图像传感器及其形成方法、工作方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及其形成方法、工作方法，其中，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括感光区和连接区，所述感光区衬底中具有感光元件；位于所述感光区衬底第一面上的缓冲层；位于所述缓冲层上的金属网格，所述金属网格包括多条交错连接的金属线，所述金属线围成凹槽，所述金属网格用于连接工作电位；位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。其中，所述金属网格用于接工作电位，则所述金属网格能够在所述衬底中感生出电荷，所述金属网格在所述衬底中感生出的电荷能够阻挡所述感光元件产生的电荷与衬底中的缺陷复合，从而能够减小暗电流，改善所形成图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法、工作方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法、工作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断提高，图像传感器(ImageSensor)作为目前信息获取的一种基础器件在现代社会中得到越来越广泛的应用。根据元件不同可以将图像传感器分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器和CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件)图像传感器两大类。随着半导体技术的发展，CMOS晶体管的性能逐渐提高，分辨率逐渐赶超CCD图像传感器。而CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点。CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器。CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成。CMOS图像传感器根据结构可以分为：正照式CMOS图像传感器、背照式CMOS图像传感器和堆叠式CMOS图像传感器。在正照式CMO图像传感器中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括感光区和连接区，所述感光区衬底中具有感光元件；位于所述感光区衬底第一面上的缓冲层；位于所述缓冲层上的金属网格，所述金属网格包括多条交错连接的金属线，所述金属线围成凹槽，所述金属网格用于连接工作电位；位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括感光区和连接区，所述感光区衬底中具有感光元件；位于所述感光区衬底第一面上的缓冲层；位于所述缓冲层上的金属网格，所述金属网格包括多条交错连接的金属线，所述金属线围成凹槽，所述金属网格用于连接工作电位；位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的连接结构，所述连接结构包括位于所述连接区衬底上的焊盘，以及连接所述焊盘与所述金属网格的连接线。3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区衬底还包括透光区和遮光区；还包括：位于所述衬底第二面的器件层，所述连接区的器件层中具有金属层以及连接所述金属层的插塞；位于所述遮光区衬底第一面和连接区衬底第一面上的介质结构，所述遮光区介质结构中具有第一开口，所述第一开口底部暴露出所述金属网格，所述连接区介质结构和连接区衬底中具有第二开口，所述第二开口自所述连接区介质结构贯穿至所述连接区衬底，所述第二开口暴露出所述器件层，所述第二开口底部的器件层中具有第三开口，所述第三开口底部暴露出连接区金属层；所述焊盘位于所述第二开口底部的器件层上；所述连接线位于所述介质结构上、所述第一开口、第二开口和第三开口底部和侧壁表面，且所述连接线与所述焊盘连接。4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述介质结构的材料为氧化硅或氮氧化硅。5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二开口侧壁与所述衬底第一面的锐角夹角小于50度，所述第二开口底部宽度大于50μm。6.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括位于所述遮光区和连接区衬底上的介质结构，所述介质结构暴露出所述金属网格顶部表面；所述焊盘位于所述连接区介质结构上，所述连接线位于所述金属网格表面以及所述介质结构上。7.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述连接线上的钝化层，所述钝化层暴露出所述焊盘。8.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底中还具有载流子采集器；当所述载流子采集器用于捕获所述感光元件产生的电子时，所述工作电位为零电位或负电位。9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述感光区衬底与所述缓冲层之间的抗反射层，所述抗反射层带负电。10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底中还具有载流子采集器；当所述载流子采集器用于捕获所述感光元件产生的空穴时，所述工作电位为零电位或正电位。11.如权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述感光区衬底与所述缓冲层之间的抗反射层，所述抗反射层带正电。12.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括感光区和连接区，所述衬底感光区中具有感光元件；在所述感光区衬底第一面上形成缓冲层；在所述缓冲层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚国峰，陆珏，张海芳，刘煊杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31