晶边偏移检测方法及系统、机台技术方案

本发明专利技术揭示了一种晶边偏移检测方法及系统、机台，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

【技术实现步骤摘要】
晶边偏移检测方法及系统、机台
本专利技术涉及半导体制程的检测
，特别是涉及一种晶边偏移检测方法及系统、机台。
技术介绍
半导体行业制造日新月异，产品的线宽在不断的减小。伴随着线宽的变小缺陷对产品的良率会产生更大的杀伤，而改善所以造成缺陷的各种因素也越来越成为可以提升半导体良率的重要手段。生产中发现很多缺陷和晶圆的晶边的质量有相关性，好的晶边质量可以有效减少缺陷的源头，从而为提高芯片质量提高好的保证。例如，在电化学镀膜(ECP)工艺后，新镀的膜层会将晶边覆盖，因此需要对晶圆的边缘进行清洗以去除晶上的膜层，一般会在晶边上喷洒清洗液。如果清洗液喷洒偏移，就会造成晶边偏移，在后续的制程中造成缺陷。然而，现有技术中并不能够有效地检测出晶边偏移的状况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种晶边偏移检测方法及系统、机台，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述直线跨过所述晶圆的圆心。进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光，多个所述直线非平行设置。进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，至少两个所述直线相互垂直。进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。根据本专利技术的另一面，还提供一种用于如上任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统，包括：光发射器，沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；光接收器，在所述直线处接受所述晶圆的反射光；以及统计单元，对所述反射光的强弱进行统计。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆，所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光，所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括分析单元，所述分析单元判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则所述分析单元计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；所述分析单元判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括警报单元，所述警报单元连接所述分析单元，如果所述晶圆的晶边偏移，则所述警报单元发出警报。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括光电转化单元，所述光电转化单元连接所述统计单元和光接收器，所述光电转化单元将所述光接收器接收到的光信号转化为电信号后，将所述电信号发送给所述统计单元。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括显示单元，对所述反射光的统计结果进行显示。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述统计结果为所述反射光在不同位置的图和/或所述反射光在不同位置的表。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括支架，所述支架上设置有至少一轨道，所述轨道在所述直线上延伸，所述光发射器和所述光接收器在所述轨道上运动。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括电源线，所述电源线将一电源的电压提供给所述光发射器和所述光接收器。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述电源线在所述支架上延伸。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述电源线为可收缩电源线。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括光电信号传输线，所述电信号传输线向所述光发射器提供用于发出所述光的光电信号。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统包括多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述直线非平行设置。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，至少两个所述直线垂直设置。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述直线跨过所述晶圆的圆心。进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。根据本专利技术的又一面，还提供一种机台，包括如上任意一项所述的晶边偏移检测系统。与现有技术相比，本专利技术提供的晶边偏移检测方法及系统、机台具有以下优点：在本专利技术提供的晶边偏移检测方法及系统、机台中，所述晶边偏移检测方法包括沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移，所述晶边偏移检测方法，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况，减小因晶边偏移造成的不良。进一步的，在本专利技术提供的晶边偏移检测方法及系统、机台中，所述晶边偏移检测系统包括：光发射器、光接收器以及统计单元，所述光发射器沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区，所述光接收器在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述统计单元对所述反射光的强弱进行统计，所述晶边偏移检测系统的结构简单，可以方便的地检测出晶边偏移的状况；并且，所述晶边偏移检测系统可以集成到现有的机台中，在现有制程的制备过程中即可检测晶边偏移的状况，不会增加成本，不影响产能。附图说明图1为晶圆一面的俯视图；图2为晶圆的主视图；图3和图4为晶圆的晶边偏移时的俯视图；图5本专利技术一实施例中晶边偏移检测方法的流程图；图6为本专利技术一实施例中晶边偏移检测系统的俯视图；图7为本专利技术一实施例中晶边偏移检测系统的主视图；图8为本专利技术一实施例中晶边偏移检测系统的左视图；图9为本专利技术一实施例中一直线处反射光的强度示意图；图10为本专利技术一实施例中另一直线处反射光的强度示意图。具体实施方式如图1和图2所示，晶圆100的一面(一般为晶圆的正面，即具有图形的一面)具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，其特征在于，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

【技术特征摘要】
1.一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，其特征在于，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。2.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，所述直线跨过所述晶圆的圆心。3.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光，多个所述直线非平行设置。4.如权利要求3所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，至少两个所述直线相互垂直。5.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。6.一种用于如权利要求1至4中任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统，其特征在于，包括：光发射器，沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；光接收器，在所述直线处接受所述晶圆的反射光；以及统计单元，对所述反射光的强弱进行统计。7.如权利要求5所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆，所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光，所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。8.如权利要求5或6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括分析单元，所述分析单元判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则所述分析单元计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；所述分析单元判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。9.则判断所述第一强度...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪红英，孙强，陈思安，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31