【技术实现步骤摘要】
一种纠正闪存写入错误处理方法
本专利技术涉及闪存
,具体为一种纠正闪存写入错误处理方法。
技术介绍
闪存为非消失性的存储器装置,能保存数据。不会再失去电力后遗失数据,常见的有存储三个比特的三级单元(TLC),两个比特的多级单元(MLC)闪存以及一个单级单元(SLC)闪存,当单元内储存的比特数越多,容量也越大。不管何种闪存,都需要透过存储器控制芯片控置闪存芯片,存储器控制芯片发出闪存指令(例如读取指令、写入/编程指令和擦除指令)后,闪存芯片做出对应的行为读取或写入数据,当写入/编程指令,闪存回报处理状态,确认写入/编程的数据是否发生错误。错误时会从缓冲区重新写入/编程数据。传统方式会保存数据直到闪存回报写入成功,此方式降低传输效率,必须要等待所有数据都正确写入后,放弃缓冲区内的所有数据,接收新的数据。再多通道时效能损耗更加严重,因为每次都要等所有通道都写完了才能接收新数据,另外一种方式是扩大缓冲区,产生更大的缓冲区能有效解决闪存写入问题,但是此方式会产生巨大的生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种纠正闪存写入错误处理方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种纠正闪存写入错误处理方法,包括主机和存储器控制芯片,所述主机与存储器控制芯片相连,所述存储器控制芯片内设有闪存指令控制装置、第一内部保护数据缓冲区、第二内部保护数据缓冲区以及多个数据缓冲区,多个数据缓冲区连接外部多个闪存。优选的,多个数据缓冲区包括第一数据缓冲区、第二数据缓冲区、第N数据缓冲区,N为大于2的整数;多个闪存包括第一闪存、第二闪存、 ...
【技术保护点】
1.一种纠正闪存写入错误处理方法, 包括主机(1)和存储器控制芯片(2),其特征在于:所述主机(1)与存储器控制芯片(2)相连,所述存储器控制芯片(2)内设有闪存指令控制装置(3)、第一内部保护数据缓冲区(4)、第二内部保护数据缓冲区(5)以及多个数据缓冲区,多个数据缓冲区连接外部多个闪存。
【技术特征摘要】
1.一种纠正闪存写入错误处理方法,包括主机(1)和存储器控制芯片(2),其特征在于:所述主机(1)与存储器控制芯片(2)相连,所述存储器控制芯片(2)内设有闪存指令控制装置(3)、第一内部保护数据缓冲区(4)、第二内部保护数据缓冲区(5)以及多个数据缓冲区,多个数据缓冲区连接外部多个闪存。2.根据权利要求1所述的一种纠正闪存写入错误处理方法,其特征在于:多个数据缓冲区包括第一数据缓冲区(6)、第二数据缓冲区(7)、第N数据缓冲区,N为大于2的整数;多个闪存包括第一闪存(8)、第二闪存(9)、第M闪存,M为大于2的整数,所述数据缓冲区与闪存相对应。3.根据权利要求1所述的一种纠正闪存写入错误处理方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:许豪江,李庭育,黄中柱,谢享奇,
申请(专利权)人:江苏华存电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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