一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用，包括粘附金属层和主体金属层，粘附金属层粘附在晶圆上，主体金属层叠加在粘附金属层上；还包括保护层，保护层叠加在主体金属层上，保护层为惰性金属。本发明专利技术改善标记金属经高温工艺后的形貌，从而提高标记金属表面平整度以及边缘质量以提高光刻对准精度，提升器件的性能和成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体器件的加工领域，特别涉及一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，芯片内的线宽也不断缩小，半导体工艺受到的挑战也越来越大，工艺的精度与工艺变异的控制也变得愈加重要。在半导体芯片制造过程中，光刻是非常核心的工艺之一，其通过涂胶、对准、曝光、显影等一系列步骤将掩模版上设计的图形转移到半导体晶圆（以下简称为“晶圆”）上，光刻工艺的质量直接影响到最终形成芯片的性能。在光刻过程中，通常在半导体圆片上设置光刻对准标记，光刻对准标记包括光刻对位标记和光刻套刻对准标记。为将掩模图形精确转移到晶圆上，关键的步骤是实现掩模版与晶圆的精确对准，以满足对准精度的需求。当特征尺寸越来越小时，对其准精度要求也越来越高。因此，业内对提高光刻对准精度做了大量研究，但所制作的对准标记绝大部分基于常温或低温半导体工艺，而对高温（＞800℃）半导体工艺的特殊制程所使用的对准标记研究较少。第三代半导体材料GaN由于具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2×107cm/s)，高的击穿电场(1×10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高温金属对准标记，其特征在于：包括粘附金属层和主体金属层，粘附金属层粘附在晶圆上，主体金属层叠加在粘附金属层上；还包括保护层，保护层叠加在主体金属层上，保护层为惰性金属。

【技术特征摘要】
1.一种耐高温金属对准标记，其特征在于：包括粘附金属层和主体金属层，粘附金属层粘附在晶圆上，主体金属层叠加在粘附金属层上；还包括保护层，保护层叠加在主体金属层上，保护层为惰性金属。2.根据权利要求1所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：保护层为Ti、WTi、W、TiN、AlN、TaN、WN、WTiN、Mo中的一种。3.根据权利要求1所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：保护层的厚度为2~20nm。4.根据权利要求1所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：粘附金属层为Ti、WTi、W、TiN、AlN中的一种。5.根据权利要求1所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：主体金属层为Pt、Pd、Mo、W、WN、AlN、WTi中的一种。6.根据权利要求1所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：保护层为多层金属堆积而成。7.根据权利要求6所述的一种耐高温金属对准标记，其特征在于：保护层为Ti/Pt/Ti、Mo/Ti、WTi/Mo。8.根据权利要求1所述的一种耐高温...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文必，周泽阳，林光耀，刘胜厚，许若华，邹冠，蔡仙清，林志东，王文平，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35