一种导电陶瓷制造技术

技术编号:18837293 阅读:124 留言:0更新日期:2018-09-05 07:31
本发明专利技术公开了一种导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20—30g质量份;三氟乙酸为20—40g质量份;氧化铝粉为10—30g质量份;异丙醇铝15—35g质量份;氮化钒为15—25g质量份;助剂为5—15g质量份;氧化铝为10—20g质量份;碳化硅为35—50g质量份;醇胺为10—20g质量份;碳酸锰为5—15g质量份;氟锆酸钾为10—25g质量份;三氧化二钇为15—30g质量份;纳米二氧化硅为1—10g质量份;高岭土为5—10g质量份。本发明专利技术可提高陶瓷材料的强度、韧性及硬度和弹性模量等性能,利用纳米Si02来复合陶瓷基片,提高了基片的致密性、韧性和光洁度,大幅降低烧结温度。

【技术实现步骤摘要】
一种导电陶瓷
本专利技术涉及一种陶瓷
,具体为一种导电陶瓷。
技术介绍
众所周知,通常陶瓷不导电,是良好的绝缘体。例如在氧化物陶瓷中,原子的外层电子通常受到原子核的吸引力,被束缚在各自原子的周围,不能自由运动。所以氧化物陶瓷通常是不导电的绝缘体。然而,某些氧化物陶瓷加热时,处于原子外层的电子可以获得足够的能量,以便克服原子核对它的吸引力,而成为可以自由运动的自由电子,这种陶瓷就变成导电陶瓷。目前,现有的导电陶瓷还存在着一些不足的地方,例如;现有的导电陶瓷不能提高陶瓷材料的强度、韧性及硬度和弹性模量等性能,而且现有的导电陶瓷基片的致密性比较弱、韧性比较低和光洁度弱,大幅提高烧结温度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种导电陶瓷,本专利技术可提高陶瓷材料的强度、韧性及硬度和弹性模量等性能,利用纳米二氧化硅来复合陶瓷基片,提高了基片的致密性、韧性和光洁度,大幅降低烧结温度。为解决上述问题,本专利技术提供如下技术方案:一种导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20—30g质量份;三氟乙酸为20—40g质量份;氧化铝粉为10—30g质量份;异丙醇铝15—35g质量份;氮化钒为15—25g质量份;助剂为5—15g质量份;氧化铝为10—20g质量份;碳化硅为35—50g质量份;醇胺为10—20g质量份;碳酸锰为5—15g质量份;氟锆酸钾为10—25g质量份;三氧化二钇为15—30g质量份;纳米二氧化硅为1—10g质量份;高岭土为5—10g质量份。作为本专利技术的一种优选实施方式,所述的导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量份;助剂为5g质量份;氧化铝为10g质量份;碳化硅为35g质量份;醇胺为10g质量份;碳酸锰为5g质量份;氟锆酸钾为10g质量份;三氧化二钇为15g质量份;高岭土为6g质量份。作为本专利技术的一种优选实施方式,所述的导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量份;助剂为5g质量份;氧化铝为10g质量份;碳化硅为35g质量份;醇胺为10g质量份;碳酸锰为5g质量份;氟锆酸钾为10g质量份;三氧化二钇为15g质量份;纳米二氧化硅为5g质量份;高岭土为6g质量份。作为本专利技术的一种优选实施方式,所述的导电陶瓷,制备方法步骤如下:a.首先将上述原料按照重量份数称取;b.待步骤a完成后,再将称取好的高岭土和碳化硅放入到研磨机中进行研磨,再将研磨好的好的高岭土放入到10-20目漏筛中进行筛选;c.待步骤a完成后,接着再将筛选好高岭土和碳化硅粉末倒入到混合器中加水进行混合,接着再将三氟乙酸、氧化铝粉、异丙醇铝、氮化钒、氧化铝、醇胺、碳酸锰、氟锆酸钾和三氧化二钇加入到混合器中进行搅拌混合;d.待步骤c完成后,再将助剂和纳米二氧化硅粉末倒入到混合器中,然后再加入水进行混合,然后再将混合好的原料倒入到模具中,接着再将装有原料的模具放入到煅烧炉中进行煅烧。作为本专利技术的一种优选实施方式,所述原料倒入到模具中需要进行布料,在布料时要注意原料的分布均匀度。作为本专利技术的一种优选实施方式,所述煅烧工序的烧成温度为1200~1500℃,烧成时间为5~10h。与现有技术相比,本专利技术的有益效果如下:本专利技术一种导电陶瓷,本专利技术可提高陶瓷材料的强度、韧性及硬度和弹性模量等性能,利用纳米二氧化硅来复合陶瓷基片,提高了基片的致密性、韧性和光洁度,大幅降低烧结温度。本专利技术提供一种技术方案:一种导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20—30g质量份;三氟乙酸为20—40g质量份;氧化铝粉为10—30g质量份;异丙醇铝15—35g质量份;氮化钒为15—25g质量份;助剂为5—15g质量份;氧化铝为10—20g质量份;碳化硅为35—50g质量份;醇胺为10—20g质量份;碳酸锰为5—15g质量份;氟锆酸钾为10—25g质量份;三氧化二钇为15—30g质量份;纳米二氧化硅为1—10g质量份;高岭土为5—10g质量份。