The invention provides an integrated circuit capacitor and its manufacturing method and semiconductor device. The integrated circuit capacitor comprises a first electrode plate, a capacitive dielectric layer on the first electrode plate and a second electrode plate on the capacitive dielectric layer, which comprises a multilayer crystalline first dielectric layer and a first dielectric layer. At least one doping element is doped to make the crystalline state of the first dielectric layer quadrangular, so as to obtain the first crystalline dielectric layer with higher K value, enhance the capacitance value of the capacitor, and optimize the capacitance characteristics of the capacitor dielectric layer.
【技术实现步骤摘要】
集成电路电容器及其制造方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种集成电路电容器及其制造方法、半导体器件。
技术介绍
在集成电路电容器中,随着尺寸微缩,高介电常数材料取代传统的介电层SiO2,不仅可以维持足够的的驱动电流,且可以在保持相同等效氧化层厚度(equivalentoxidethickness,EOT)的情况下增加氧化层的实际物理厚度,有效抑制量子隧穿效应。然而,DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存取存储器)单元数组上的储存电容区域(storagecapacitorarea)的微缩,其电容值(Capacitance)以微缩尺寸平方的速度下降,维持电荷于电容的记忆数据时间以指数函数的方式下降,增加功率消耗。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种集成电路电容器及其制造方法、半导体器件,获取较高K值的结晶态介电层,提升电容值,优化电容介电层电容特性。为实现上述目的,本专利技术提供一种集成电路电容器,包括:第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板,其中,所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层,且所述、第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素,以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。可选的,所述电容介电层还包括多层第二介电层,所述第二介电层与所述第一介电层交错层叠设置。可选的,所述第一介电层包括氧化锆层或氧化铪层;所述掺杂元素的原子半径小于锆或铪的原子半径;所述第二介电层包括氧化铝层。可选的,所述掺杂元素包括锗或/和硅。可选的,所述掺杂元素的含量介于3at.%~9 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路电容器,其特征在于,包括:第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板,其中,所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层,且所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素,以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路电容器,其特征在于,包括:第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板,其中,所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层,且所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素,以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。2.如权利要求1所述的集成电路电容器,其特征在于,所述电容介电层还包括多层第二介电层,所述第二介电层与所述第一介电层交错层叠设置。3.如权利要求2所述的集成电路电容器,其特征在于,所述第一介电层包括氧化锆层或氧化铪层;所述掺杂元素的原子半径小于锆或铪的原子半径;所述第二介电层包括氧化铝层。4.如权利要求1所述的集成电路电容器,其特征在于,所述掺杂元素包括锗或/和硅。5.如权利要求4所述的集成电路电容器,其特征在于,所述掺杂元素的含量介于3at.%~9.3at.%之间。6.如权利要求4所述的集成电路电容器,其特征在于,所述掺杂元素的含量介于4.1at.%~6.2at.%之间。7.如权利要求1所述的集成电路电容器,其特征在于,所述电容介电层还包括附着层,所述附着层位于所述第一电极板与所述第一介电层之间。8.如权利要求1所述的集成电路电容器,其特征在于,所述电容介电层的总厚度介于4nm~10nm之间。9.一种集成电路电容器的制造方法,其特征在于,包括:形成第一电极板;形成电容介质层在所述第一电极板上,所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层,所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素,以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构;以及,形成第二电极板在所述电容介质层上。10.如权利要求9所述的集成电路电容器的制造方法,其特征在于,所述电容介电层还包括多层第二介电层,所述第二介电层与所述第一介电层交错层叠设置。11.如权利要求10所述的集成电路电容器的制造方法,其特征在于,所述第一介电层包括氧化锆层或氧化铪层;所述掺杂元素的原子半径小于锆或铪的原子半径;所述第二介电层包括氧化铝层。12.如权利要求9所述的集成电路电容器的制造方法,其特征在于,所述掺杂元素包括锗或/和硅。13.如权利要求12所述的集...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:睿力集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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