用于导电电镀的镭射种晶制造技术

一具有例如是一玻璃基板的基板的工件(100)可以藉由一镭射或是藉由其它手段来加以蚀刻以产生凹陷的特点(200、202)。一镭射诱导向前转移(LIFT)制程或是金属氧化物印刷制程可被利用以施加一例如是金属的晶种材料(402)到该玻璃基板之上，尤其是到该些凹陷的特点(200、202)中。若为所要的话，该些种晶后的凹陷的特点可以藉由例如是无电的电镀的现有的技术来加以电镀，以提供具有可预测且更佳的电气特性的导电的特点(500)。该工件(100)可以用一堆栈来加以连接，使得后续堆栈的工件(100)可以在适当处加以修改。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于导电电镀的镭射种晶相关申请案的交互参照此申请案从2016年3月31日申请的美国临时申请案号62/315,913、以及从2016年10月13日申请的美国临时申请案号62/407,848主张优先权益处，该些美国临时申请案以其整体被纳入在此作为参考。著作权声明2017伊雷克托科学工业股份有限公司(ElectroScientificIndustries,Inc.)。本专利文件的揭示内容的一部分包含受著作权保护的材料。著作权所有人并不反对任何人对如同出现于专利商标局的专利档案或记录中的专利文件或专利揭示内容的复制再现，但除此之外的任何情况下都保留所有著作权的权利。
在此所述的实施例大致有关于导线在基板之内的形成。更具体而言，在此所述的实施例有关于凹陷的导线在介电基板之内的形成。
技术介绍
对于高的数据传输速率的增大的需求正驱动着开发更小的印刷电路板(PCB)特点。电路正到达传统PCB介电材料的电磁兼容性可加以控制的物理极限。此外，例如是在先进的覆晶封装中的高密度的特点需要基板具有低的热膨胀系数(CTE)、高的尺寸稳定性、高的导热度、以及适当的介电常数。就此点而言，玻璃提供一些优点，包含其就本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：在工件上形成晶种层，其中形成该晶种层包含导引镭射能量的射束到晶种材料之上；以及利用该晶种层作为晶种来执行电镀制程，以在该晶种层上形成导电的特点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 US 62/315,913;2016.10.13 US 62/407,8481.一种方法，其包括：在工件上形成晶种层，其中形成该晶种层包含导引镭射能量的射束到晶种材料之上；以及利用该晶种层作为晶种来执行电镀制程，以在该晶种层上形成导电的特点。2.如权利要求1所述的方法，其中该工件包括该晶种层被形成在其之上的玻璃基板。3.如权利要求1所述的方法，其中该工件包含基板，该基板包含：氧化铝、铝氮化物、铍氧化物、或是其任意组合、玻璃陶瓷、玻璃接合的陶瓷、聚合物、玻璃填充的聚合物、玻璃纤维强化的聚合物、或是其任意组合。4.如权利要求1或2所述的方法，其中该工件包含具有主要表面的工件基板，并且其中该主要表面是接收该晶种层的裸露的主要表面。5.如权利要求1或2所述的方法，其中该工件包含具有主要表面的工件基板，其中该晶种层被形成在凹陷的特点之内，该凹陷的特点相对于该主要表面凹陷的，其中该凹陷的特点包含凹陷的侧壁表面以及凹陷的底表面中的至少一个。6.如权利要求5所述的方法，其中该凹陷的侧壁表面以及该凹陷的底表面中的至少一个是接收该晶种层的裸露的表面。7.如权利要求5所述的方法，其中该凹陷的侧壁表面以及该凹陷的底表面中的至少一个具有粗糙度是大于该主要表面的粗糙度。8.如权利要求1或2所述的方法，其中该晶种层是无机的。9.如权利要求1或2所述的方法，其中该晶种层包括铜。10.如权利要求1或2所述的方法，其中形成该晶种层包括沉积晶种材料的熔滴，其中该熔滴具有小于10μm的直径。11.如权利要求1或2所述的方法，其中执行该电镀包括执行无电的电镀制程。12.如权利要求1或2所述的方法，其中该导电的特点包括铜。13.如权利要求1或2所述的方法，其中该导电的特点被形成在该工件的凹陷的特点中，并且其中该导电的特点具有小于12μm的宽度。14.如权利要求1或2所述的方法，其中该导电的特点被形成在该工件的凹陷的特点中，并且其中该导电的特点具有小于或等于5μm的宽度。15.如权利要求1或2所述的方法，其中该工件包含工件基板，其中多个导电的特点在小于或等于12μm的间距下被形成在该工件基板中。16.如权利要求1或2所述的方法，其中该导电的特点包括铜，并且其中该导电的特点具有电阻率是小于或等于基体铜的电阻率的1.5倍。17.如权利要求1或2所述的方法，其中该工件包含具有一厚度的工件基板，并且其中该导电的特点具有等于该工件基板的厚度的深度，以形成穿过该工件基板的导电的穿透孔洞。18.如权利要求1或2所述的方法，其中该导电的特点的任何横截面当通过在150倍放大下的光学显微镜观看时呈现没有空孔的。19.如权利要求1或2所述的方法，其中用于沉积晶种材料的该镭射能量的射束具有短于550nm的波长。20.如权利要求1或2所述的方法，其中该镭射能量的射束的特征是小于200kHz的脉冲重复速率以及小于20W的平均功率。21.如权利要求1或2所述的方法，其中该工件具有主要表面以及凹陷的特点，其中该镭射能量的射束使得晶种材料被沉积到该凹陷的特点中，而不将晶种材料沉积到该主要表面之上。22.如权利要求1或2所述的方法，其中形成该晶种层包括：在该工件上设置墨水，该墨水包括金属氧化物；以及藉由利用该镭射能量的射束来照射该墨水以化学还原该金属氧化物。23.如权利要求1或2所述的方法，其中形成该晶种层包括：设置施体结构，其包括对于该镭射能量的射束是通透的载体基板以及施体膜，其中该施体膜面向该工件；以及导引该镭射能量的射束通过该载体基板以撞击该施体膜的部分，使得该施体膜的被该镭射能量所撞击的至少一部分被转移到该工件之上。24.如权利要求23所述的方法，其中该施体结构在该晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰伊尔·卻瑞本恩，杰恩·克雷能特，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US