The invention relates to a laser stripping device with a graphical epitaxial structure, which comprises a substrate, a shaping structure, a transmittance adjusting structure, a graphical epitaxial structure, a gas transmission system, an ultraviolet light source, a stripping chamber and an optical inlet window. A gas transmission system is designed on both sides of the stripping chamber, and an optical inlet window is designed on the top of the stripping chamber. Ultraviolet light source is designed above the outside of the window. Graphical epitaxial structure is designed in the stripping room. Graphical epitaxial structure is designed with a layer of substrate. Graphical epitaxial structure includes epitaxial structure, sapphire substrate, graphical structure, oblique interface and flat interface. There are several graphical designs on the epitaxial structure. Structure, graphical structure is formed by two oblique interface V-shaped groove structure, adjacent two graphical structures are connected through a flat interface. The advantages are ingenious design, easy operation, graphic substrate stripping and improved peel quality.
【技术实现步骤摘要】
一种图形化外延结构激光剥离装置
本专利技术涉及用于激光剥离装置，尤其涉及一种图形化外延结构激光剥离装置。
技术介绍
氮化镓基材料及光电子器件材料，近年来尤其在光电子器件等领域用途越来越广泛，尤其目前的MicroLED，在照明、显示等领域具有更加重要的应用价值。在所有这些应用过程中，材料生长质量对于器件性能具有重要影响，如果要提高器件性能，同质外延是一个最重要的解决方案，但是同质外延厚膜衬底价格昂贵，使其无法获得全面应用，目前常用的图形化衬底成为了一种主要途径，图形化衬底对于释放材料外延生长过程中的应力，具有重要意义。但是在MOCVD等技术制备MicroLED等材料或在芯片器件加工过程中，需要进行激光剥离，剥离工艺对于剥离条件、光束质量以及剥离整个过程中，温度场的分布以及激光剥离光束的强度分布条件，都有重要要求。尤其对于图形化衬底，在剥离过程中，由于图形化结构区域与平面结构区域，材料结构不同，所需光束能量也不同，因此如何进行高质量激光剥离，具有重要意义。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种图形化外延结构激光剥离装置，可以实现图形化衬底剥离，提高剥离良率。...
【技术保护点】
1.一种图形化外延结构激光剥离装置，其特征在于，它包括基片（1）、整型结构（2）、透射率调整结构（3）、图形化外延结构（4）、气体传输系统（5）、紫外光源（6）、剥离室（7）以及进光窗口（8），剥离室两侧分别设计有气体传输系统，剥离室上面设计有进光窗口，紫外光源设计在进光窗口外侧上方，图形化外延结构设计在剥离室内，图形化外延结构上设计有一层基片，图形化外延结构包括外延结构（40）、蓝宝石衬底（41）、图形化结构（42）、斜界面（43）、平界面（44），外延结构上面均匀设计有若干个图形化结构，图形化结构是由两个斜界面形成的V型槽状结构，相邻两个图形化结构之间通过平界面相连，外...
【技术特征摘要】
1.一种图形化外延结构激光剥离装置，其特征在于，它包括基片（1）、整型结构（2）、透射率调整结构（3）、图形化外延结构（4）、气体传输系统（5）、紫外光源（6）、剥离室（7）以及进光窗口（8），剥离室两侧分别设计有气体传输系统，剥离室上面设计有进光窗口，紫外光源设计在进光窗口外侧上方，图形化外延结构设计在剥离室内，图形化外延结构上设计有一层基片，图形化外延结构包括外延结构（40）、蓝宝石衬底（41）、图形化结构（42）、斜界面（43）、平界面（44），外延结构上面均匀设计有若干个图形化结构，图形化结构是由两个斜界面形成的V型槽状结构，相邻两个图形化结构之间通过平界面相连，外延结构上面设计有蓝宝石衬底且蓝宝石衬底位于图形化结构、斜界面、平界面上方，基片位于蓝宝石衬底上面，基片上面设计有若干个整型机构，整型机构与图形化结构一一对应设计，相邻的整型机构之间设计有透射率调整结构且透射率调整结构位于基片上面，进光窗口位于整型机构和透射率调整结构上方。2.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置，其特征在于，所述的气体传输系统（5）包括进气管（51）、排气管（52），剥离室上方两侧角位置分别安装有一个进气管（51），剥离室两侧壁中间偏下位置分别安装有一个排气管（52）。3.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置，其特征在于，所述的基片(1)为包括但不限于紫外光源激射激光波长透明材料，包于蓝宝石、石英或氟化钙的宽带隙材料。4.根据权利要求1所述的一种图形化外延结构激光剥离装置，其特征在于，所述的透射率调整结构（3）与整形结构（2）的边缘处相接触安装，且在整型结构（2）周边形成过渡光场；所述的透射率调整结构（3）为高反射介质膜或多层膜任...
【专利技术属性】
技术研发人员：何小峰，李成明，何秀平，陈建锋，
申请(专利权)人：南通中铁华宇电气有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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