所述的导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量份;助剂为5g质量份;氧化铝为10g质量份;碳化硅为35g质量份;醇胺为10g质量份;碳酸锰为5g质量份;氟锆酸钾为10g质量份;三氧化二钇为15g质量份;高岭土为6g质量份。所述的导电陶瓷,包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量份;助剂为5g质量份;氧化铝为10g质量份;碳化硅为35g质量份;醇胺为10g质量份;碳酸锰为5g质量份;氟锆酸钾为10g质量份;三氧化二钇为15g质量份;纳米二氧化硅为5g质量份;高岭土为6g质量份。所述的导电陶瓷,制备方法步骤如下:a.首先将上述原料按照重量份数称取;b.待步骤a完成后,再将称取好的高岭土和碳化硅放入到研磨机中进行研磨,再将研磨好的好的高岭土放入到10-20目漏筛中进行筛选;c.待步骤a完成后,接着再将筛选好高岭土和碳化硅粉末倒入到混合器中加水进行混合,接着再将三氟乙酸、氧化铝粉、异丙醇铝、氮化钒、氧化铝、醇胺、碳酸锰、氟锆酸钾和三氧化二钇加入到混合器中进行搅拌混合;d.待步骤c完成后,再将助剂和纳米二氧化硅粉末倒入到混合器中,然后再加入水进行混合,然后再将混合好的原料倒入到模具中,接着再将装有原料的模具放入到煅烧炉中进行煅烧。所述原料倒入到模具中需要进行布料,在布料时要注意原料的分布均匀度。所述煅烧工序的烧成温度为1200~1500℃,烧成时间为5~10h。在导电陶瓷制备的时候,首先将上述原料按照重量份数称取,再将称取好的高岭土和碳化硅放入到研磨机中进行研磨,再将研磨好的好的高岭土放入到10-20目漏筛中进行筛选,接着再将筛选好高岭土和碳化硅粉末倒入到混合器中加水进行混合,接着再将三氟乙酸、氧化铝粉、异丙醇铝、氮化钒、氧化铝、醇胺、碳酸锰、氟锆酸钾和三氧化二钇加入到混合器中进行搅拌混合,再将助剂和纳米二氧化硅粉末倒入到混合器中,然后再加入水进行混合,然后再将混合好的原料倒入到模具中,接着再将装有原料的模具放入到煅烧炉中进行煅烧。以上描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点,对于本领域技术人员而言,显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已,并不用于限制本专利技术,尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电陶瓷,其特征在于:包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20—30g质量份;三氟乙酸为20—40g质量份;氧化铝粉为10—30g质量份;异丙醇铝15—35g质量份;氮化钒为15—25g质量份;助剂为5—15g质量份;氧化铝为10—20g质量份;碳化硅为35—50g质量份;醇胺为10—20g质量份;碳酸锰为5—15g质量份;氟锆酸钾为10—25g质量份;三氧化二钇为15—30g质量份;纳米二氧化硅为1—10g质量份;高岭土为5—10g质量份。

【技术特征摘要】
1.一种导电陶瓷,其特征在于:包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20—30g质量份;三氟乙酸为20—40g质量份;氧化铝粉为10—30g质量份;异丙醇铝15—35g质量份;氮化钒为15—25g质量份;助剂为5—15g质量份;氧化铝为10—20g质量份;碳化硅为35—50g质量份;醇胺为10—20g质量份;碳酸锰为5—15g质量份;氟锆酸钾为10—25g质量份;三氧化二钇为15—30g质量份;纳米二氧化硅为1—10g质量份;高岭土为5—10g质量份。2.根据权利要求1所述的一种导电陶瓷,其特征在于:包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量份;助剂为5g质量份;氧化铝为10g质量份;碳化硅为35g质量份;醇胺为10g质量份;碳酸锰为5g质量份;氟锆酸钾为10g质量份;三氧化二钇为15g质量份;高岭土为6g质量份。3.根据权利要求1所述的一种导电陶瓷,其特征在于:包括以下原料及其重量分数:单丁基三氯化锡为20g质量份;三氟乙酸为20g质量份;氧化铝粉为10g质量份;异丙醇铝15g质量份;氮化钒为15g质量...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈留金陈洪戈
申请(专利权)人:佛山市拓拓网络科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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