The invention provides a chip stress testing module and a preparation method thereof. The preparation method includes: 1) providing a chip stress testing structure, which comprises a chip functional structure and an annular welding pad located above the chip functional structure; the top of the chip functional structure and annular welding pad are covered with a passivation protective layer; (3) removing the solder pad to form a second opening below the first opening; 4) fixing the first substrate to the bottom of the chip stress test structure obtained in step 3; 5) placing a solder layer on the top surface of the chip stress test structure obtained in step 4; 6) providing a second opening below the first opening; The substrate is fixed on the top of the stress testing structure of the chip by the solder layer on the second substrate. The invention avoids the influence of the adhesive layer on the chip stress test result, improves the reliability of the test result, and has the advantages of simple preparation process and high success rate.
【技术实现步骤摘要】
芯片应力测试组件及其制备方法
本专利技术涉及半导体测试
,特别是涉及一种芯片应力测试组件及其制备方法。
技术介绍
芯片应力测试(diepull)是现有半导体芯片产品的一种有效衡量金属与绝缘薄膜层间粘合性能的测试项目,目前芯片应力测试组件的制备方法一般为:将芯片直接通过粘合层固定到上下两个基板上而得到芯片应力测试组件,然后将得到的芯片应力测试组件置于测试机台上进行测试。将芯片应力测试结构固定于上下两个基板上是非常重要的步骤,而在上述制备方法中,是由操作人员人工操作将芯片应力测试结构通过粘合层固定于上下两个基板上,不同的操作人员、粘合层配方的变化以及粘合层的平整度均会影响测试的结果,这使得现有芯片应力测试中芯片应力测试组件制备的成功率较低,测试结果可靠性较差。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种芯片应力测试组件及其制备方法,用于解决现有技术中芯片应力测试结果容易受到操作人员、粘合层配以及粘合层的平整度的影响,进而导致芯片应力测试组件制备的成功率较低、测试结果可靠性较差的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种上述芯片 ...
【技术保护点】
1.一种芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于,所述芯片应力测试组件的制备方法至少包括以下步骤:1)提供一芯片应力测试结构,所述芯片应力测试结构包括芯片功能结构及位于所述芯片功能结构上方的环形焊垫,所述环形焊垫与所述芯片功能结构的顶层金属层相连接;所述芯片功能结构及所述环形焊垫的顶部均覆盖有钝化保护层;2)在所述钝化保护层内形成第一开口,所述第一开口暴露出所述环形焊垫;3)去除所述环形焊垫,以在所述第一开口下方形成第二开口,所述第二开口暴露出所述芯片功能结构的顶层金属层;4)提供第一基板,将所述第一基板固定于所述步骤3)得到的所述芯片应力测试结构的底部;5)在步骤4)得到的 ...
【技术特征摘要】
1.一种芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于,所述芯片应力测试组件的制备方法至少包括以下步骤:1)提供一芯片应力测试结构,所述芯片应力测试结构包括芯片功能结构及位于所述芯片功能结构上方的环形焊垫,所述环形焊垫与所述芯片功能结构的顶层金属层相连接;所述芯片功能结构及所述环形焊垫的顶部均覆盖有钝化保护层;2)在所述钝化保护层内形成第一开口,所述第一开口暴露出所述环形焊垫;3)去除所述环形焊垫,以在所述第一开口下方形成第二开口,所述第二开口暴露出所述芯片功能结构的顶层金属层;4)提供第一基板,将所述第一基板固定于所述步骤3)得到的所述芯片应力测试结构的底部;5)在步骤4)得到的所述芯片应力测试结构的顶部表面放置焊料层;6)提供第二基板,将所述第二基板通过所述焊料层固定于所述芯片应力测试结构的顶部。2.根据权利要求1所述的芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于:步骤2)中,采用光刻、刻蚀工艺在所述钝化保护层内形成第一开口。3.根据权利要求1所述的芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于:所述第一开口的宽度小于所述环形焊垫的最大宽度。4.根据权利要求1所述的芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于:步骤3)中,将步骤2)得到的所述芯片应力测试结构置于酸溶液中,以去除所述环形焊垫,在所述第一开口下方形成第二开口。5.根据权利要求1所述的芯片应力测试组件的制备方法,其特征在于:步骤4)中,所述第一基板通过粘合层固定于所述步骤3...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁芳,张冠,董燕,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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