一种晶圆间金属层互联工艺制造技术

本申请一种金属层互连工艺，涉及传感器的制备领域，通过在互连线的制备工艺时，直接刻蚀器件晶圆至底部金属层上方的介质层，以形成互连凹槽，并基于该互连凹槽继续刻蚀其下方的薄膜至逻辑晶圆的顶部金属层的保护层，形成互连通孔后，同时去除互连通孔和互联凹槽底部的薄膜，以将上述的底部金属层和顶部金属层暴露，进而形成连接上述器件晶圆和逻辑晶圆的互连线，相较于传统制备互连线的工艺，本申请请求保护的技术方案能极大简化工艺步骤，进而大大降低工艺成本，便于大规模的生产和应用。

Interconnect technology for metal layer between wafers

The present application relates to a metal layer interconnection process in the field of sensor fabrication by etching directly the dielectric layer from the device wafer to the top of the bottom metal layer during the interconnection fabrication process to form an interconnection groove, and continuing to etch the protective layer from the film below to the top metal layer of the logical wafer based on the interconnection groove. After forming the interconnection through-hole, the interconnection through-hole and the film at the bottom of the interconnection groove are removed simultaneously to expose the bottom metal layer and the top metal layer, thereby forming an interconnect connecting the device wafer and the logical wafer. Compared with the traditional interconnect fabrication process, the technical scheme for requesting protection in this application can be greatly simplified. The technological process is greatly reduced, and the process cost is greatly reduced for large-scale production and application.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆间金属层互联工艺
本专利技术涉及传感器的制备领域，具体涉及一种晶圆间金属层互联工艺。
技术介绍
在堆栈式（stacking）产品的制备过程中，均是通过制备互连结构，以将键和的不同晶圆器件结构之间的器件结构连接起来；尤其是位于不同晶圆的金属层之间的互连工艺更是关系着最终产品的性能。但是，目前不同晶圆的金属层间的互联工艺非常复杂，工艺成本较高，不利于大规模的生产和应用。中国专利（CN101675515）记载了一种用于互连堆栈式集成电路裸片的电路及方法，主要是通过经由相应的晶体管选择性地将相同的堆栈式集成电路裸片中的每一者上的第一及第二接合垫耦合到制作于所述裸片上的相应电路来向及从所述裸片路由信号，以使得连接到上部裸片的所述第一接合垫的晶体管导电，而连接到所述上部裸片的所述第二接合垫的晶体管不导电。使连接到下部裸片的所述第二接合垫的晶体管导电,而使连接到所述下部裸片的所述第一接合垫的晶体管不导电。所述上部裸片的所述第二接合垫通过延伸穿过所述上部裸片的晶片互连件连接到所述下部裸片的所述第二接合垫。分别通过所述第一及第二接合垫向及从所述第一及第二裸片上的电路路由信号。但其在具体的器件制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属层互连工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一由第一晶圆和第二晶圆键合形成的键合晶圆，且在该键合晶圆中，所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方，所述第一晶圆包括第一金属层及覆盖在该第一金属层上表面的第一绝缘层，所述第二晶圆包括第二金属层及覆盖在该第二金属层上表面的第二绝缘层；部分刻蚀所述第二晶圆至所述第二绝缘层的上表面，形成互连凹槽；制备第三绝缘层，并部分刻蚀位于所述互连凹槽底部的所述第三绝缘层至所述第一绝缘层的上表面，形成互连孔；采用刻蚀工艺，去除所述互连孔所暴露的第一绝缘层至所述第一金属层的上表面，同时去除所述互连凹槽所暴露的第二绝缘层至所述第二金属层的上表面；于所述互连孔和所述互连...

【技术特征摘要】
1.一种金属层互连工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一由第一晶圆和第二晶圆键合形成的键合晶圆，且在该键合晶圆中，所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方，所述第一晶圆包括第一金属层及覆盖在该第一金属层上表面的第一绝缘层，所述第二晶圆包括第二金属层及覆盖在该第二金属层上表面的第二绝缘层；部分刻蚀所述第二晶圆至所述第二绝缘层的上表面，形成互连凹槽；制备第三绝缘层，并部分刻蚀位于所述互连凹槽底部的所述第三绝缘层至所述第一绝缘层的上表面，形成互连孔；采用刻蚀工艺，去除所述互连孔所暴露的第一绝缘层至所述第一金属层的上表面，同时去除所述互连凹槽所暴露的第二绝缘层至所述第二金属层的上表面；于所述互连孔和所述互连凹槽中填充金属材料，以形成互连结构。2.如权利要求1所述的金属层互连工艺，其特征在于，还包括：形成所述互连孔后，继续制备第四绝缘层覆盖所述互连孔的侧壁；继续所述刻蚀工艺后，将位于所述互连孔底部的第一金属层的上表面和位于所述互连凹槽底部的第二金属层的上表面暴露。3.如权利要求2所述的金属层互连工艺，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴超，
申请(专利权)人：吴超，
类型：发明
国别省市：江苏,32