镀覆装置及镀覆方法制造方法及图纸

本发明专利技术在于防止因形成于基板的边缘部的氧化膜及/或附着于基板的边缘部的有机物而导致镀覆膜厚的均匀性变差。本发明专利技术提供一种对基板进行镀覆的镀覆装置。该镀覆装置具有：镀覆槽，对设于基板保持架的所述基板施加电压以进行镀覆；及边缘部清洗装置，局部地去除设于所述基板保持架之前存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】镀覆装置及镀覆方法
本专利技术涉及镀覆装置及镀覆方法。
技术介绍
以往，在设于半导体晶片等表面的微细配线用沟槽、孔洞、或光阻开口部中形成配线，或于半导体晶片等的表面形成与封装的电极等电连接的凸块(突起状电极)。作为形成该配线及凸块的方法，例如，电解镀覆法、蒸镀法、印刷法、焊球凸块法等已为人所知，但随着半导体芯片的I/O数增加、间距细化，逐渐大量使用可微细化且性能较稳定的电解镀覆法。以电解镀覆法对基板进行镀覆，是预先在形成有晶种层的半导体晶片等基板上形成光阻图案。接着，对于形成有光阻图案的基板照射紫外光(以下称为UV或UltraViolet)等，以去除基板表面上的光阻残渣(灰化处理)，并且进行光阻表面的亲水化处理(去渣处理)。经灰化处理及去渣处理的基板，被运送至镀覆装置，并保持于基板保持架。基板保持架具有用于对基板供电的电接点。基板保持架的电接点构成为在基板保持于基板保持架时与未涂布光阻的基板的边缘部上的晶种层接触。这样的基板保持架例如揭示于专利文献1中。通过将被保持于基板保持架的基板浸渍于镀覆液中，并且在阳极与基板之间施加电压，可在基板表面形成镀覆膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-363794号公报专利技术要解决的课题以往的镀覆方法中，在进行灰化处理及去渣处理之后，并非直接进行镀覆处理。也即，是在进行灰化处理及去渣处理之后经过规定的时间，基板才被保持于基板保持架。此时，因为在灰化处理及去渣处理后经过一段时间，因此有在基板边缘部上的晶种层上形成氧化膜或是附着有从光阻挥发的有机物的情况。若在成为基板与电接点接触的基板边缘部上的晶种层形成氧化膜或是附着有机物，则基板保持架的电接点的接触电阻产生不均，而具有镀覆膜厚的均匀性变差的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的之一是防止镀覆膜厚的均匀性变差，该镀覆膜厚的均匀性变差的原因在于形成于基板的边缘部的氧化膜及附着于基板的边缘部的有机物的至少任一者。解决课题的手段根据本专利技术的一方式，提供一种对基板进行镀覆的镀覆装置。该镀覆装置包含：边缘部清洗装置，该边缘部清洗装置局部去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；及镀覆槽，该镀覆槽收纳镀覆液，且用于在使基板与阳极浸渍于该镀覆液的状态下，在该基板与该阳极间施加电压，以进行镀覆。根据这一方式，可在基板设于基板保持架之前，局部地去除存在基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一种。因此，不会对形成于基板的边缘部以外的表面的光阻图案造成不良的影响，并且抑制存在于基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者造成基板保持架的电接点的接触电阻不均，而可防止镀覆膜厚的均匀性变差。本专利技术的一方式中，所述边缘部清洗装置包含有机物脱离装置，该有机物脱离装置使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离，所述有机物脱离装置包含UV照射装置或等离子放射装置，该UV照射装置对旋转的所述基板的边缘部照射UV，该等离子放射装置对旋转的所述基板的边缘部放射等离子。一般而言，镀覆的基板上涂有光阻，若对该光阻放射UV或等离子，可能导致光阻变质而受到损伤。根据这一方式，可局部地对基板的边缘部放射UV或等离子。由此，不会对基板的边缘部以外的表面、即基板上涂有光阻的部分放射UV或等离子，故可在不对基板上的光阻造成损伤的情况下，使基板的边缘部的有机物脱离。本专利技术的一方式中，镀覆装置包含对准器，该对准器使所述基板旋转以整齐排列该基板的朝向，所述有机物脱离装置设于所述对准器。根据这一方式，因为有机物脱离装置设于对准器，故通过对准器使基板旋转，可通过UV照射装置或等离子照射装置对基板的边缘部进行处理。因此，有机物脱离装置中无需设置使基板旋转的机构，故可降低成本。