一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺制造技术

本发明专利技术公开的属于太阳能电池制造技术领域，具体为一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗3‑5次，然后再采用碱液冲洗30‑40秒，再用水冲洗3‑5次；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干，该发明专利技术提出的一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，在富硝酸的体系下的制绒效率大大提高，且腐蚀出的坑小切均匀，使制绒后的多晶硅片绒面更均匀、反射率更低，大大提高了多晶硅电池的光电转化效率，制作工艺简单，成本低廉。

A technology for producing polysilicon wafers by diamond wire cutting

The invention discloses a polycrystalline silicon wafer velveting process by diamond wire cutting, which belongs to the technical field of solar cell manufacturing. The process comprises the following steps: S1: raw material treatment; S2: velveting: putting the treated polycrystalline silicon wafer into acid mixed solution for velveting, and obtaining the velvet after velveting. Polycrystalline silicon wafer; S3: cleaning: the polycrystalline silicon wafer after making cashmere is washed with water 3 5 times, then washed with alkali 30 40 seconds, then washed with water 3 5 times; S4: air-drying: the polycrystalline silicon wafer after cleaning is naturally air-dried, the invention proposes a diamond wire cutting polycrystalline silicon wafer cashmere making process, in a nitric acid-rich system. The fiber fabrication efficiency is greatly improved, and the pits etched out are small and uniform, so that the fiber surface of the polycrystalline silicon wafer is more uniform and the reflectivity is lower. The photoelectric conversion efficiency of the polycrystalline silicon battery is greatly improved. The fabrication process is simple and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺
本专利技术涉及太阳能电池制造
，具体为一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺。
技术介绍
太阳能电池多晶硅片的切割方式主要有两种，一种是游离磨料线切割，一钢丝线配合碳化硅磨料浆进行，简称砂浆切割，另一种是固结金刚石磨料线锯切割，简称金刚线切割，前者为光伏业所普遍应用，但是该技术存在切割效率低、加工成本高、废砂浆排放污染大等问题。与砂浆切割的方法相比，用金刚线切割多晶硅锭的切片方法因其具有更利于环保、具有更大的降低成本空间、具有更大的提升多晶硅电池片的效率空间等优势而得到广大切片厂家的关注。目前太阳能电池生产过程中，多采用酸性溶液对硅片表面进行织构化(制绒)处理，使硅片表面反射率明显降低，进而提高太阳能电池的光电转化效率。但是现有的制绒工艺得到的绒面的反射率较高，使得电池的转化效率大大降低，为此，我们提出一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的制绒工艺得到的绒面的反射率较高，使得电池的转化效率大大降低的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为10-14分钟，然后用水清洗3-5次，再采用超声清洗10-14分钟，取出，冲洗，烘干；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗3-5次，然后再采用碱液冲洗30-40秒，再用水冲洗3-5次；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。优选的，所述步骤S1中的清洗剂为丙酮。优选的，所述步骤S1和步骤S3中的水均为超纯水。优选的，所述步骤S2中的酸混合溶液包括氢氟酸、硝酸和超纯水，所述氢氟酸、硝酸和超纯水之间的分量比为1:3.8:2。优选的，所述步骤S2中的制绒温度为7-12摄氏度，时间为60-150秒。优选的，所述步骤S3中的碱液为氢氧化钠，且氢氧化钠的浓度为5％。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该专利技术提出的一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，在富硝酸的体系下的制绒效率大大提高，且腐蚀出的坑小切均匀，使制绒后的多晶硅片绒面更均匀、反射率更低，大大提高了多晶硅电池的光电转化效率，制作工艺简单，成本低廉。附图说明图1为本专利技术工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术提供一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺：实施例1该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为14分钟，然后用水清洗5次，再采用超声清洗14分钟，取出，冲洗，烘干，清洗剂为丙酮，水为超纯水；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片，酸混合溶液包括氢氟酸、硝酸和超纯水，所述氢氟酸、硝酸和超纯水之间的分量比为1:3.8:2，制绒温度为12摄氏度，时间为150秒；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗5次，然后再采用碱液冲洗40秒，再用水冲洗5次，水为超纯水，碱液为氢氧化钠，且氢氧化钠的浓度为5％；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。实施例2该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为10分钟，然后用水清洗3次，再采用超声清洗10分钟，取出，冲洗，烘干，清洗剂为丙酮，水为超纯水；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片，酸混合溶液包括氢氟酸、硝酸和超纯水，所述氢氟酸、硝酸和超纯水之间的分量比为1:3.8:2，制绒温度为7摄氏度，时间为60秒；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗3次，然后再采用碱液冲洗30秒，再用水冲洗3次，水为超纯水，碱液为氢氧化钠，且氢氧化钠的浓度为5％；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。实施例3该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为12分钟，然后用水清洗4次，再采用超声清洗12分钟，取出，冲洗，烘干，清洗剂为丙酮，水为超纯水；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片，酸混合溶液包括氢氟酸、硝酸和超纯水，所述氢氟酸、硝酸和超纯水之间的分量比为1:3.8:2，制绒温度为10摄氏度，时间为105秒；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗4次，然后再采用碱液冲洗35秒，再用水冲洗4次，水为超纯水，碱液为氢氧化钠，且氢氧化钠的浓度为5％；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。综合以上实施例，本专利技术的最佳实施例为实施例3，该金刚线切割多晶硅片制绒工艺，在富硝酸的体系下的制绒效率大大提高，且腐蚀出的坑小切均匀，使制绒后的多晶硅片绒面更均匀、反射率更低，大大提高了多晶硅电池的光电转化效率，制作工艺简单，成本低廉。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，其特征在于：该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为10‑14分钟，然后用水清洗3‑5次，再采用超声清洗10‑14分钟，取出，冲洗，烘干；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗3‑5次，然后再采用碱液冲洗30‑40秒，再用水冲洗3‑5次；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。

【技术特征摘要】
1.一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，其特征在于：该金刚线切割多晶硅片制绒工艺包括如下步骤：S1：原料处理：将多晶硅片放入清洗剂中，采用超声波进行清洗，清洗时间为10-14分钟，然后用水清洗3-5次，再采用超声清洗10-14分钟，取出，冲洗，烘干；S2：制绒：将处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒，得到制绒后的多晶硅片；S3：清洗：将制绒后的多晶硅片采用水冲洗3-5次，然后再采用碱液冲洗30-40秒，再用水冲洗3-5次；S4：风干：将清洗后的多晶硅片进行自然风干。2.根据权利要求1所述的一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺，其特征在于：所述步骤S1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李虹罡，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32