一种柔性薄膜变容管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性薄膜变容管的制备方法，以铜箔作柔性衬底，将掺杂Al、Ga或In的氧化锌为靶材，系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用Ar气体作为溅射气体溅射掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层，沉积得到50～1000nm厚的掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层：再以BaZr0.2Ti0.8O3为靶材，系统的本底真空抽至1.0×10‑3Pa以下，使用Ar和O2作为溅射气体，氧气和氩气的分压比为1：4～15，沉积得到150～800nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层；再在BZT薄膜层和底电极掺杂Al、Ga或In的氧化锌层表面制备金属电极，制得柔性薄膜变容管。本发明专利技术的柔性薄膜变容管的介电调谐率≥50％@100kHz，介电损耗

【技术实现步骤摘要】
一种柔性薄膜变容管的制备方法
本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，尤其涉及一种柔性薄膜变容管及其制备方法。
技术介绍
变容管在通讯电子电路中有着重要的应用，其可实现通讯信号的接收和发射。目前，随着移动通讯设备向着柔性化方向的发展，传统的硬质薄膜变容管已经不能满足柔性电子电路的需求，继续开发柔性的薄膜变容管，以实现与柔性电路相匹配和兼容。BaZr0.2Ti0.8O3(BZT)作为目前研究最为广泛的介电调谐薄膜材料，其具有介电调谐率高和介电常数大的优点，常被用来在硅基衬底上制备硬质变容管。由于柔性衬底和制备技术的限制，目前还未出现以其为基础制备的柔性变容管。本专利技术将解决BZT制备柔性薄膜变容管的技术难题，并制备出性能优良的柔性变容管。
技术实现思路
本专利技术的目的，在于克服现有技术中的不足，解决BZT即BaZr0.2Ti0.8O3制备柔性薄膜变容管的技术难题，利用磁控溅射沉积技术，提供一种成本低廉而性能优良的BaZr0.2Ti0.8O3基柔性变容管的制备方法。本专利技术通过如下技术方案予以实现。一种柔性薄膜变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)将铜箔表面清洗干净放入磁控溅射腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性薄膜变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)将铜箔表面清洗干净放入磁控溅射腔体内的样品台上，作为柔性衬底；(2)将掺杂Al、Ga或In的氧化锌靶材装入磁控溅射的靶头上；靶材与衬底的距离为40～90mm；(3)待步骤(2)完成后，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用Ar气体作为溅射气体溅射掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层，溅射功率为30～180W，衬底温度为室温到600℃，进行沉积得到50～1000nm厚的掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层。(4)取出衬底，在掺杂Al、Ga或In的氧化锌层表面用掩模版遮盖，留出底电极位置后，再将其放入磁控溅射腔体内的样品台上；...

【技术特征摘要】
1.一种柔性薄膜变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)将铜箔表面清洗干净放入磁控溅射腔体内的样品台上，作为柔性衬底；(2)将掺杂Al、Ga或In的氧化锌靶材装入磁控溅射的靶头上；靶材与衬底的距离为40～90mm；(3)待步骤(2)完成后，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-3Pa以下，使用Ar气体作为溅射气体溅射掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层，溅射功率为30～180W，衬底温度为室温到600℃，进行沉积得到50～1000nm厚的掺杂Al、Ga或In的氧化锌薄膜层。(4)取出衬底，在掺杂Al、Ga或In的氧化锌层表面用掩模版遮盖，留出底电极位置后，再将其放入磁控溅射腔体内的样品台上；(5)将BZT即BaZr0.2Ti0.8O3靶材装入磁控溅射靶头；(6)将磁控溅射系统的本底真空抽至1.0×10-3Pa以下，然后加热衬底至400～700℃；使用Ar和O2作为溅射气体，氧气和氩气的分压比为1：4～15，溅射功率为50～200W，进行沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：于仕辉，刘荣闯，赵乐，李玲霞，孙永涛，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12