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本申请一种金属层互连工艺，涉及传感器的制备领域，通过在互连线的制备工艺时，直接刻蚀器件晶圆至底部金属层上方的介质层，以形成互连凹槽，并基于该互连凹槽继续刻蚀其下方的薄膜至逻辑晶圆的顶部金属层的保护层，形成互连通孔后，同时去除互连通孔和互联凹...
该专利属于吴超所有，仅供学习研究参考，未经过吴超授权不得商用。

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