晶圆切割保护膜结构与使用其之切割晶圆制造技术

本实用新型专利技术涉及一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构，该保护膜结构其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；其中，该热传导组成物层及人工石墨片层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性。

Wafer cutting protective film structure and cutting wafer using the wafer

The utility model relates to a protective film structure, in particular to a wafer cutting protective film structure, which in turn comprises a separation layer, a heat conductive component layer, an artificial graphite sheet layer, a pressure sensitive adhesive layer and a cutting layer, wherein the heat conductive component layer and an artificial graphite sheet layer can provide good results. The thermal conductivity, EMI shielding and bending properties can effectively enhance the heat uniformity and heat dissipation of semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割保护膜结构与使用其之切割晶圆
本创作系关于一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构。
技术介绍
半导体晶圆封装后，可使用于各种电子产品中，而由于电子产品（如智能型手机或平板点脑等）日趋轻薄化的需求，如何能使半导体装置能更加轻薄一直都是产业的开发目标。此外，电子产品如何能有效地散热，维持使用时的效能亦为重要的开发，3C产品常常会有过热造成机体当机，影响使用的情况。半导体制程发展至今，在切晶及黏晶工序时，一般会先将晶圆黏附在黏晶切割胶膜上进行切割，当晶圆切割成晶粒要配置在电路板时，该黏晶切割胶膜之黏着剂层可移转到晶粒上，使晶粒被拾取后能直接附着固定在电路板上完成黏晶。即，黏晶切割胶膜不同于早期晶圆黏结薄膜贴合制程工序，晶粒必须另使用黏着剂附着至电路板后，经热固化才可黏着，即可免除晶粒在黏结薄膜贴合制程工序时，会有溢胶、晶粒倾斜及热处理对晶圆的伤害之问题。
技术实现思路
本创作者发现黏晶切割胶膜常用的黏着剂层多为单层结构，其主要为包含丙烯酸聚合物、含有不饱和烃基之环氧树脂及热硬化剂的组成物，并视需要添加二氧化硅等填料，然而，此种组成物在黏晶后往往使半导体装置热传导性低，散热性不佳之情况，造成使用效能不佳，进而影响到使用的电子产品。是以，为提升半导体装置之散热性及使用效能，本创作欲提供一种多层结构之黏晶切割胶膜，其包含人工石墨层及热传导组成物层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性，以提升使用之电子产品的效能。即，本创作提供一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层。进一步地，该人工石墨片层之厚度为7~40μm。进一步地，该人工石墨片层具有均匀分布的穿孔，该穿孔之孔径大小为300~2500μm，孔间距为500~4500μm。进一步地，该热传导组成物层包含环氧树脂50~60wt%、填料30~50wt及固化剂1~10wt%。进一步地，该环氧树脂系选自由双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚S环氧树脂、二羟基联苯环氧树脂、酚醛环氧树脂、邻甲酚醛环氧树脂及其组合所组成之群组。进一步地，该填料系择自由Al2O3、BN、AlN、石墨及其组合所组成之群组。本创作另提供一种切割晶圆，其系将上述之晶圆切割保护膜结构的一离形膜移除后，附着至一晶圆，形成依序为一切割层、一压感黏着层、一人工石墨片层、一热传导组成物层及该晶圆之结构。附图说明图1为本创作之晶圆切割保护膜结构。图2为本创作之晶圆切割保护膜结构之制造方法。图3A-图3B为本创作之具有人工石墨片层之压感黏着层。图4为本创作之切割晶圆。具体实施方式有关本创作之详细说明及
技术实现思路
，现就配合图式说明如下。再者，本创作中之图式，为说明方便，其比例未必照实际比例绘制，该等图式及其比例并非用以限制本创作之范围，在此先行叙明。本创作提供一种晶圆切割保护膜结构，依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层，其实例如图1所示，该晶圆切割保护膜结构1依序包含离形层3、一热传导组成物层5、一人工石墨片层7、一压感黏着层9及一切割层11。上述之离形层可由下列材料制成之薄膜组成，例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚乙烯基氯、乙烯基氯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、离子交联聚合物树脂、乙烯/(甲烯)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚酰亚胺及含氟树脂。离形层可具有表面张力40毫牛顿/米或以下，较好为37毫牛顿/米或以下，更佳为35毫牛顿/米或以下，厚度通常为5~300微米，较好为10~200微米，更佳为20~150微米。上述之热传导组成物层包含环氧树脂50~60wt%、填料30~50wt及固化剂1~10wt%；该环氧树脂可为50wt%、55wt%或60wt%；该填料可为30wt%、35wt%、40wt%、45wt%或50wt%；该固化剂可为1wt%、3wt%、5wt%、7wt%或10wt。上述之环氧树脂为一双官能环氧树脂或一多官能环氧树脂，且系选自由双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚S环氧树脂、二羟基联苯环氧树脂、酚醛环氧树脂、邻甲酚醛环氧树脂及其组合所组成之群组；其中，以双酚A环氧树脂为较佳。上述之填料系择自由Al2O3、BN、AlN、石墨及其组合所组成之群组；其中，以Al2O3、BN或石墨为较佳。上述之热传导组成物层之厚度可为5~40μm，以7~35μm为较佳，例如5μm、7μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm及40μm。上述之人工石墨片层为的热传导效率为500~1800W/m•k，密度为0.8~2.5g/cm3，导电率为10000~20000S/cm，延伸强度为20~40Mpa，EMI遮蔽大于40dB及5GHz，材质较佳为使用聚酰亚胺薄膜碳化所得之人工石墨片层，但不限于此。且，人工石墨片层之厚度为7~40μm，例如7μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm或40μm，具有均匀分布的穿孔，该穿孔之孔径大小为300~2500μm，例如300μm、400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm、1100μm、1200μm、1300μm、1400μm、1500μm、1600μm、1700μm、1800μm、1900μm、2000μm、2100μm、2200μm、2300μm、2400μm或2500μm；该穿孔间距为500~4500μm，例如500μm、800μm、1000μm、1300μm、1500μm、1700μm、2000μm、2300μm、2500μm、2800μm、3000μm、3300μm、3500μm、3800μm、4000μm、4300μm或4500μm。上述之压感黏着层可为通用压感黏着剂所获得，包含丙烯酸系共聚物黏着剂、硅酮类压感黏着剂、橡胶类压感黏着剂或其等之组合，且不限于此等。其中，该压感黏着层较佳为使用丙烯酸系共聚物黏着剂，厚度为5~60μm，较佳为10~55μm，最佳为15~50μm。上述之切割膜可使通用的切割用基材膜，其实例包含聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯类、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯类、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯或其等组合所共聚而成之树脂组成物，且不限于此等。该切割膜之厚度为10~200μm，例如10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm、190μm及200μm。本创作之晶圆切割保护膜结构之制造方法，其步骤如下：(a)将热传导聚合组成物涂布于一离形层，形成一热传导组成物层；(b)将具有人工石墨片层之压感黏着层附着于该热传导组成物层，形成依序为该离形层、该热传导组成物层、该人工石墨片层及该压感黏着层之结构，并进行层压；(c)将步骤(b)层压后之结构以该压感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；所述热传导组成物层由热传导聚合组成物经涂布并熟化获得。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；所述热传导组成物层由热传导聚合组成物经涂布并熟化获得。2.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构，其中该人工石墨片层之厚度为7～40μm。3.如请求项2所述之晶圆切割保护膜结构，其中该人工石墨片层具有均匀分布的穿孔，该穿孔之孔径大小为300～2500μm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宪徽，伍德，颜铭佑，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42