接触孔的形成方法及图像传感器技术

本发明专利技术技术方案公开了一种接触孔的形成方法及图像传感器，所述接触孔的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层上和第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使像素区的第二绝缘层的表面与逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀层间介质层、第二绝缘层及第一绝缘层至露出金属硅化物阻挡层和像素区的器件结构，形成接触孔。本发明专利技术的技术方案可以在接触孔刻蚀时减少金属硅化物的损耗，从而降低接触孔的接触电阻。

Contact hole forming method and image sensor

The technical scheme of the invention discloses a method for forming a contact hole and an image sensor. The forming method of the contact hole includes: providing a semiconductor substrate, defining a logical region and a pixel region on the semiconductor substrate, forming a device structure in the logical region and a pixel region respectively, and forming a first insulation on the device structure in the pixel region. A second insulating layer is formed on the metal silicide barrier layer on the metal silicide barrier layer and the first insulating layer; a second insulating layer in the pixel area is etched to make the surface of the second insulating layer in the pixel area level with the surface of the second insulating layer in the logic area; and a second insulating layer with a flat surface is formed on the first insulating layer. The interlayer dielectric layer is formed on the edge layer, and the device structure from the interlayer dielectric layer, the second insulating layer and the first insulating layer to the metal silicide barrier layer and the pixel region is etched to form a contact hole. The technical scheme of the invention can reduce the loss of metal silicide during the etching of the contact hole, thereby reducing the contact resistance of the contact hole.

【技术实现步骤摘要】
接触孔的形成方法及图像传感器
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及接触孔的形成方法及图像传感器。
技术介绍
随着半导体器件制作技术的飞速发展，越来越多的人希望能够降低接触孔结构的电阻，从而提高整体性能。在图像传感器的制造工艺中，为了降低接触孔的接触电阻，常会采用硅化物区域阻挡(SilicideAreaBlock，SAB)的方式在逻辑区形成金属硅化物阻挡层，由于像素区不能接触金属，在进行金属硅化物阻挡时会先用绝缘层挡住像素区。然而，现有的工艺在接触孔刻蚀时，逻辑区的金属硅化物会有较多的损失，金属硅化物损耗越多，接触电阻相对越大。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是现有的接触孔的接触电阻较大。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种接触孔的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，所述逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在所述像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在所述逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使所述像素区的第二绝缘层的表面与所述逻辑区的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，所述逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在所述像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在所述逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使所述像素区的第二绝缘层的表面与所述逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的所述第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层、所述第二绝缘层及所述第一绝缘层至露出所述金属硅化物阻挡层和所述像素区的器件结构，形成接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，所述逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在所述像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在所述逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使所述像素区的第二绝缘层的表面与所述逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的所述第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层、所述第二绝缘层及所述第一绝缘层至露出所述金属硅化物阻挡层和所述像素区的器件结构，形成接触孔。2.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述在所述像素区的器件结构上形成第一绝缘层包括：在所述逻辑区和像素区的器件结构上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成光刻胶层；采用曝光工艺去除所述逻辑区的光刻胶层；以曝光后的光刻胶层为掩模，刻蚀去除所述逻辑区的第一绝缘层。3.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用自对准金属硅化物工艺在所述逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层。4.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述刻蚀像素区的第二绝缘层，以使所述像素区的第二绝缘层的表面与所述逻辑区的第二绝缘层的表面齐平包括：在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐翼丰，王杰，刘家桦，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32