影像感测器及感测像素阵列制造技术

技术编号:18946218 阅读:28 留言:0更新日期:2018-09-15 12:18
本发明专利技术是公开一种使用于影像感测器之感测像素阵列,感测像素阵列包含复数个感测像素单元,每一感测像素单元至少包括光电二级管元件、列重置电晶体、缓冲电晶体及行控制电晶体,光电二级管元件将光转换产生感测讯号,列重置电晶体耦接至参考重置讯号、光电二级管元件以及受控于列重置讯号,缓冲电晶体耦接至光电二级管元件之输出以缓冲接收该感测讯号,行控制电晶体电性连接至缓冲电晶体之控制端或其输出,作为开关并根据对应于感测像素单元之行控制讯号而切换为开路或闭路,当列重置电晶体导通时,控制是否传递参考重置讯号之电荷至暂存电容。

Image sensor and sensing pixel array

The present invention discloses a sensor pixel array for use in an image sensor. The sensor pixel array contains a plurality of sensing pixel units. Each sensing pixel unit includes at least photodiode elements, column reset transistors, buffer transistors and row control transistors. The photodiode elements convert light into sensing signals. The column reset transistor is coupled to the reference reset signal, the photodiode element, and the controlled column reset signal, the buffer transistor is coupled to the output of the photodiode element to buffer the sensing signal, and the row control transistor is electrically connected to the control end of the buffer transistor or its output as a switch and according to the corresponding When the column reset transistor is turned on, the charge of the reference reset signal is controlled to the temporary capacitance.

【技术实现步骤摘要】
影像感测器及感测像素阵列
本专利技术是关于一种影像感测机制,尤指一种新颖架构的影像感测器及感测像素阵列。
技术介绍
一般而言,对于现有传统的感测像素单元之架构,读取一感测像素单元之感测讯号电荷及重置讯号电荷的操作是采用多组电容来暂存该些电荷,每组电容包括两个电容,例如当一列选择讯号选取某一列(row)时同时将该同一列上多个感测像素单元之感测讯号电荷读取至多组电容中的其中一电容,而接着再同时对该些感测像素单元进行重置,并同时将该同一列上多个感测像素单元之重置讯号电荷读取至多组电容中的另一电容,因此对于现有传统的感测像素单元之架构,读取电路的设计必然需要多组电容,导致其实际电路面积较大,不符合现今电路面积之设计渐趋变小的发展趋势。
技术实现思路
因此本专利技术的目的之一在于提供一种新颖的影像感测器及感测像素阵列,以解决现有技术的问题。根据本专利技术实施例,其揭露了一种影像感测器,该影像感测器包含复数感测像素单元与一处理电路,其中一感测像素单元至少包含一光电二级管元件、一列重置电晶体、一缓冲电晶体、一暂存电路及一行控制电晶体。光电二级管元件用以将光转换产生一感测讯号。列重置电晶体具有一第一端耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像感测器,其特征在于,包含:复数个感测像素单元,其中一感测像素单元至少包含:一光电二级管元件,用以将光转换产生一感测讯号;一列重置电晶体,具有一第一端耦接至一参考重置讯号、一第二端耦接至该光电二级管元件、一控制端受控于一列重置讯号;一缓冲电晶体,具有一控制端耦接至该光电二级管元件之一输出以缓冲接收该感测讯号;一暂存电容,电性耦接至该缓冲电晶体与一接地准位之间,用以暂存该感测讯号之电荷;以及一行控制电晶体,电性连接至该缓冲电晶体之该控制端或该缓冲电晶体之一输出,用以作为一开关并根据对应于该感测像素单元之一行控制讯号而切换为开路或闭路,当该列重置电晶体导通时,控制是否传递该参考重置讯号之...

【技术特征摘要】
1.一种影像感测器,其特征在于,包含:复数个感测像素单元,其中一感测像素单元至少包含:一光电二级管元件,用以将光转换产生一感测讯号;一列重置电晶体,具有一第一端耦接至一参考重置讯号、一第二端耦接至该光电二级管元件、一控制端受控于一列重置讯号;一缓冲电晶体,具有一控制端耦接至该光电二级管元件之一输出以缓冲接收该感测讯号;一暂存电容,电性耦接至该缓冲电晶体与一接地准位之间,用以暂存该感测讯号之电荷;以及一行控制电晶体,电性连接至该缓冲电晶体之该控制端或该缓冲电晶体之一输出,用以作为一开关并根据对应于该感测像素单元之一行控制讯号而切换为开路或闭路,当该列重置电晶体导通时,控制是否传递该参考重置讯号之电荷至该暂存电容;以及一处理电路,耦接至该些感测像素单元,用以产生该列重置讯号以及该行控制讯号。2.如权利要求1所述之影像感测器,其特征在于,其中该行控制电晶体与该列重置电晶体串联,该行控制电晶体耦接于该参考重置讯号与该列重置电晶体之间,以及该列重置电晶体耦接于该行控制电晶体与该缓冲电晶体之该控制端之间。3.如权利要求1所述之影像感测器,其特征在于,其中该行控制电晶体与该列重置电晶体串联,该列重置电晶体耦接于该行控制电晶体与该参考重置讯号之间,以及该行控制电晶体耦接于与该列重置电晶体与该缓冲电晶体之该控制端之间。4.如权利要求1所述之影像感测器,其特征在于,其中该感测像素单元另包含:一转移电晶体,具有一控制端耦接并受控于一列控制讯号,以及具有一第一端耦接至该缓冲电晶体之该输出、一第二端电性耦接至该暂存电容;其中该行控制电晶体与该转移电晶体串联,该行控制电晶体耦接于该缓冲电晶体之输出与该转移电晶体之间,以及该转移电晶体耦接于该行控制电晶体与该暂存电容之间,该列控制讯号由该处理电路所产生。5.如权利要求1所述之影像感测器,其特征在于,其中该感测像素单元另包含:一转移电晶体,具有一控制端耦接并受控于一列控制讯号,以及具有一第一端耦接至该缓冲电晶体之该输出、一第二端电性耦接至该暂存电容;其中该行控制电晶体与该转移电晶体串联,该转移电晶体耦接于该行控制电晶体与该缓冲电晶体之输出之间,以及该行控制电晶体耦接于与该转移电晶体与该暂存电容之间,该列控制讯号由该处理电路所产生。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鹏升邱瑞德刘汉麒
申请(专利权)人:原相科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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