半导体元件图案的形成方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于基底材料层上方并对应于第一区域；设置多个第二芯轴于基底材料层上方并对应于第二区域；形成第一侧壁间隔物于第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两第二芯轴之间的第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的第一图案和该些第二侧壁间隔物的第二图案至基底材料层，以形成一图案化基底材料层。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件图案的形成方法
本专利技术涉及一种图案形成方法，且特别是涉及可产生易辨识图案的一种半导体元件图案的形成方法。
技术介绍
近年来半导体装置尺寸日益减小。对半导体技术来说，持续缩小半导体结构尺寸、改善速率、增进效能、提高密度及降低每单位集成电路的成本，成为半导体技术重要的发展目标。随着半导体装置尺寸的缩小，装置的电子特性也必须维持甚至是加以改善，以符合市场上对应用电子产品的要求。例如，半导体装置的各层结构与所属元件如有缺陷或损伤，会对装置的电子特性造成无法忽视的影响，因此是制造半导体装置需注意的重要问题之一。以一半导体元件的图案制作工艺例如鳍式场效晶体管制作工艺(FinFETprocess)为例，通常使用一侧壁图像转移(asidewallimagetransfer，SIT)制作工艺来制作鳍状结构。其中芯轴的图案用来定义出主动区域中相关元素(例如鳍部)以及周边区域的切割道的相关标示图案。现有芯轴布局设计中，刻痕图案的边界太小以致于光学传感器进行检测时有难度，而此问题在制作小尺寸的半导体元件时会变得更加严重。制作工艺中辨识度不佳的标示图案恐会影响产品良率。专利技术内容本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于该基底材料层上方并对应于该第一区域；设置多个第二芯轴于该基底材料层上方并对应于该第二区域；形成第一侧壁间隔物于该些第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于该些第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两该些第二芯轴之间的该些第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的该第一图案和该些第二侧壁间隔物的该第二图案至该基底材料层，以形成一图案化基底材料层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于该基底材料层上方并对应于该第一区域；设置多个第二芯轴于该基底材料层上方并对应于该第二区域；形成第一侧壁间隔物于该些第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于该些第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两该些第二芯轴之间的该些第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的该第一图案和该些第二侧壁间隔物的该第二图案至该基底材料层，以形成一图案化基底材料层。2.如权利要求1所述的形成方法，还包括：在转移该第一图案与该第二图案之前，先移除该些第一侧壁间隔物和该些第二侧壁间隔物。3.如权利要求1所述的形成方法，其中该图案化基底材料层包括：多个第一沟槽设置于该第一区域且对应于该第一图案；和多个第二沟槽设置于该第二区域且对应于该第二图案。4.如权利要求3所述的形成方法，其中各该些第二沟槽的宽度大于各该些第一沟槽的宽度。5.如权利要求1所述的形成方法，其中于相邻两该些第一芯轴之间的一第一间隙大于相邻两该些第二芯轴之间的一第二间隙。6.如权利要求5所述的形成方法，其中该第二间隙的宽度不超过该些第一侧壁间隔物之一者的两倍厚度。7.如权利要求5所述的形成方法，其中该第二间隙的宽度等于该些第一侧壁间隔物之一者的厚度。8.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第一芯轴之一者具有一第一临界尺寸，该些第二芯轴之一者具有一第二临界尺寸，且该第一临界尺寸等于该第二临界尺寸。9.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第一芯轴之一者具有一第一临界尺寸，该些第二芯轴之一者具有一第二临界尺寸，且该第一临界尺寸小于该第二临界尺寸。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩铨，童宇诚，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71