薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置制造方法及图纸

本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括：包括第一栅极，与所述第一栅极电绝缘的调制电极，与所述第一栅极和所述调制电极均电绝缘的半导体有源层，以及分别位于所述半导体有源层两侧且与所述半导体有源层相接触的源极和漏极；其中，所述调制电极靠近所述漏极一侧设置，以用于在所述薄膜晶体管处于截止状态时形成与所述第一栅极反向的电场。本公开可降低薄膜晶体管的漏电流。

Thin film transistor and its preparation method and control method, display panel and device

The invention discloses a thin film transistor, a preparation method and a control method thereof, a display panel and a display device, and relates to the display technical field. The thin film transistor includes: a first gate, a modulation electrode electrically insulated with the first gate, a semiconductor active layer electrically insulated with the first gate and the modulation electrode, and a source and a drain respectively located on both sides of the semiconductor active layer and in contact with the semiconductor active layer; wherein the first gate and the modulation electrode are electrically insulated; and The modulation electrode is arranged near the drain side for forming an electric field opposite the first gate when the thin film transistor is in a cut-off state. This disclosure reduces the leakage current of thin film transistors.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置
本公开涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
随着自发光显示技术的发展，OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管显示器)以其低能耗、低成本、宽视角、以及响应速度快等优点而逐渐取代传统的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)。其中，有源驱动式OLED显示器需要通过薄膜晶体管控制像素的开启和关闭，因此薄膜晶体管的性能十分重要。LTPS-TFT(LowTemperaturePolySilicon-ThinFilmTransistor，低温多晶硅-薄膜晶体管)因其较高的电子迁移率而被广泛的应用于各类显示器件中，然而漏电流问题一直以来都是影响LTPS-TFT品质的重要因素。针对其机理的研究，目前业界普遍倾向于高电场强度下的能带过度弯曲所引起的隧穿效应是造成漏电流的主要原因。基于此，如何改善隧穿效应以降低TFT的漏电流已经成为目前显示领域亟待解决的问题之一。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括第一栅极，与所述第一栅极电绝缘的调制电极，与所述第一栅极和所述调制电极均电绝缘的半导体有源层，以及分别位于所述半导体有源层两侧且与所述半导体有源层相接触的源极和漏极；其中，所述调制电极靠近所述漏极一侧设置，以用于在所述薄膜晶体管处于截止状态时形成与所述第一栅极反向的电场。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括第一栅极，与所述第一栅极电绝缘的调制电极，与所述第一栅极和所述调制电极均电绝缘的半导体有源层，以及分别位于所述半导体有源层两侧且与所述半导体有源层相接触的源极和漏极；其中，所述调制电极靠近所述漏极一侧设置，以用于在所述薄膜晶体管处于截止状态时形成与所述第一栅极反向的电场。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极与所述调制电极在所述薄膜晶体管处于截止状态时的工作电位相反。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述调制电极同层设置且相隔预设距离的第二栅极，所述第二栅极靠近所述源极一侧设置。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括衬底基板、第一绝缘层和第二绝缘层、以及隔离层；所述半导体有源层、所述源极和所述漏极位于所述衬底基板上；所述第一绝缘层位于所述半导体有源层、所述源极和所述漏极背离所述衬底基板的一侧；所述第一栅极位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；所述第二绝缘层位于所述第一栅极背离所述衬底基板的一侧；所述第二栅极和所述调制电极均位于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧；所述隔离层位于所述第二栅极和所述调制电极背离所述衬底基板的一侧。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体有源层包括非晶硅有源层、多晶硅有源层、以及金属氧化物半导体有源层中的任一种。6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，李园园，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11