喷嘴清洗装置和晶圆清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及喷头清洗装置和晶圆清洗设备，其中喷嘴清洗装置包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一个第一输入口，所述第一输入口与第一管道连通，用于连接至清洗溶液源；位于清洗槽底部的至少一个输出口，所述输出口与第三管道连通，用于排出所述清洗槽内废液。所述喷头清洗装置能够对喷嘴表面进行清洗，去除化学结晶等污染，提高后续对晶圆进行清洗的效率。

【技术实现步骤摘要】
喷嘴清洗装置和晶圆清洗设备
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种喷嘴清洗装置和晶圆清洗装置。
技术介绍
随着晶圆特征尺寸的逐渐缩小，对晶圆制造湿法清洗工艺要求越来越高，湿法清洗通常采用化学药液和去离子水等一系列工艺步骤，去除晶圆表面上的沾污，包括：颗粒物、有机残留、金属污染，以及自然氧化层等。随着对晶圆表面洁净度的要求提高，湿法清洗正在由传统的槽式清洗向单片式清洗转变。湿法清洗中常常采用各种酸性溶液，在清洗过程中，尤其是温度较高的条件下，酸性溶液挥发产生酸雾，酸雾易于在喷嘴处凝结形成结晶，势必会再次掉落在晶圆上，形成颗粒污染，降低晶圆良率。虽然，现有的喷嘴内部会进行周期性的预冲洗，但是也只能排掉喷嘴管道内部的废液，而不能达到对管道外部结晶的清洗。因此，如何实现对喷嘴管道外部的清洗，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种喷嘴清洗装置和一种晶圆清洗设备，实现对喷嘴管道外部的清洗。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种喷嘴清洗装置，包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一个第一输入口，所述第一输入口与第一管道连通，用于连接至清洗溶液源；位于清洗槽底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷嘴清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一个第一输入口，所述第一输入口与第一管道连通，用于连接至清洗溶液源；位于清洗槽底部的至少一个输出口，所述输出口与第三管道连通，用于排出所述清洗槽内废液。

【技术特征摘要】
1.一种喷嘴清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一个第一输入口，所述第一输入口与第一管道连通，用于连接至清洗溶液源；位于清洗槽底部的至少一个输出口，所述输出口与第三管道连通，用于排出所述清洗槽内废液。2.根据权利要求1所述的喷嘴清洗装置，其特征在于，还包括：位于所述清洗槽壁上的至少一个第二输入口，所述第二输入口与第二管道连通，用于连接至干燥气体源。3.根据权利要求2所述的喷嘴清洗装置，其特征在于，所述第一输入口位于所述第二输入口下方。4.根据权利要求2所述的喷嘴清洗装置，其特征在于，所述第一管道上设置有第一控制阀，所述第二管道上设置有第二控制阀。5.根据权利要求4所述的喷嘴清洗装置，其特征在于，还包括控制器，用于周期性的控制所述第一控制阀、第二控制阀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞亚，张文福，高英哲，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32