The utility model discloses an organic light emitting diode. It comprises a silicon carbide substrate, an aluminium nitride buffer layer, a cathode layer, a photosensitive resin layer, an organic layer, an anode layer and a glass panel in turn. The refractive index of the anode layer is greater than that of the glass panel. The organic layer comprises an isolation layer matrix distributed on the photosensitive resin layer and a luminous layer arranged between multiple isolation layers. The surface of the luminous layer is depressed to form a curved surface. The anode layer has a plurality of through holes corresponding to the position of the luminous layer. The lattice constants of the layers are larger than those of GaN and Al Gan layers. The utility model can improve the angle range of the exit light.
【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种有机发光二极管。
技术介绍
现行多数有机发光二极管一般由阴极层、发光层、阳极层和玻璃层依次层叠组成,电子和空穴分别从阴极和阳极注入,在发光层形成激子并激发发光层材料发光。在这一模式中,由于折射率的固有属性,部分光从发光层入射至阳极层后,在阳极层发生折射,使得阳极层光的折射角大于入射角,由于阳极层的折射角等于玻璃层的入射角,使得玻璃层的入射角大于阳极层的入射角,甚至大于或等于玻璃层的临界角度,从而使得部分光在玻璃层和空气层之间发生了全反射,导致出光的效率较低。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管,能够提高出光效率。为解决上述技术问题,本技术采用的一个技术方案是:提供一种有机发光二极管,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述通孔的位置与所述发光层的位置对应,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。优选的,所述通孔的形状为圆锥台形,且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。优选的,所述应力缓冲层的材料为GaInAs。优选的,所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。优选的,所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。 ...
【技术保护点】
1.一种有机发光二极管,其特征在于,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述通孔的位置与所述发光层的位置对应,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管,其特征在于,包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、感光树脂层、有机层、阳极层和玻璃面板,所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率,所述有机层包括呈矩阵分布在所述感光树脂层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述阳极层具有多个贯通的通孔,所述通孔的位置与所述发光层的位置对应,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗艳,
申请(专利权)人:四川九鼎智远知识产权运营有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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