锗硅外延制造方法技术

本发明专利技术公开了一种锗硅外延制造方法，包括以下步骤：SiCoNi刻蚀去除氧化层；利用氢气去除碳；锗硅外延制造；制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；淀积硅覆盖层。本发明专利技术的锗硅外延制造方法能避免由于锗硅锗硅外延结节造成的器件击穿电压降低，进而提高器件的性能。

Manufacturing method of germanium silicon epitaxy

The invention discloses a germanium-silicon epitaxy manufacturing method, which comprises the following steps: SiCoNi etching removing oxide layer; hydrogen removing carbon; germanium-silicon epitaxy manufacturing; manufacturing protective layer to cover germanium-silicon epitaxy nodule completely; whole etching removing protective layer according to the thickness of protective layer; depositing silicon coating. The germanium silicon epitaxy manufacturing method of the invention can avoid the device breakdown voltage reduction caused by the germanium silicon germanium silicon epitaxy nodule, thereby improving the device performance.

【技术实现步骤摘要】
锗硅外延制造方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种锗硅外延制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管,统称为PMOS晶体管。参考图1、图2所示，现有锗硅外延生产工艺如下：1、SiCoNi刻蚀去除氧化层；SiCoNi即siliconnickelcobalt是美国应用材料公司在镍硅化物工艺中开发的清洁工艺。2、H2(氢)去除carbon(碳)；3、锗硅外延制造(生长)；4、淀积硅覆盖层。在先进的28nm及以下PMOSSiGe外延工艺生产中容易发生硅结节(硅结节，是生产中硅残留形成的凸起、小瘤)。该硅结节通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锗硅外延制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SiCoNi刻蚀去除氧化层；2)利用氢气去除碳；3)锗硅外延制造；4)制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；5)按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；6)淀积硅覆盖层。

【技术特征摘要】
1.一种锗硅外延制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SiCoNi刻蚀去除氧化层；2)利用氢气去除碳；3)锗硅外延制造；4)制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；5)按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；6)淀积硅覆盖层。2.如权利要求1所述的锗硅外延制造方法，其特征在于：步骤4)的保护层为硅层。3.如权利要求2所述的锗硅外延制造方法，其特征在于：所述硅层包含硅烷(SiH4)、二氯硅烷(SiH2Cl2,DCS)或三氯硅烷(SiH2Cl3,TCS)。4.如权利要求2所述的锗硅外延制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑印呈，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31