半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法技术

本发明专利技术涉及半导体8寸晶元薄膜制程的E‑MAX工艺的石英零部件的再生方法。本发明专利技术液态二氧化碳通过雾化喷嘴雾化后在混合腔内和液氮混合后制取干冰颗粒，液氮和干冰颗粒混合物射流通过喷管喷射到待再生石英零部件表面，制备方法简单，液氮和液态二氧化碳来源广，作业完成后在周围环境的作用下，液氮挥发为氮气，干冰升华为二氧化碳，环保无污染无毒；液氮和干冰颗粒射流在石英零部件表面产生低温冲击区，使得石英零部件表面温度急剧降低并收缩，从而使得石英零部件内部和冲击面产生较大的拉应力，使得零部件表面的污染物被剥离；干冰颗粒硬度极低，对石英零部件表面打击力弱，不会对石英零部件表面产生损伤；再生工艺简单，再生效果好，成本低。

Regeneration of quartz parts in E-MAX process with semiconductor 8 inch wafer fabrication process

The invention relates to a regeneration method for quartz parts in the E 8 MAX process of semiconductor semiconductor wafer fabrication. The liquid carbon dioxide of the invention is atomized by an atomizing nozzle and mixed with liquid nitrogen to produce dry ice particles. The mixture of liquid nitrogen and dry ice particles is sprayed to the surface of the quartz parts to be regenerated through a nozzle. The preparation method is simple, the liquid nitrogen and the liquid carbon dioxide are widely sources, and the effect on the surrounding environment after the operation is completed. Under this condition, liquid nitrogen volatilizes into nitrogen, dry ice sublimates into carbon dioxide, which is non-polluting and non-toxic. Liquid nitrogen and dry ice particle jets produce a low temperature impact zone on the surface of quartz parts, which makes the surface temperature of quartz parts decrease sharply and shrink, so that the internal and impact surface of quartz parts produce greater tensile stress and zero. The contaminants on the surface of the parts are peeled off; the hardness of dry ice particles is very low, and the impact on the surface of the quartz parts is weak, so the surface of the quartz parts will not be damaged; the regeneration process is simple, the regeneration effect is good, and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法
本专利技术属于半导体制程工艺产品再生
，涉及半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法。
技术介绍
在半导体制程工艺中，需要超净环境，半导体制程设备尤其是腔室的零部件在安装使用前需要去除表面的颗粒杂质等污染物以达到加工工艺要求。随着半导体技术的发展，半导体器件正加速朝着细微化、高密度化/高集成化方向发展，半导体制造现场中的颗粒、金属杂质、表面吸附化学物质等非常微小的沾污物质也变得足以影响半导体器件的合格率和可靠性，因此，半导体器件的清洗工艺也变得越来越重要。清洗方法可分为物理清洗和化学清洗，化学清洗又包括水溶液清洗(湿法清洗)和气相清洗(干式清洗)。半导体器件的清洗方法如多槽浸渍式清洗方法设备庞大，占地空间大，消耗大量的药液和纯水，而且排出大量的废液和废气，造成生产成本高，而且造成环境的污染，不利于环保；还有如传统的用有机溶剂擦洗去除表面易除去的颗粒，然后再用化学溶液(如H2SO4、HNO3、HCl、HF等)浸泡半导体器件，从而去除表面的污染物；用有机溶剂擦洗只能去除表面上一些比较疏松的颗粒和污染物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体8寸晶元薄膜制程的E‑MAX工艺的石英零部件的再生方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将待再生的半导体8寸晶元薄膜制程的E‑MAX工艺的石英零部件用旋转夹紧装置夹紧固定；（2）将储气瓶中的液态二氧化碳经雾化喷嘴喷出到混合腔室内，将液氮罐中的液氮经液氮喷嘴喷射到混合腔室内和雾化二氧化碳液滴混合再经喷管加速从喷射出口形成液氮和干冰混合物射流喷射到待再生的石英零部件表面进行再生；（3）液氮和干冰混合物射流将石英零部件表面的污染物带走，液氮在周围环境下迅速挥发为氮气，干冰升华为二氧化碳挥发；（4）将再生完成后的石英零部件用去离子水清洗后直接用镜头纸擦拭干净即可。

【技术特征摘要】
1.半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将待再生的半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件用旋转夹紧装置夹紧固定；（2）将储气瓶中的液态二氧化碳经雾化喷嘴喷出到混合腔室内，将液氮罐中的液氮经液氮喷嘴喷射到混合腔室内和雾化二氧化碳液滴混合再经喷管加速从喷射出口形成液氮和干冰混合物射流喷射到待再生的石英零部件表面进行再生；（3）液氮和干冰混合物射流将石英零部件表面的污染物带走，液氮在周围环境下迅速挥发为氮气，干冰升华为二氧化碳挥发；（4）将再生完成后的石英零部件用去离子水清洗后直接用镜头纸擦拭干净即可。2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法，其特征在于：所述步骤（2）中的液态二氧化碳在储气瓶中自有压力为4.5MPa以上。3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的E-MAX工艺的石英零部件的再生方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：范银波，
申请(专利权)人：苏州珮凯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32