含硅固化性组合物及其固化物制造技术

一种含硅固化性组合物，其特征在于，其含有下述成分：(A)成分：具有与SiH基有反应性的碳‑碳双键的化合物；(B)成分：具有SiH基的硅氧烷化合物；(C)成分：下述通式(1)所表示的硅烷化合物；(D)成分：填料。(式中，R1表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，A表示碳原子数1～10的链烷二基，k表示2或3的数。)。

Silicone containing curable composition and cured product thereof

A silicon-containing curing composition is characterized in that it contains the following components: (A) a compound having a carbon-carbon double bond reacting with a SiH group; (B) a siloxane compound having a SiH group; (C) a silane compound represented by the following general formula (1); and (D) a filler. (Formula R1 denotes an alkyl with hydrogen or carbon atoms 1-4, A denotes a chain alkanediol with carbon atoms 1-10, and K denotes a number of 2 or 3. ).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含硅固化性组合物及其固化物
本专利技术涉及含硅固化性组合物和使其固化而得到的固化物。本专利技术的含硅固化性组合物及其固化物对用于半导体的材料、特别是LED用等的封装或引线框有用。
技术介绍
对于含硅化合物已经进行了各种研究，在工业上，以有机硅树脂为代表，聚硅氧烷化合物也被长期利用。但是，有机硅树脂虽然耐热性、柔韧性优异，但由于释气(outgas)成分(挥发成分)多，所以在电子部件的制造工序等中，由于污染问题而导致使用受到限制。另外，近年来，在电子信息领域，随着技术的发展，由于要使用的各种材料也要求高度的性能，因此正在研究活用了硅的有特点的性质而使得耐热性、物理特性/电特性优异的材料。其中，对应用硅化合物的氢化硅烷化反应来制造有用的化合物的技术进行了多种研究。另外，在电子信息领域的部件制造工序中，广泛应用光刻工序，要求高的耐碱性/耐溶剂性。因此，需要保持高的耐碱性/耐溶剂性、且同时满足高度的耐热性、耐开裂性的材料。针对这些要求，提案了各种含硅固化性组合物(例如参照专利文献1～7等)。然而，这些所提案的技术虽然分别具有各自的特征，但在最近的电子信息领域的材料所要求的耐热性、耐光性、耐开裂性、着色性、粘接性等方面仍无法得到满足。其中，对银基体或铜基体等的密合性差成为较大的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第5645941号说明书专利文献2：日本特开平8-73743号公报专利文献3：日本特开2004-107577号公报专利文献4：日本特开2005-68295号公报专利文献5：美国专利申请公开第2009/012256号说明书专利文献6：日本特开2007-332259号公报专利文献7：日本特开2009-120732号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供可以制造对银基体或铜基体的密合性优异、且对电气/电子材料等有用的固化物的含硅固化性组合物。本专利技术人们着眼于特定的含硅化合物的结构及预聚物，为了解决上述课题进行了深入研究，结果完成了本专利技术。即，本专利技术提供一种含硅固化性组合物，其特征在于，其含有下述成分：(A)成分：具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的化合物；(B)成分：具有SiH基的硅氧烷化合物；(C)成分：下述通式(1)所表示的硅烷化合物；(D)成分：填料。[化学式1](式中，R1表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，A表示碳原子数1～10的链烷二基，k表示2或3的数。)另外，本专利技术提供一种使上述含硅固化性组合物固化的方法，其包含将上述含硅固化性组合物加热的工序。另外，本专利技术提供一种固化物，其是使上述含硅固化性组合物固化而成的。具体实施方式以下，对本专利技术的含硅固化性组合物和使其固化而成的固化物进行详细地说明。本专利技术的含硅固化性组合物中，(A)成分是具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的化合物。与SiH基有反应性的碳-碳双键的键合位置没有特别限定，也可以是分子内的任一位置。作为与SiH基有反应性的碳-碳双键，没有特别限定，例如可以列举出：下述通式(2)所表示的基团和下述通式(3)所表示的形成脂环的基团。若使用下述通式(3)所表示的形成脂环的基团，则固化物的耐热性变高，因此优选。[化学式2]式中，L1表示氢或甲基，*表示结合部位。