用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于晶片舟的板组件，晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理。板组件导电且在每一面上皆具至少一用于将晶片容置在晶片容置区域中的容置单元。板组件具有至少一处于板组件的至少一面中的凹部和/或至少一处于板组件中的开口，其中至少一凹部和/或至少一开口在板组件中至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其紧邻。本文也描述了一种晶片舟，其具有数个彼此平行配置的上述的板组件，其中相邻配置的板组件彼此电绝缘。本发明专利技术也涉及以与等离子体处理设备相结合的晶片舟，等离子体处理设备具有用于容置晶片舟的制程腔，用于以开环或闭环方式控制制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电板组件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片的晶片舟及等离子体处理设备本专利技术涉及用于晶片的一种晶片舟及一种处理设备，所述晶片舟及所述处理设备适于在容置于其中的晶片之间产生等离子体。在半导体技术及太阳能电池技术中已为吾人所知的是，对由不同材料构成的片状基板实施不同制程，下面将此等基板以与其几何形状及其材料无关的方式称为晶片。在此，通常除对晶片实施单个处理制程外，也对其实施批量制程，即同时处理数个晶片的制程。在单个制程及批量制程中皆须将晶片移至期望的处理位置。在批量制程中，此点通常通过将晶片插入所谓的具有用于数个晶片的插口的舟件而实现。在此等舟件中，晶片通常彼此平行配置。此类舟件可采用不同构造，其通常仅容置相应晶片的下沿，使得晶片朝上曝露。此类舟件通常是被动的，也即，除保持功能外，此等舟件在处理晶片期间不具有其他功能。就例如用来在半导体或太阳能电池技术中对晶片进行等离子体处理的一种类型的晶片舟而言，此晶片舟由数个导电板件构成，此等板件通常由石墨构成。此等板件大体彼此平行配置，且在相邻的板件之间形成用于容置晶片的容置缝。此等板件的朝向彼此的各面分别具有用于晶片的相应容置元件，以便将晶片容置在每一面上。通常在每个朝向另一板件的板件面上设有销件作为容置元件，此等销件容置晶片。因此，在每个容置缝中，可将至少两个晶片以某种方式完全容置在板件之间，使得此等晶片彼此相对。晶片舟的相邻板件彼此电绝缘，在制程中，在紧邻的板件之间施加通常处于千赫兹范围或兆赫范围内的交流电压。如此便能在板件之间以及特别是在保持在各板件上的晶片之间形成等离子体，以便设置等离子体处理，如等离子体的沉淀或层的等离子体氮化。为相对配置板件而采用间隔元件，其具有用于调整板件之间的预设距离的预设长度。DE102011109444A1例如描述此种由板件及间隔元件构成的晶片舟。如前所述，等离子体除产生于相邻的晶片之间外，也产生于相邻的板件之间。由于板件的传导性通常高于晶片，板件间的等离子体密度可大于晶片间的等离子体密度，此点对于晶片处理的制程及均匀性而言较为不利。特别是与在晶片的其他区域中相比，在晶片的边缘区域中可能出现更大的效应。此外，可能产生晶片的底面处理(特别是底面涂布)的问题，此种底面处理也称作涂布的缠绕且因紧邻晶片边缘的等离子体而引发。为克服此问题，过去的方案是用绝缘层，如SiN，对板件进行预覆盖，以便抑制板件间的等离子体形成。但此种预覆盖又可能导致其他问题，且特别是在蚀刻槽中对板件进行湿式清洁后，还必须定期对预覆盖进行再生，从而增大成本。有鉴于此，本专利技术的目的在于设置用于晶片的一种晶片舟及一种等离子体处理设备，所述晶片舟及所述等离子体处理设备克服或缓解上述缠绕问题。本专利技术用以达成上述目的的解决方案为根据权利要求1所述的一种板元件、根据权利要求6所述的一种晶片舟以及根据权利要求8所述的一种等离子体处理设备。本专利技术的其他设计方案参阅附属项。特定言之，本专利技术提出一种用于晶片舟的板元件，晶片舟用于对片状晶片进行等离子体处理，其中板元件导电且在每一面上具有用于将晶片容置在晶片容置区域中的至少一容置单元。根据本专利技术，板元件具有处于板元件的至少一面中的至少一凹部和/或处于板元件中的至少一开口，其中凹部和/或开口在板元件中至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其紧邻。本文将通常被晶片遮盖的区域视为晶片容置区域。在容置状态下，凹部(或开口)与晶片可能较小程度地重叠，但并非必然之举。这种板元件的优点在于，在使用中在所容置的晶片的边缘区域中产生有所削弱的等离子体，进而阻止或至少减轻边缘效应及特别是等离子体的缠绕。板元件在双面上皆具相应凹部。在一种实施方式中，板元件具有的凹部大体上完全包围晶片容置区域。这个概念基本上应将至少80％，较佳大于90％或95％包含在内。从而确保大体上全面地产生有所削弱的等离子体的效应。)在一种替代实施方式中，板元件具有数个开口，开口至少部分径向地处于晶片容置区域外部且与其相邻。在具有足够稳定性的情况下，通过数个开口便能包围晶片容置区域的较大的周向区域。