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本发明公开了一种锗硅外延制造方法，包括以下步骤：SiCoNi刻蚀去除氧化层；利用氢气去除碳；锗硅外延制造；制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；淀积硅覆盖层。本发明的锗硅外延制造方法能避免由于锗硅锗硅外延...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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