另外，通过将有机物脱离装置设于对准器，可降低镀覆装置整体的占地面积。本专利技术的一方式中，所述UV照射装置或所述等离子放射装置配置于能够从所述基板的上方对该基板的边缘部局部施用UV或等离子的位置。本专利技术的一方式中，所述边缘部清洗装置包含氧化膜去除装置，该氧化膜去除装置局部去除存在于所述基板的边缘部的氧化膜，所述氧化膜去除装置包含药液清洗装置，该药液清洗装置具备对旋转的所述基板的边缘部供给药液的药液喷嘴。一般而言，镀覆的基板上形成有晶种层，若在该晶种层上附着药液的状态下放置，则具有晶种层溶解的担忧。因此，镀覆的基板的边缘以外的部分、即从光阻图案的开口露出的晶种层附着有药液的情况下，为了避免药液残留，而必需充分地清洗。根据这一方式，可对基板的边缘部局部地供给药液。由此，药液不会附着于从光阻图案的开口露出的晶种层，而可去除形成于基板的边缘部的氧化膜。因此，相较于药液附着于基板整个面上的情况，可大幅缩短基板的清洗时间。本专利技术的一方式中，所述药液包含3wt％以上且15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上且20wt％以下的柠檬酸。在由药液去除基板的边缘部的氧化膜时，必需避免基板的边缘部上的晶种层溶解。根据这一方式，可在不溶解基板的边缘部上的晶种层的情况下，去除氧化膜。又，若稀硫酸小于3wt％或柠檬酸小于2wt％，则酸浓度过低，而具有无法适当去除氧化膜的担忧。另外，若稀硫酸超过15wt％或柠檬酸超过20wt％，则酸浓度过高，而具有基板的边缘部上的晶种层溶解的担忧。本专利技术的一方式中，镀覆装置包含旋转冲洗干燥装置，该旋转冲洗干燥装置构成为使所述基板旋转以使所述基板干燥，所述氧化膜去除装置设于所述旋转冲洗干燥装置。根据这一方式，因为氧化膜去除装置设于旋转冲洗干燥装置，故可一边通过旋转冲洗干燥装置使基板旋转，一边以药液清洗装置对基板的边缘部进行处理。另外，旋转冲洗干燥装置一般具有防止基板上的液体飞散的罩盖，故可防止药液清洗装置所供给的药液飞散至旋转冲洗干燥装置的外部。因此，氧化膜去除装置中无需设置使基板旋转的机构及防止药液飞散的罩盖，故可减低成本。另外，通过将氧化膜去除装置设于旋转冲洗干燥装置，可降低镀覆装置整体的占地面积。本专利技术的一方式中，所述药液清洗装置配置于能够从所述基板上方对该基板的边缘部局部地供给药液的位置。本专利技术的一方式中，镀覆装置包含海绵清洗装置，该海绵清洗装置去除存在于所述基板的边缘部的粒子。根据这一方式，可防止基板保持架的电接点与基板的边缘部上的晶种层之间夹入粒子，进而可抑制因粒子导致接触电阻变差的情况。本专利技术的一方式中，镀覆装置包含传感器，该传感器以如下方式构成：对于存在于所述边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除的基板的所述边缘部照射光线，并且测定反射的光的强度或吸光度。根据这一方式，通过测定反射的光强度或吸光度，可判定存在于边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除的基板的边缘部的污染物质是否已充分去除。由此，可在镀覆处理前判定基板的边缘部是否存在污染物质，之后针对边缘部不存在污染物质的基板进行镀覆处理，故可更确实防止基板保持架所具有的电接点的接触电阻不均导致基板W镀覆膜厚的平面均匀性变差等。根据本专利技术的一方式，可提供对基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法包含如下工序：去除工序，该去除工序局部地去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；保持工序，该保持工序将所述基板保持于基板保持架；及镀覆处理工序，该镀覆处理工序对保持于所述基板保持架的所述基板进行镀覆处理。根据这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀覆装置，对基板进行镀覆，其特征在于，包含：边缘部清洗装置，该边缘部清洗装置局部去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；及镀覆槽，该镀覆槽收纳镀覆液，且用于在使基板与阳极浸渍于该镀覆液的状态下，在该基板与该阳极间施加电压，以进行镀覆。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.04 JP 2016-042145;2017.02.21 JP 2017-029891.