板元件中的开口较佳应径向包围晶片容置区域的至少50％，较佳至少80％。用于对片状晶片进行等离子体处理的晶片舟，具有数个彼此平行配置的前述的板元件，其中相邻配置的板元件彼此电绝缘。这种晶片舟又能在使用中在所容置的晶片的边缘区域中产生有所削弱的等离子体，进而阻止或至少减轻边缘效应及特别是等离子体的缠绕。在采用具有开口的板元件时，开口可在相邻板元件中彼此错开配置，以便在晶片容置区域的边缘区域中大体上全面地实现削弱效应。用于片状晶片的等离子体处理设备具有用于容置前述的晶片舟的制程腔、用于控制或调节制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电容置元件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。用于晶片的等离子体处理设备具有用于容置前述的晶片舟的制程腔。也设有用于控制或调节制程腔中的制程气体气氛的构件及至少一电压源，电压源可以合适的方式与晶片舟的导电容置元件连接，以便在紧邻的容置在晶片舟中的晶片之间施加电压。下面参照附图对本专利技术进行详细说明；其中：图1为用于晶片舟的板元件的侧视示意图。图2为图1所示晶片舟的俯视示意图。图3为图1所示晶片舟的前视示意图。图4a及图4b为图1所示晶片舟的板元件的分区的透视放大图。图5为图1所示晶片舟容置于其中的等离子体处理设备的示意图。图6为替代的板元件的侧视示意图。图7为板元件的另一替代方案的侧视示意图。图8为图6所示板元件的分区的局部剖面透视放大图。描述中所用的概念，如上、下、左及右，皆以附图所示为准且不对本申请构成任何限制。但上述概念可对较佳实施例进行描述。主要关于平行、垂直或角度数据的表述应将±3°(较佳±2°)的偏差包含在内，否则，基本上应将所给出的值的至少80％，较佳至少90％或95％包含在内。下文中将晶片的概念应用于片状基板，所述基板较佳为针对半导体或光伏用途的半导体晶片，其中也可设置其他材料的基板并对其进行处理。下面结合图1至图4对应用于等离子体处理设备的晶片舟1的基本结构进行详细说明，其中图1为晶片舟1的板元件的侧视示意图，图2及图3为俯视图及前视图，图4a及图4b为所述晶片舟的两个相邻板元件间的分区的透视放大图。相同或类似元件在附图中用同一元件符号表示。晶片舟1由数个板件6构成，所述板件6被接触与夹紧单元聚集在一起且皆适于容置数个晶片7。所示晶片舟1特别适于等离子体的层沉积，如Si3N4、SiNx、a-Si、Al2O3、AlOx、掺杂及非掺杂多晶硅或者非晶硅等等，特定言之，适于对晶片进行等离子体氮化。板件6皆由导电材料构成，且特别是构建为石墨板，其中具体视制程而定地，可设有板件基本材料的涂布或表面处理。板件6分别具有六个凹槽8，所述凹槽8在制程中被晶片遮盖，下文将对此进行详细说明。尽管在所示方案中，每个板件6设有六个凹槽，但需要注意的是，也可设有数目更多或更少的凹槽，或者可完全不设置凹槽。板件6分别具有平行的上沿及下沿，(其中如DE102010025483所述，在上沿中例如可构建有数个缺口，以便对板件进行位置识别)。在图2所示实施方式中，总共设有二十三个板件6，其通过相应的接触单元及夹紧单元大体上彼此平行配置，以便在其间形成容置缝11。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶片舟的板元件，所述晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理，其中所述板元件导电且在每一面上皆具有用于将晶片容置在晶片容置区域中的至少一容置单元，处于所述板元件的至少一面中的至少一凹部和处于所述板元件中的至少一开口中的至少其中之一，其中至少一所述凹部和至少一所述开口中的至少其中之一在所述板元件中至少部分径向地处于所述晶片容置区域外部且与所述晶片容置区域紧邻。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.18 DE 102015014903.21.一种用于晶片舟的板元件，所述晶片舟用于对片状晶片，特别是针对半导体或光伏用途的半导体晶片，进行等离子体处理，其中所述板元件导电且在每一面上皆具有用于将晶片容置在晶片容置区域中的至少一容置单元，处于所述板元件的至少一面中的至少一凹部和处于所述板元件中的至少一开口中的至少其中之一，其中至少一所述凹部和至少一所述开口中的至少其中之一在所述板元件中至少部分径向地处于所述晶片容置区域外部且与所述晶片容置区域紧邻。2.根据权利要求1所述的板元件，其中所述板元件的双面具相应的所述凹部。3.如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中所述凹部大体上完全包围所述晶片容置区域。4.如前述权利要求中任一项所述的板元件，其中所述开口具有数个，所述开口至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·博科，武利·华克，沃尔夫冈·乔斯，
申请(专利权)人：商先创国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE