【技术实现步骤摘要】
使用模型确定与等离子体系统关联的离子能量本申请是申请号为201410097194.1、申请日为2014年3月17日、专利技术名称为“使用模型确定与等离子体系统关联的离子能量”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及使用模型确定与等离子体系统关联的离子能量。
技术介绍
在基于等离子体的系统中,在等离子体室内产生等离子体以在晶片上执行各种操作,例如,蚀刻、清洁、沉积等。对等离子体进行监测和控制,从而控制各种操作的执行。例如,通过使用偏置补偿设备来测量等离子体室内的静电卡盘偏置以及通过使用阻抗匹配电路的输出处的电压探针来测量射频(RF)电压,从而监测等离子体。通过控制提供给等离子体室的射频功率的量来控制等离子体。然而,使用偏置补偿设备和电压探针来监测和控制操作的性能可能无法提供令人满意的结果。此外,晶片偏置和RF电压的监测可能是昂贵和费时的操作。在这种背景下,提出了本公开中所描述的实施方式。
技术实现思路
本公开的实施方式提供了用于使用模型确定与等离子体系统关联的离子能量的装置、方法和计算机程序。应当理解,本专利技术的实施方式能以多种方式实现,例如,以工艺、装置、系统、硬件、或者计算机可读介质上的方法实现。下面描述若干实施方式。在一些实施方式中,描述了用于确定离子能量的方法。该方法包括:识别在射频(RF)发生器的输出位置测得的当所述RF发生器经由阻抗匹配电路耦合到等离子体室时的第一复电压和电流。所述阻抗匹配电路具有耦合到所述RF发生器的所述输出的输入和耦合到RF传输线的输出。所述方法还进一步包括基于所述阻抗匹配电路中所定义的电气部件生成阻抗匹配模型,所述阻抗匹 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:通过主计算机系统接收在射频(RF)发生器的输出处测量的第一复电压和电流,其中所述RF发生器的输出经由RF电缆耦合到阻抗匹配电路的输入,其中所述阻抗匹配电路经由RF传输线耦合到等离子体室的卡盘;由主计算机系统基于在阻抗匹配电路中定义的一个或多个电子部件生成阻抗匹配模型,所述阻抗匹配模型具有输入和输出,所述阻抗匹配模型的输入接收所述第一复合电压和电流;由主计算机系统基于在RF传输线中定义的一个或多个电子部件产生RF传输模型,所述RF传输模型具有输入和输出,所述RF传输模型的输入耦合到所述阻抗匹配模型的输出;由主计算机系统基于所述卡盘中定义的一个或多个电气部件产生卡盘模型,所述卡盘模型具有输入和输出,所述卡盘模型的输入耦合到所述RF传输模型的输出;所述主计算机系统通过所述阻抗匹配模型、所述RF传输模型和所述卡盘模型传播所述第一复电压和电流以确定所述卡盘模型的输出处的第二复电压和电流;和由主计算机系统基于所述第二复电压和电流确定晶片偏置。
【技术特征摘要】
2013.03.15 US 61/799,969;2014.02.19 US 14/184,6391.一种方法,包括:通过主计算机系统接收在射频(RF)发生器的输出处测量的第一复电压和电流,其中所述RF发生器的输出经由RF电缆耦合到阻抗匹配电路的输入,其中所述阻抗匹配电路经由RF传输线耦合到等离子体室的卡盘;由主计算机系统基于在阻抗匹配电路中定义的一个或多个电子部件生成阻抗匹配模型,所述阻抗匹配模型具有输入和输出,所述阻抗匹配模型的输入接收所述第一复合电压和电流;由主计算机系统基于在RF传输线中定义的一个或多个电子部件产生RF传输模型,所述RF传输模型具有输入和输出,所述RF传输模型的输入耦合到所述阻抗匹配模型的输出;由主计算机系统基于所述卡盘中定义的一个或多个电气部件产生卡盘模型,所述卡盘模型具有输入和输出,所述卡盘模型的输入耦合到所述RF传输模型的输出;所述主计算机系统通过所述阻抗匹配模型、所述RF传输模型和所述卡盘模型传播所述第一复电压和电流以确定所述卡盘模型的输出处的第二复电压和电流;和由主计算机系统基于所述第二复电压和电流确定晶片偏置。2.如权利要求1所述的方法,还包括:由主计算机系统根据所述晶片偏置确定离子能量;和基于所述离子能量来控制所述RF发生器。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一复电压和电流由所述主计算机系统从电压和电流探针接收,其中,所述电压和电流探针耦合到所述RF发生器的输出并耦合到所述主计算机系统,其中所述电压和电流探针位于所述RF发生器内。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述阻抗匹配模型具有与所述阻抗匹配电路的特性类似的特性,其中所述RF传输模型具有与所述RF传输线的特性类似的特性,并且所述卡盘模型具有与所述卡盘的特性类似的特性。5.一种控制器,包括:逻辑,其被配置成:接收在射频(RF)发生器的输出处测量的第一复电压和电流,其中所述RF发生器的输出经由RF电缆耦合到阻抗匹配电路的输入,其中所述阻抗匹配电路耦合到经由RF传输线的等离子体室的卡盘;基于在所述阻抗匹配电路中定义的一个或多个电子部件生成阻抗匹配模型,所述阻抗匹配模型具有输入和输出,所述阻抗匹配模型的所述输入接收所述第一复合电压和电流;基于在所述RF传输线中定义的一个或多个电子部件生成RF传输模型,所述RF传输模型具有输入和输出,所述RF传输模型的输入耦合到所述阻抗匹配模型的输出;基于在所述卡盘中定义的一个或多个电子部件生成卡盘模型,所述卡盘模型具有输入和输出,所述卡盘模型的输入耦合到所述RF传输模型的所述输出;通过所述阻抗匹配模型、所述RF传输模型和所述卡盘模型传播所述第一复合电压和电流以确定所述卡盘模型的所述输出处的第二复合电压和电流;以及基于所述第二复电压和电流来确定晶片偏置;以及耦合到所述逻辑的存储器装置,用于存储所...
【专利技术属性】
技术研发人员:约翰·C·小瓦尔考,布拉德福德·J·林达克,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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