一种镀覆装置，对基板进行镀覆，其特征在于，包含：边缘部清洗装置，该边缘部清洗装置局部去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；及镀覆槽，该镀覆槽收纳镀覆液，且用于在使基板与阳极浸渍于该镀覆液的状态下，在该基板与该阳极间施加电压，以进行镀覆。2.如权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述边缘部清洗装置包含有机物脱离装置，该有机物脱离装置使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离，所述有机物脱离装置包含UV照射装置或等离子放射装置，该UV照射装置对旋转的所述基板的边缘部照射UV，该等离子放射装置对旋转的所述基板的边缘部放射等离子。3.如权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，包含对准器，该对准器使所述基板旋转以整齐排列该基板的朝向，所述有机物脱离装置设于所述对准器。4.如权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，所述UV照射装置或所述等离子放射装置配置于能够从所述基板的上方对该基板的边缘部局部施用UV或等离子的位置。5.如权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述边缘部清洗装置包含氧化膜去除装置，该氧化膜去除装置局部去除存在于所述基板的边缘部的氧化膜，所述氧化膜去除装置包含药液清洗装置，该药液清洗装置具备对旋转的所述基板的边缘部供给药液的药液喷嘴。6.如权利要求5所述的镀覆装置，其特征在于，所述药液包含3wt％以上且15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上且20wt％以下的柠檬酸。7.如权利要求5所述的镀覆装置，其特征在于，包含旋转冲洗干燥装置，该旋转冲洗干燥装置构成为使所述基板旋转以使所述基板干燥，所述氧化膜去除装置设于所述旋转冲洗干燥装置。8.如权利要求5所述的镀覆装置，其特征在于，所述药液清洗装置配置于能够从所述基板的上方对该基板的边缘部局部地供给药液的位置。9.如权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，包含海绵清洗装置，该海绵清洗装置去除存在于所述基板的边缘部的粒子。10.如权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，包含传感器，该传感器以如下方式构成：对存在于所述边缘部的有机物及氧化膜的至少一者被局部地去除的基板的所述边缘部照射光线，并且测定反射的光的强度或吸光度。11.一种镀覆方法，是对基板进行镀覆的方法，该镀覆方法的特征在于，包含如下工序：去除工序，该去除工序局部地去除存在于所述基板的边缘部的有机物及氧化膜的至少一者；保持工序，该保持工序将所述基板保持于基板保持架；及镀覆处理工序，该镀覆处理工序对保持于所述基板保持架的所述基板进行镀覆处理。12.如权利要求11所述的镀覆方法，其特征在于，包含如下工序：光阻图案形成工序，该光阻图案形成工序在所述基板形成光阻图案；及灰化工序，该灰化工序将所述光阻图案灰化；所述去除工序是在所述灰化工序之后进行的。13.如权利要求11所述的镀覆方法，其特征在于，所述去除工序包含对所述基板的边缘部局部地放射UV或等离子的工序。14.如权利要求11所述的镀覆方法，其特征在于，所述去除工序包含对所述基板的边缘部局部地供给药液的工序。15.如权利要求14所述的镀覆方法，其特征在于，所述药液包含3wt％以上且15wt％以下的稀硫酸或2wt％以上且20wt％以下的柠檬酸。16.如权利要求11所述的镀覆方法，其特征在于，包含如下工序：使海绵头接触旋转的所述基板的边缘部，以去除粒子的工序。17.如权利要求11所述的镀覆方法，其特征在于，所述去除工序包含如下工序：在使存在于所述基板的边缘部的有机物局部地脱离之后，局部地去除所述氧化膜的工序。18.如权利要求11所述的镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：长井瑞树，下山正，岸贵士，西浦文敏，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP