The invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, in particular to a gas injection tube and a film deposition device for a film deposition device. The gas injection pipe for the film deposition device comprises a plurality of air inlets arranged in the side wall of the gas injection pipe and spaced along the axial direction, and the apertures of the air inlets gradually change along the axial direction to improve the uniformity of gas distribution in the film deposition device. The invention reduces the film thickness difference on the wafer surface at different positions in the film deposition device, and improves the performance of the 3D NAND memory.
【技术实现步骤摘要】
用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。膜层沉积工艺是3DNAND存储器制造过程中的一步重要工艺。但是，现有的膜层沉积工艺由于其机台结构的限制，使得位于膜层沉积装置内不同位置的晶圆表面沉积的膜层厚度不一致，从而影响存储器中存储单元的写入、读取和擦除，导致3DNAND存储器性能的降低。因此，如何提高膜层沉积过程中位于膜层沉积装置内不同位...
【技术保护点】
1.一种用于膜层沉积装置的气体注入管，其特征在于，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，多个所述进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。
【技术特征摘要】
1.一种用于膜层沉积装置的气体注入管，其特征在于，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，多个所述进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。2.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于中间的进气孔指向位于端部的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐增大；所述端部为顶端和/或底端。3.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于中间的进气孔指向位于端部的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐减小；所述端部为顶端和/或底端。4.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于顶端的进气孔指向位于底端的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐减小。5.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于顶端的进气孔指向位于底端的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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