The invention relates to room adjustment for remote plasma treatment. The methods, systems and apparatus described herein relate to chamber adjustment for remote plasma processing, in particular to remote nitrogen-based plasma processing. Some implementations of the present disclosure relate to remote plasma suppression processes including chamber adjustment for feature filling. An embodiment of the present disclosure relates to exposing a remote plasma processing chamber to fluorine prior to nitrogen-based remote plasma processing on a substrate, such as a semiconductor wafer. The uniformity and inter wafer uniformity of the wafer were improved.
【技术实现步骤摘要】
用于远程等离子体处理的室调节
本专利技术涉及半导体制造工艺,更具体地涉及用于远程等离子体处理的室调节。
技术介绍
用各种材料填充接触孔、沟槽线和其他特征是半导体制造工艺的不可分割的一部分。例如,为了形成水平互连、相邻金属层之间的通孔、第一金属层和器件之间的接触,可以使用化学气相沉积(CVD)技术来沉积诸如钨之类的金属。在传统的沉积工艺中,在沉积室中将衬底加热到预定的工艺温度,并沉积用作晶种或成核层的含钨材料的薄层。之后,剩余的含钨材料(体层)沉积在成核层上。常规地,通过用氢气(H2)还原六氟化钨(WF6)来形成含钨材料。含钨材料被沉积在衬底的包括特征和场区域的整个暴露表面区域上。将材料沉积到成小的且高深宽比的特征中可能导致在填充的特征内部形成空隙和接缝。大的接缝可能导致高电阻、污染、填充材料的损失,并且另外降低集成电路的性能。例如,接缝可以在填充过程之后接近场区域延伸,然后在化学机械平面化过程中打开。同样,空隙可能会导致集成和性能方面的问题。
技术实现思路
本公开的一个方面涉及一种在远程等离子体处理室上执行调节处理的方法,所述调节处理包括:将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体;将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室,其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头,并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间,并且其中在所述调节处理期间,所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底;在执行所述调节处理之后,将制造衬底引入所述远程等离子体处理室;并将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。在一些实施方式中,所述制造衬底包括待填充 ...
【技术保护点】
1.一种方法,其包括:在远程等离子体处理室上执行调节处理,所述调节处理包括:将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体;将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室,其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头,并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间,并且其中在所述调节处理期间,在所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底;在执行所述调节处理之后,将制造衬底引入所述远程等离子体处理室;以及将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。
【技术特征摘要】
2016.12.19 US 15/384,1751.一种方法,其包括:在远程等离子体处理室上执行调节处理,所述调节处理包括:将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体;将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室,其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头,并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间,并且其中在所述调节处理期间,在所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底;在执行所述调节处理之后,将制造衬底引入所述远程等离子体处理室;以及将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述远程产生的基于氮的等离子体由N2气体产生。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生,并且所述调节处理进一步包括:将所述含氮化合物...
【专利技术属性】
技术研发人员:王德琪,刘刚,阿南德·查德拉什卡,杨宗翰,约翰·W·格里斯沃尔德,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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