[化学式3]式中，L2表示氢或甲基，*表示结合部位。通式(2)所表示的基团之中，从反应性良好的方面出发，特别优选L1为氢的基团。通式(3)所表示的形成脂环的基团之中，从反应性良好的方面出发，特别优选L2为氢的基团。对于上述具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的化合物，作为可以优选使用的化合物，可以列举出：具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的有机化合物(以下，有时简称为(A-α))或具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物(以下，有时简称为(A-β))。(A-α)可以使用仅1种的化合物，也可以使用具有不同结构的多种的化合物。(A-β)可以使用仅1种的化合物，也可以使用具有不同结构的多种的化合物。另外，(A-α)和(A-β)也可以混合使用。上述(A-α)只要是具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的有机化合物即可，没有特别限定，作为构成元素，优选不含C、H、N、O、S和卤素以外的元素的有机化合物。作为特别优选的(A-α)，可以列举出：三甲代烯丙基异氰脲酸酯、三烯丙基异氰脲酸酯。这些以TAIC和TAIC衍生品(日本化成株式会公司制)形式市售，可以将这些市售品在本专利技术中作为(A-α)使用。上述(A-β)只要是具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物即可，没有特别限定，例如可以列举出：含有下述通式(4)所表示的单元的含硅聚合物。[化学式4]式中，R2表示碳原子数2～6的链烯基，*表示结合部位。作为上述通式(4)中的R2所表示的碳原子数2～6的链烯基，可以列举出：乙烯基、2-丙烯基、3-丁烯基等。关于R2，从反应性的方面出发，优选为乙烯基。含有上述通式(4)所表示的单元的含硅聚合物例如可以通过仅将下述通式(A-1)所表示的有机硅烷的1种以上进行水解/缩合，或者将包含下述通式(A-1)所表示的有机硅烷的1种以上、及选自下述通式(A-2)所表示的有机硅烷和下述通式(A-3)所表示的有机硅烷的至少1种的有机硅烷的混合物进行水解/缩合来制造。[化学式5]R3Si(X1)3(A-1)R4Si(X1)3(A-2)R5R6Si(X1)2(A-3)式中，R3表示碳原子数2～6的链烯基，R4、R5和R6各自独立地表示氢原子或烃基，X1表示羟基、碳原子数1～6的烷氧基或卤素原子。上述通式(A-1)中，作为R3所表示的碳原子数2～6的链烯基，可以列举出：乙烯基、2-丙烯基、3-丁烯基等。关于R3，从反应性的方面出发，优选为乙烯基。上述通式(A-2)和上述通式(A-3)中，作为R4、R5和R6所表示的烃基，可以列举出：烷基、链烯基、炔基等脂肪族烃基，环烷基等脂环族烃基，芳基、芳烷基等芳香族烃基。作为烃基，优选碳原子数1～10的烃基。另外，上述通式(A-1)、上述通式(A-2)和上述通式(A-3)中，作为X1所表示的碳原子数1～6的烷氧基，可以列举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等，作为X1所表示的卤素原子，可以列举出：氯原子、溴原子、碘原子等。关于X1，从反应性的方面出发，优选为甲氧基或乙氧基。需说明的是，上述通式(A-1)～(A-3)中的各自的X1可彼此相同也可不同。这些之中，特别优选使用通过下述得到的含硅聚合物：将由上述通式(A-1)所表示的有机硅烷(以下，有时简称为(a))的1种以上5～50摩尔％、下述通式(A-4)所表示的有机硅烷(以下，有时简称为(b))的1种以上0～50摩尔％、下述通式(A-5)所表示的有机硅烷(以下，有时简称为(c))的1种以上0～40摩尔％、下述通式(A-6)所表示的有机硅烷(以下，有时简称为(d))的1种以上0～50摩尔％和下述通式(A-7)所表示的有机硅烷(以下，有时简称为(e))的1种以上0～40摩尔％构成、且有机硅烷(b)与有机硅烷(c)之和为5～60摩尔％的有机硅烷混合物进行水解/缩合，从而得到含硅聚合物。[化学式6]R7Si(X2)3(A-4)R8R9Si(X2)2(A-5)R10Si(x2)3(A-6)R11Si(X2)3(A-7)式中，R7表示氢原子或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含硅固化性组合物，其特征在于，其含有下述成分：(A)成分：具有与SiH基有反应性的碳‑碳双键的化合物；(B)成分：具有SiH基的硅氧烷化合物；(C)成分：下述通式(1)所表示的硅烷化合物；(D)成分：填料，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.22 JP 2016-0865941.一种含硅固化性组合物，其特征在于，其含有下述成分：(A)成分：具有与SiH基有反应性的碳-碳双键的化合物；(B)成分：具有SiH基的硅氧烷化合物；(C)成分：下述通式(1)所表示的...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤宏一，高田健作，平塚一郎，柏崎史，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：发明
国别省市：日本,JP