【技术实现步骤摘要】
形成图像传感器装置的方法
本专利技术实施例涉及一种形成图像传感器装置的方法。
技术介绍
半导体图像传感器用于感测光。互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)图像传感器(CMOSimagesensor，CIS)及电荷耦合装置(charge-coupleddevice，CCD)传感器通常用于各种应用中，例如用于数字照相机或手机照相机应用中。这些装置利用衬底中的像素阵列(包括光电二极管及晶体管)，所述像素阵列可吸收射向衬底的辐射(例如，光)并将所感测辐射转换成电信号。背照式(backsideilluminated，BSI)图像传感器装置及前照式(frontsideilluminated，FSI)图像传感器装置分别是多年来积极发展的两种类型的图像传感器装置。由于晶体管装置的尺寸随着每一代技术的产生而缩小，因此现有的BSI/FSI图像传感器装置可能开始遇到串扰(cross-talk)问题及光晕(blooming)问题。一般来说，这些问题可归因于BSI/FSI图像传感器装置的相邻像素之间的不充分的隔离。专利...
【技术保护点】
1.一种在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。
【技术特征摘要】
2016.12.13 US 62/433,655;2017.04.17 US 15/489,0191.一种在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。2.根据权利要求1所述在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，所述第一浅沟槽以第一深度向内延伸至所述衬底中，且所述第一深沟槽以第二深度从所述第一浅沟槽进一步向内延伸至所述衬底中，所述第二深度实质上大于所述第一深度，而所述形成所述间隔壁层进一步包括：形成共形地上覆在所述第一浅沟槽上的初始间隔壁层；以及刻蚀所述第一浅沟槽中的所述初始间隔壁层的底部部分，从而暴露出所述第一浅沟槽的底表面。3.根据权利要求1所述在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，进一步包括：(d)在所述第一深沟槽中形成第一氧化物层；(e)在所述衬底中形成环绕所述第一深沟槽的第一衬层；(f)以第一隔离材料填充所述第一深沟槽，从而在所述衬底中形成第一深沟槽隔离特征；(g)移除所述间隔壁层；(h)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(i)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；(j)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征；重复步骤(a)至步骤(j)，从而在所述衬底中形成第二深沟槽隔离特征及第二浅沟槽隔离特征，其中所述第二深沟槽隔离特征位于所述第二浅沟槽隔离特征下方，且其中所述第二深沟槽隔离特征及所述第二浅沟槽隔离特征与所述第一深沟槽隔离特征及所述第一浅沟槽隔离特征间隔一距离；以及在所述衬底中形成至少一辐射感测装置，所述辐射感测装置位于所述第一深沟槽隔离特征与所述第二深沟槽隔离特征之间及所述第一浅沟槽隔离特征与所述第二浅沟槽隔离特征之间。4.根据权利要求1所述在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，所述第一深沟槽及所述第一浅沟槽形成在所述衬底的将要形成一个或多个辐射感测装置的像素阵列区中。5.一种在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征在于，包括：(a)使所述衬底凹陷，从而形成第一浅沟槽及第二浅沟槽，所述第一浅沟槽及所述第二浅沟槽分别位于所述衬底的像素阵列区及周边区中；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽及所述第二浅沟槽各自的侧壁；以及(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽。6.根据权利要求5所述在衬底上形成图像传感器装置的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岳川，陈嘉展，林荣义，林稔杰，李志煌，陈达欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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