一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法技术

本发明专利技术公开了一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法，本发明专利技术将光源优化SO问题构造为在解为非负约束条件下求解2范数的图像恢复问题，即：

【技术实现步骤摘要】
一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法
本专利技术涉及光刻分辨率增强
，具体涉及一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法。
技术介绍
光学光刻是目前的主流光刻技术，它利用光学投影成像原理，通过步进扫描曝光的方式将掩模上的集成电路图形转移到涂有光刻胶的晶片上。随着半导体行业的快速发展，超大规模集成电路的特征尺寸也在不断缩小。而光刻系统是IC制造业中的主要核心设备，目前主流的光刻技术主要采用光源波长193nm的深紫外浸没式光刻技术。随着光刻技术节点进入45-14nm，集成电路的关键尺寸已进入深亚波长范围，此时必须采用分辨率增强技术(resolutionenhancementtechnique，简称RET)来进一步提高光刻系统的分辨率和成像保真度。光源-掩模优化(source-maskoptimization，简称SMO)技术是提高光刻成像分辨率和图形保真度的重要方法之一，SMO利用光源和掩模在成像过程中的耦合关系，在对掩模进行预畸变的同时优化光源的强度分布，能够进一步降低工艺因子和提高光刻系统成像性能。以往的SMO技术主要采用梯度下降法的优化算法对像素化的光源和掩模进行优化，但是由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法，其特征在于，包括：步骤101、将光源初始化为NS×NS的光源图形J，将掩模图形M和目标图形

【技术特征摘要】
1.一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法，其特征在于，包括：步骤101、将光源初始化为NS×NS的光源图形J，将掩模图形M和目标图形栅格化为N×N的图形，其中NS和N均为整数值；步骤102、对所述光源图形J进行逐点扫描，并将所述光源图形J转化为N2×1的光源向量所述光源向量的元素值等于所述光源图形J的对应像素值；对掩模图形M进行逐点扫描，并将M转化为N2×1的掩模向量所述掩模向量的元素值等于所述掩模图形M的对应像素值；对目标图形进行逐点扫描，并将转化为N2×1的目标向量所述目标向量的元素值等于目标图形的对应像素值；步骤103、选定两组组基函数ΨJ和ΨM，使得光源向量和掩模向量分别在ΨJ和ΨM上是稀疏的；将光源向量在ΨJ上展开得到掩模向量在ΨM上展开得到其中和分别为展开后的系数；步骤104、采用初始的掩模图形M计算照明交叉系数ICC矩阵Icc，其大小为N2×NS2；并对目标图形和ICC矩阵Icc降采样分别得到和步骤105、将光源优化SO问题构造为如下的形式：其中指的优化结果；为向量的2范数；λ为权重系数；为向量的1范数；作为约束条件；步骤106、采用梯度...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭，王志强，赵琦乐，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京,11