芯片的形成方法技术

本发明专利技术的芯片的形成方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。本发明专利技术其可避免芯片在形成过程中造成晶片碎裂，从而保证芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】
芯片的形成方法
本专利技术涉及芯片的形成方法，尤其涉及一种将半导体晶圆分割成多个芯片的方法。
技术介绍
在半导体晶圆处理中，集成电路形成在由硅或其它半导体材料组成的晶圆(亦称作基板)上。通常，各种半导体、导体或绝缘材料层用于形成集成电路。利用各种已知工艺来掺杂、沉积及蚀刻该等材料，以形成集成电路。各晶圆经处理而形成大量个别区域，区域含有称为晶粒的集成电路。在集成电路形成工艺后，“切割”晶圆，以将个别晶粒彼此分开供封装或以未封装形式用于较大电路内。在现有的晶片切割方法中一般包括晶圆薄化、晶圆切割以及芯片分离等步骤。首先，将晶片背面采用磨轮研磨后使其变薄，再在有源面进行贴膜，之后再进行切割的动作以分离成多个芯片及芯片贴膜。常见的切割方法是采用物理方式，例如以刀具锯切。实行锯切时，每分钟高转速旋转的钻石尖端锯子接触晶圆表面及沿着切割道锯切晶圆。然而，物理锯切的很大一个问题是容易造成晶片碎裂，从而造成内部线路的断裂导致集成电路无效。故此，亟需一种改进的芯片的形成方法，以克服以上的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片的形成方法，其可避免芯片在形成过程中造成晶片碎裂，从而保证芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。2.如权利要求1所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述晶圆由所述第一表面至所述第二表面依次形成有钝化层、金属层、阻挡层以及氧化层，其中由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道的步骤中，所述沟道的深度适于暴露所述钝化层。3.如权利要求2所述的芯片的形成方法，其特征在于，还包括：采用第一蚀刻液对所述钝化层进行蚀刻直至暴露所述金属层。4.如权利要求3所述的芯片的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马岳，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44