【技术实现步骤摘要】
半纵向型欧姆接触电极及其制作方法
本专利技术属于半导体器件制作领域，尤其涉及一种可用于各种材料和结构类型的半导体器件工艺中的欧姆接触电极和制作方法。
技术介绍
随着近年来半导体产业的蓬勃发展，科研人员对半导体材料的研究日趋完善，半导体器件的应用范围也越来越广泛。在固态照明、功率电子、传感探测等领域中，半导体器件凭借其优秀的材料特性和体积优势处于十分重要的地位。现阶段中，如何使半导体器件的性能参数更加接近材料极限是器件研发者关注的主要问题之一。而伴随着第三代半导体材料研究的不断推进，高功率密度电流传输更是成为时下的重点研究目标。在高精密化标准的挑战下，功率密度问题凸显尤为严重，如何在有限的芯片空间内减小金属-半导体电极电阻，增加电极间电流，减少器件由于功率损耗带来的发热问题成为新时代器件进步的重要标志。欧姆接触作为金属-半导体电极中重要的组成部分，其特性直接决定了电子器件的电学特性。传统欧姆接触电极制作技术主要采用简单的平面布局(如图1所示)，受到空间因素的制约，其导电能力与平面空间尺寸有关，并且该技术制作的接触阻值也受工艺因素的影响较大。更为重要的是，在高压大功率...
【技术保护点】
1.一种半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向剖面上呈台阶型。
【技术特征摘要】
1.一种半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向剖面上呈台阶型。2.如权利要求1所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，所述台阶型为单层台阶型或多层台阶型。3.如权利要求1或2所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，所述金属电极在横向剖面上呈条形或环形或扇形。4.如权利要求2所述的半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，台阶的高度为10-500nm。5.一种半纵向型欧姆接触电极制作方法，其特征在于，步骤如下：S1、依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水对半导体样品进行超声清洗，将半导体样品表面清洗干净，使用氮气枪将表面吹干，烘干备用；S2、在步骤S1处理后的样品上使用光刻方法定义出刻蚀所需图形；S3、使用半导体湿法刻蚀或干法刻蚀方法在半导体样品表面刻蚀出台阶形状，刻蚀后依次用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗；S4、在步骤S3处理后的样品上使用光刻方法定义出电极沉积所需图形；S5、使用金属沉积制备欧姆接触电极金属，剥离形成电极图案。6.如权...
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