形成的结构，所以难以使用传统的光学探测和计量系统来确保半导体器件的对准。除确保堆叠式半导体器件的适当对准之外，难以确保适当...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。